Стекло Советский патент 1979 года по МПК C03C3/10 

(54) СТЬКЛО 68-80 6-15 4-12 2-15 1- 5 1 5 1- 5 1- 5 В таблице приведены свойства оос-т ВОВ стекол. Полученное стекло было использо.ва дяя ариготовлениа двух вариантов иаст проводниковой и диэлектрической. Первый вариант пасты, Проаоднйк.ов иаста содержит, вес,%| Серебро78,0 Предлагаемое стекло состава i9s О По ли вин蹫бутйло вый эфир с молакуларным весом ЗОООАО,О Винилбутиловый эфир 3,О Пасту исцопьзовали для колучени коведуших дорожек методом толстопле ной технологии на подложках ив натри известкового стекла. Толщина получен пленки составлшш мкм, Вжига пасты производили при Б течен 15 мин. В процессе термообработки стекло плавлялось смачивало подложку и мет лические частшш насты, растекалось поверхности подложки в обеспечивало спекание покрь Т1Ш йрн 54О°С. Покрытие получалось сплошное, бе трещину пузырей и ракован Полученная плата додвергалась дес кратному термоаиклированию . Результаты термоцикларования п зали, что покрытие сохраняется цел 1эс без трещин, раковин, носечек. Соиротивление пленки изменаетс51 пределах не более 1О%. Второй вариант ®асты. Диэлектрич кая паста содерн ит, вес,%: Предлагаемое стекло состава 380,0 Поливинилбутиловый эфир с молекутшрным весом ЗООО Винилбутиловый эфир Ласту использовали для получения ди- лектрического слоя м,етодом толстопле чной технологии на подложку с провод- иковой pa вoдкoйo Полученный слой толиной 40 мкм после термообработки при 10 С в течение 15 мин приобретал вид овного плотного стеклянного покрытия, меющего четкий контур. После проведения испытаний на термо иклирование в режиме 2О-«50О 2Ос 10 циклов) -покрытие оставалось без ви« имых трещин, сколов, посечек, . узлы бладали высокой термомеханической прочностью« Удельное обемное сопротивление пленки составляло (1-7)1О ом.см, Таким образом, в рассмотренных примерах полученные элементы (проводниковая разводка и диэлектрический слой) об ладают вьюокими термомехйкическими свойствами и стабильными электрическими харак еристиками. Одновременное введение окиси хрома и закиси кобальта, а также выбор осно& ного минералогического состава позволили получить стекло с требуемым комш1еК сом физико химических свойств, пригодно-го для использования в толстопленочной технологии. Предлагаемый состав стекла обеспечивает получение толстых слоев при достаточно низких температурах термооб работки (), что особенно ва5гшо при изготовлении изделий микроэлектроники не допускающих высокотемпературной об- работки, как с тоши sp&iwa деформаций подложки, так и с зрения возможного ухода параметров элементов микросхемы. Использование предлагаемого стекла в составах паст, наносимых методом то№ стопленочной технологии, позволяет удов летворить ряд сложных требований: хорошее растекание по подложке и обеспече ние четкого контура тшенки, коэффидиент термического расширения, равный ВО-9О1О 1/град, и температуру оплавления 54О С. 7643 Формула изобретения Стекло, включающее PtO.SiOj , СиО , InO , СбО .отличающееся тем, что, с целью снижения; крио 5 таллязаашонной способностиуоно дополнительно содержит CfjOj Со О при следующем соотношении компонентов, Eiec.%: РЪО68-80 вн NS № 2-15 1- 5 1- 5 1- 5 1- 5 Источники информации, принятые во мание jnpn Е кспвртизе1 1,Авторское свидетельство СССР 258544, кл. С 03 С 3/1О, 1966 2.Авторское свидетельство СССР 349652. кл. С 03 С 3/10,1971.