Резистивный материал Советский патент 1979 года по МПК H01C7/00 

(54) РЕЗИСГИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано для изготовления резисторов. Известен резистивный материал на основе окнси кадмия и окисла металла V группы Периодической системы 1. Однако нз этого материала невозможно формование тонкостенных резисторов. Кроме того ему свойственно высокое значение удельного сопротивления. Известен резистивный материал, содержащий окись кадмия и пятиокись ниобия 21. Плохие формовочные свойства этого материала приводят к образованию раковин в тонкостенных резисторах. Цель изобретения - улучшение формовочных свойств материала. Достигается это за счет того, что резистивный материал, содержащий окись кадмия и пятиокись ниобия, дополнительно содержит трехокис вольфрама при следующем количественном соОтнощении исходных компонентов, в вес.%: Пятиокись ниобия Трехокись вольфрама Окись кадмия Установлено, что на стабильность значения злектросопротивлення оказывает влияняе дисперсность вв9ДИло 1Х ингредиентов. Дисперсность ингредиентов определяет их реакшюннуго поверхность при спекании, а от степени завершенности спекания зависит диаметр пор, предопределяющий размер межчастичных контактов. Даже при полном спекании остаточная пористость составляет 3-5%, и эта величк{4а определяет размер площадок, создающих межчастичные контакты. Теоретические и экспериментальные исследования показали, что для обеспечения наибольшей стаа льности электросопротивления оптимальной является следующая дисперсность ингредиентов (мкм): CdO - -И-20; NbjO, - +20-44; УЮ, +20-44. Установла о также, что для обеспечения наименьших колебаний значений электросопротивления оптимальным является следуюший состав, в вес.%: CdO - 42, MbjOj - 25, VOj 33. Условия спекания обрабатывались таким образом, чтобы обеспечить повышевде плотности прессовки до 95-97% от теоретической и предотвратить испарения окиси кадмия. П р и м е р. Из тп1ательио перемешанной ишхты состава CdO - 42 вес.%, NbjOs - 25 вес.%, УОз - 33 вес.% и дисперсностью CdO -И-20МКМ, NbjOs +20-44МКМ, WOj +20-44 мкм методом гидростатического прессования изготавливаются режстивные элементы с

Преимущество данного материала состоит в том, что введение в известный материал добавки- утяжелителя WOs поз вбЛяет использовать полученный состав для формой аййятой :остённых резистйвнь1х элементов методом гидростатического прессования. Возможность получения тонкостенных резисторов на существующем оборудо8 аййи позволяет экономить дорогостоящие компоненты, входящие в состав резистора, а также уменьшить габариты ряда нагревательных устройств.

Формула изобрс тения

Режстивный материал, содержащий окись кадмия и пятиокйсь ниобия, отичающийся

тем, что, с целью улучшения формовочных свойств, материала, он дополнительно содержит трехокись вольфрама при следующем количественном соотношении исходных компонентов, в вес.%:

Пятиокйсь ниобия23-25

Трехокись вольфрама30-35

.Окись кадмияОстальное

. Источники информации, принятые во внима иие при экспертизе

2.Авторское свидетельство СССР № , М. Кл С 04 В 35/00, 1971. наружным диаметров 6 мм, внутренним диаметром 4 мм и данной 115 мм. Полученные элементы подвергаются спеканию при 720° С в воздушной среде в течение 5 час в печи электросопротивления. При этом значения удельного электросо20°С находятся в пределах противления при 4,6-5,8 , а температурный коэффициент сопротивлешя составляет 0,1%. В таблице приведены характеристики резисторов на основе материала с различным количественным содержанием компонентов.