Материал термоэлектронного эмиттера Советский патент 1980 года по МПК H01J1/148 

Описание патента на изобретение SU734829A1

(54) МАТЕРИАЛ ТЕРМОЭЛЕКТРОННОГО ЭМИТТЕРА

1

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для изготовления эффективных термоэлектронных эмиттеров СВЧ-приборов магнетронного типа.

Известны материалы термоэлектронных катодов, высокие эмиссионные свойства которых обусловлены использованием твердых растворов боридов щелочноземельных (ЩЗМ) и редкоземельных (РЗМ) металлов 1. Эти материалы не могут быть использованы в качестве катодов приборов магнетронного типа из-за малых значений коэффициента вторичной электронной эмиссии (КВЭЭ) 1, в то время как для работы приборов М-типа КВЭЭ желательно иметь 2.

Вторично-эмиссионные свойства катодов такого типа можно повысить, используя в качестве материала матрицы металлы, КВЭЭ которых лежит в интервале 1,6-1,8 (Re, Pt, Ir). Поскольку Pt и Ir - драгметаллы, наиболее предпочтительно применение рения.

Известны также катодные материалы на основе рения с добавками гексаборида лантана. Катоды из таких материалов обладают значениями работы выхода 2,7-2,8 эВ; величина КВЭЭ достигает лишь 1,95 2.

Однако такие, материалы имеют ограниченное применение.

Целью изобретения является повышение уровня термо- и вторичной эмиссии.

Sт,-- Для достижения указанной цели в металлическую матрицу из тугоплавкого металла рения вводят сложные устойчивые соединения - твердые растворы гексаборидов щелочноземельных металлов в гексабори10 дах редкоземельных металлов группы лантана в соотношении от 0,9:0,1 до 0,6:0,4 при содержании сложного гексаборида 0,4- 4 вес. %, например твердый раствор гексаборида бария в гексабориде лантана.

5

Материалы на основе рения, в состав которых вводились указанные выше твердые растворы гексаборидов La и Ба, обладают высокими и стабильными термо-и вторичноэмиссионными параметрами.

го

Плотность тока насьщения при различных температурах и значениях КВЭЭ для вышеу :азанных сплавов приведены в таблице.

(№;йас & за-аё йА й« б«й8б л:.,« iaiMAufe.,iu.«B. --. -sv...- 3734829

4

Похожие патенты SU734829A1

название год авторы номер документа
Катод для электровакуумных приборов (его варианты) и способ его изготовления 1982
  • Смирнов В.А.
  • Судаков Ю.С.
  • Гугнин А.А.
  • Додонов Ю.И.
  • Пушкарев А.Г.
  • Куликова Л.И.
SU1077498A1
Способ изготовления термоэлектронного катода 1983
  • Пароль Николай Владимирович
  • Жолобова Валентина Фридриховна
  • Иофис Наум Абрамович
  • Семанова Галина Алексеевна
  • Квасков Валерий Борисович
  • Лазанов Борис Иванович
SU1091246A1
Сварочная композиционная проволока для дуговой сварки трубных и криптоустойчивых сталей 2015
  • Паршин Сергей Георгиевич
  • Майстро Алексей Сергеевич
RU2610374C2
МАГНЕТРОН С ЗАПУСКАЮЩИМИ ЭМИТТЕРАМИ НА КОНЦЕВЫХ ЭКРАНАХ КАТОДНЫХ УЗЛОВ 2011
  • Ли Илларион Павлович
  • Скрипкин Николай Игоревич
  • Поливникова Ольга Валентиновна
  • Лифанов Николай Дмитриевич
  • Комиссарчик Сергей Владимирович
  • Каширина Нелли Владимировна
  • Силаев Александр Дмитриевич
  • Поляков Владимир Сергеевич
RU2528982C2
Материал для катода 1976
  • Цыпышева Татьяна Павловна
  • Иофис Наум Абрамович
  • Кипарисов Сергей Сергеевич
  • Ширшова Мария Григорьевна
SU611260A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭМИССИОННО-АКТИВНОГО СПЛАВА КАТОДА 2014
  • Урсуляк Назар Дмитриевич
  • Хабачев Максим Николаевич
  • Налогин Алексей Григорьевич
  • Дровненкова Галина Васильевна
  • Пашков Алексей Николаевич
RU2581151C1
МАГНЕТРОН С БЕЗНАКАЛЬНЫМ КАТОДОМ 2008
  • Ли Илларион Павлович
  • Дюбуа Борис Чеславович
  • Каширина Нелли Владимировна
  • Комиссарчик Сергей Владимирович
  • Лифанов Николай Дмитриевич
  • Зыбин Михаил Николаевич
RU2380784C1
МЕТАЛЛОПОРИСТЫЙ ПРОПИТАННЫЙ КАТОД ДЛЯ МАГНЕТРОНА 2007
  • Смирнов Вячеслав Александрович
  • Синицына Елена Николаевна
  • Куликова Людмила Ивановна
  • Гусева Тамара Федоровна
RU2342732C1
Способ изготовления термоэлектронных эмиттеров 1982
  • Федоринов Виктор Пантелеевич
  • Нешпор Вячеслав Степанович
  • Стефановская Евгения Михайловна
  • Соколов Василий Васильевич
SU1056304A1
СОСТАВ МАТЕРИАЛА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДОВ ГЕНЕРАТОРОВ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ 2012
  • Тимофеев Николай Александрович
  • Мурашов Сергей Вадимович
  • Пастор Александр Александрович
  • Ходорковский Михаил Алексеевич
RU2505882C1

