Люминесцентный материал на основе селенида индия Советский патент 1991 года по МПК C09K11/62 C09K11/88 

Изобретение относится к люминофорам, а именно к люминесцентному материалу на основе селенида индия InSe, используемого в оптической промышленности и квантовой электронике.

Цель изобретения - повышение интенсивности фотолюминесценции InSe в области спектра 1,30-1,32 эВ при 77 К.

Люминесцентный материал на основе InSe получен методом синтеза (вертикальный вариант) исходных компонентов - индия, селена и гольмия в откачанных до 10 мм рт.ст. и запаянных кварцевых ампулах. Ампулы нагревают в печи с равномерным распределением температуры до полного сплавления содержимого, выдерживая при 1000 К (TnnlnSe «960 К) в течение 7-8 ч с периодическим перемешиванием, после чего медленно (в течение нескольких часов) охлаждают до комнатной температуры. Для синтеза использованы элементы

высокой частоты4 In марки В-3, Se марки В-5, Но-ГОМ-0.99.71.

Монокристаллы люминесцентного материала выращены из полученных поликристаллов методом Бриджмена. скорость перемещения ампулы 1,6 мм/ч, скорость падения температуры вдоль слитка 4-5 град/ч, температура зоны перемещения ампулы 1000-450 К, отжиг при 450 К в течение нескольких часов и последующее охлаждение до комнатной температуры с указанной выше скоростью; время всего процесса около 5 сут. Выращенные монокристаллические слитки длиной 45-50 мм, диаметром 8-10 мм скалывают по плоскостям спайности.

С помощью термограмм и дифрак- тограмм осуществляется контроль од- породности по составу, однофазности, монокристалличности и равномерного распределения по объему примесей, выращенных слитков.

О 00 чд

сл о к

В таблице представлены данные по количеству исходных элементов In, Se и Но для получения 1 г материала.

На чертеже представлены спектры фотолюминесценции при 77 К материала на основе InSe и с различным содержанием Но. Кривые 1-5 соответствуют монокристаллам состава: 1 - InSe; 2 - nSe и Но - 0,00001 ат.%; 3 - InSe и Но - 0,0001 ат.%; 4 - InSe и Но - 0,005 ат.%; 5 - InSe и Но - 0,01 ат.%.

Указанные спектры зарегистрированы при стационарном возбуждении излучением лазера ЛГН-208Б (Я 6328А).

Приведенные спектры показывают, что интенсивность фотолюминесценции для InSe с содержанием Но 0,0001-0,01 ат.% имеет величину.

Формула изобретения

Люминесцентный материал на основе селенида индия, содержащий редкоземельный элемент, отличающийся тем, что, с целью повышения интенсивности фотолюминесценции в области спектра 1,30- 1,32 эВ при 77 К, он содержит в качестве редкоземельного элемента гольмий при следующем соотношении компонентов, ат,%: селенид индия 99,99-99,9999; гольмий 0,0001-0,0100.

Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе In Se, содержащему Но, и позволяет повысить интенсивность фотолюминесценции. Осуществляют синтез материала сплавлением из элементов In, Se, Но в кварцевой ампуле вертикально в печи при 1000 К и из полученных поликристаллов выращивают монокристаллы методом Бриджмена в виде слитков длиной 45-50 мм, диаметром 8-40 мм, которые скалывают по плоскостям спайности. 1 табл , 1 ил.

Ј

4j

I

.1