| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ | 2013 |
|
RU2524509C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОК СО СТРУКТУРОЙ АЛМАЗА, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ | 2014 |
|
RU2585311C1 |
| СПОСОБ ЛАЗЕРНОГО ОТДЕЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ИЛИ СЛОЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ОТ РОСТОВОЙ ПОДЛОЖКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ (ВАРИАНТЫ) | 2011 |
|
RU2469433C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК | 1991 |
|
RU2023325C1 |
| Материал на основе InGaAs на подложках InP для фотопроводящих антенн | 2016 |
|
RU2657306C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СКВИДов С СУБМИКРОННЫМИ ДЖОЗЕФСОНОВСКИМИ ПЕРЕХОДАМИ В ПЛЕНКЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА | 2006 |
|
RU2325005C1 |
| Способ магнетронного распыления оксида галлия в постоянном токе путем его легирования атомами кремния | 2022 |
|
RU2799989C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ | 1991 |
|
RU2006996C1 |
| Устройство для нанесения сверхтолстых слоев поликристаллического кремния | 2021 |
|
RU2769751C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ YBaCuO-Х ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ НА ЗОЛОТОМ БУФЕРНОМ ПОДСЛОЕ | 2013 |
|
RU2538931C2 |
1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПРИ ПОМОЩИ' ОПТИЧЕСКОГО КВАНТОВОГО ГЕНЕРАТОРА, основанный на распылении вещества под действием лазерного излучения, сфокусированного на' поверхность мишени, и конденсировании этого вещества на поверхность подложки, отличающийсяте^м, что, с целью получения легированных эпитаксиальных пленок, в процессе распьшения основного вещества испаряют легирующее вещество путем воздействия на него дополнительным лазерным излучением, синхронизированным во времени с основным лазерным излучением.2, Способ по п.1, о т л и ч а ю- щ и и с я тем, что, с целью получения легированных эпитаксиальных пленок на непрогреваемых подложках, перед распылением подложку обезгажи- вают, а в процессе распыления подогревают конденсируемое вещество и отжигают полученную пленку, причем для обезгаживания подложки, подогрева конденсируемого вещества и отжига полученной пленки используют синхронизированные лазерные излучения.(ЛО)^ о:» СП •^эо
| Патент Англии № 1366146, С 7 F, 11.09.74. |