Иллюстрации к изобретению SU 734 829 A1

Реферат патента 1980 года Материал термоэлектронного эмиттера

Формула изобретения SU 734 829 A1

Из таблицы видно, что наилучшими термоэмиссионными свойствами обладают сплаBbf, в состав которых вводится сложный гексаборид с соотношением гексаборидов :ВаВб от 0,9:0,1 до 0,6:0,4.

На чертеже представлены значения КВЭЭ при различных температурах.

Из чертежа видно, что КВЭЭ сплавов с содержанием сложного гексаборида 0,5- 4 вес. % Таким образом, наилучшими эмиссионными свойствами в совокупности обладают сплавы, в которых, содержится 0,5-4 вес. % сложного гексаборида с соотношением LaB $: :ВаВб от 0,9:0,1 до 0,6:0,4.

Эмиссионные свойства предложенных материалов превышают аналогичные для сплаВОВ на основе рения с добавками гексаборида лантана.

Высокие и стабильные эмиссионные характеристики предлагаемых материалов обусловлены свойствами сложного металлоподобного соединения и процессом взаимодействия материала основы с активными добавками. Известно, что образование моноатомиой пленки, атомов РЗМ и ЩЗМ на поверхности тугоплавких металлов значительйо улучшает эмиссионные свойства такой системы. При нагреве предложенных материалов до рабочей температуры в процессе взаимодействия рения с гексаборидом и Ва образуются свободные атомы La и Ва, диффундирующие на поверхность и образующие моноатомную пленку сложного состава. Использование сложных гексаборидов указанных выше составов обеспечивает как оптимальную скорость взаимодействия матрицы с активным веществом и, следовательно, поступление атомов ЩЗМ и РЗМ на поверхность, так и оптимальный состав и струк туру пленки атомов на. поверхности, ответственной за высокие термо- и вторично-эмиссионные параметры материалов. Предлагаемый материал изготавливают следующим образом. Порошки бора, окисла РЗМ и карбоната ЩЗМ перемещйвают для равномерности распределения, затем прессуют в штабики при давлении 0,45-0,5 т/см2. Содержание окиси ЩЗМ в смесь вводится с 10-12 /о избытком. Щтабики подвергают термической обработке при 1900°С в течение 1 ч в вакууме не ниже 1 10 мм рт. ст., в результате которой образуются твердые растворы гексаборидов ЩЗМ в гексаборидах РЗМ. Гексаборид измельчают в порошок, используемый при изготовлении эмиттеров. Эмиттеры изготавливают обычными методами порошковой металлургии из шихты, представляющей смесь.рения и сложного гексаборида. Эмиттеры из предложенного материала стабильно работают в течение не менее 2000 ч. Формула изобретения Материал термоэлектронного эмиттера на основе тугоплавкого металла, например, рения, содержащий в виде активного вещества гексаборид редкоземельного металла группы лантана, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня термо- и вторичной эмиссии, гексаборид редкоземельного металла введен в виде твердого раствора с гексаборидом щелочноземельного металла в соотношении от 0,9:0,1 до 0,6:0,4 при общем содержании сложного гексаборида 0,5- 4 вес. %. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 611260, кл. Н 01 J 1/14, 1975. 2.Кудинцева Г. А. и др. Электронная техника, серия Электроника СВЧ, 1,67, № 11, с. 73 «Эмиссионные свойства сложных эмиттеров на основе гексаборида лантана (прототип).

SU 734 829 A1

Авторы

Файфер Сергей Иванович

Беляев Юрий Петрович

Гугнин Александр Алексеевич

Жданов Сергей Михайлович

Редега Константин Павлович

Лучин Анатолий Андреевич

Даты

1980-05-15Публикация

1978-05-19Подача