Накладной емкостной датчик Советский патент 1979 года по МПК G01N27/22 

Изобретение относится к измерительной технике м предназначено для определения влажности веществ по ИХ диэлектрическим хара ктеристикам. Оно может быть Иеполь30ва.но в приборах для определения как влажности веществ, так и в качестве емкостного датчика сигнализатора уровня веществ с малой диэлектрической проницаемостью, а также в устройствах неразрущающего контроля, диагностики и другах. Известен накладной .измерительный конденсатор, 1В котором высокопотенциальный (рабочий) и низкопотенциальный (общий) электроды установлены на изоляционном основании-подложке, причем низкопотенциальный электрод окружает высокопотенциальный. Известен также емкостной преобразователь, в котором для уменьщения параЗ(Ит.ной емкости между электродами помещен слой из диэлектрика с нелинейной магнитной дроницаемостью, например феррита. Наиболее близким техническим рещением является накладной емкостной датчик, включающий рабочие высокопотенциальный и н.изкопотенциальный электро ды, расположенные в одной плоскости и закреплонные неактивными поверхностями на диэлектрическом основании, и дополнительный электрод эквипотенциальной защиты. Известные датчики имеют тот недостаток, что им присуща паразитная емкость, обусловленная диэлектрической проницаемостью изоляционной подлолчки-основания. Это начальная (паразитная) емкость известных емкостных датчиков снижает их чувствительность. Кроме того, нестабильность диэлектрических характеристик изоляционного материала подложки, например, связанная с его старением, влиянием влаги, температуры и других причин, приводит к погрещности измерений. Целью изобретения является увеличение чувствительности и точности измерений. Цель достигается тем, что дополнительный электрод выполнен в виде чащи и расположен с зазором вокруг высокопотснцир.льного электрода со всех сторон его неактивных поверхностей, примыкающих к диэлектрическому основанию. При иодаче на дополнительный электрод напряжения, равного по величине и синфазного напряжению на высокопотенциальном электроде, .между этими электродами не будет электрического поля, а это значит, что отсутствует та часть электрической емкости датчика, которая обусловлена диэлектрической проницаемостью MaTepiui.ia 11одлож1ки. Это дает увеличение чуастиг.тсльпостн датчика. Одновременно пзмо: ;. диз.ак