Материал для вторичноэлектронных эмиттеров Советский патент 1979 года по МПК H01J1/32 

1 / ., . / , Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении вторично-электронных эмиттеров для приборов .СЕЧ.

Известен материал для вторичноЭлектронных эмиттеров на основе тугоплавкого металла с берйллатами щелочноземельных металлов в количестве 2-40 об,% по основному авт. ср. № 320851 l . Однако этот материал . имеет невысокие вторично-эмиссионйые свойства в области низких энергий, что ограничивает его применение в качестве эмиттера для ряда приборов СВЧ.. .

Целью изобретения является повышение вторично-эмиссионных свойств материала для эмиттеров в области низких энергий за счет снижения значения первого критического потенциала, что позволит расширить возможность применения данного материала для приборов

СВЧ,. :

Для этого материал для вторичноэлектронных эмиттеров на основе тугоплавкого металла с равномерно распределенным берилл91тЬм1 щелочноземельного металла дополнйтельно содержит бериллат щелочного металла лития от 2 ДО 10 об.%.

Для получения материала катода изготавливались три сплава со следующим содержаниемингредйентов, об.%:

1.Ba BejOg - 10, LijBe Oj - 2, никеля - 88.

2.Ва Beg Од- 10, LijBejO - б, никеля - 84.

3.BajBejOj - 10, - 10, никеля - 80.

Вторично-эмиссионные свойства сплавов сведены в таблицу.

Оптимальный состав сплава с наилучшими вторично-эмиссионными характеристиками: - 10 об.% 6 об.%, никель 84-об.%.

Исходными веществами для получения материала для вторично-электронных эмиттеров, например, состава Nr+10o6.%5 I + 6 об,%, Li jBegO являются никёлевый порошок, углекислый барий, углекислый литий и окись бериллия. .

Для изготовления эмиттеров необходимые количества никелевого порошка, порошков бериллатов- бария и лития смешивают , подвергают холодному прессованию при 15 т/см , спекают в вакуу- j ме порядка 1«10® мм рт.ст. при температуре 120р°С в те-чение 2 часов, после чего полученные заготовки обрабатывают и доводят .до требуемого размера. .. . ,,

.Полученный материал обладает более

нйзкйм значением первого критического потенциала по сравнению с материалом

ПО основному авторскому свилетельству и сохраняет при этом осталь.ныё его свойства.

Оптимальная добавка бериллата лития находится в пределах 2-10 об.%, увеличение его количества не приводит к существенному :снижению.первого критического потенциала.

Более Низкое значение п.ервого критического потенциала предлагаемого материала позволяет повысить вторично-эмиссионные свойства эмиттеров в области низких энергий и расширить возможность применения данного материала для приборов СВЧ.

Формула изобретения

Материал для вторично-электронных эмиттеров по авт, свид. № 320851, отличающийся тем, что, с целью повышения вторично-эмиссионных свойств в области низких энергий он дополнительно содержит бериллат вделоч.ного металла в количестве от 2 до 10 об.%.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе .

1. Авторское свидетельство СССР t 320851, М.Кл Н 01 Т 1/32, 1969.