Шихта для изготовления сегнетокерамического материала Советский патент 1979 года по МПК C04B35/468 H01G4/12 

1

Изобретение относится к электронной технике, а именно к керамическим материалам, и может быть использовано в производстве радиотехнических изделий.

Высокая диэлектрическая проницаемость и минимальные диэлектрические потери - одни из основных требований, предъявляемых к диэлектрикам, предназначенным для конденсатора. В частности, сегнетокерамические материалы на основе титаната бария (BaTiOa), обладающие диэлектрической проницаемостью (e/so) порядка 1000- 14000, что позволяет получать из них низкочастотные конденсаторы с высокой удельной емкостью, имеют большие диэлектрические потери tg6(50-200)-lO

1 Наиболее близким к изобретению техническим решением является сегнетокерамический материал Т-10000 2.

Однако такой керамический материал имеет повышенные диэлектрические потери (70-100) 10- на частоте 1 кГц.

Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь в керамике.

Поставленная цель достигается тем, что шихта для изготовления сегнетокерамического материала на основе титаната бария, включаюш,ая BaTiOs, CaSnOs, МпСОз и глину, дополнительно содержит NbsOs при

следующем соотношении компонентов, вес. %:

87,75-88,95

ВаТЮз

10,15-11,35 CaSnOs МпСОз

0,05-0,15

0,2-0,4 Глина NbaOs

0,4-0,6 В качестве

ИСХОДНЫХ компонентов искомпонентовпользуют спеки BaTiOs, обожженного при 1200-1250°С, и СаЗпОз, обожженного при 1340-1380°С.

Керамический материал изготавливают по обычной керамической технологии - смешением компонентов, оформлением заготовок нужного вида и спеканием их при 1350-142b°C.

Влияние составов шихты на свойства керамики, обожженной при 1390°С в течение 2 ч, показано в таблице. 3 Для испытаний брали три состава предлагаемой шихты. Состав 1, вес. %: ВаТЮз 88,95; СаЗпОз 10,15; МпСОз 0,08; глина 0,32 и Nb2O5 0,5. Состав 2, вес. %: ВаТЮз 88,00; СаЗпОз5 11,00; МпСОз 0,12; глина 0,28 и Nb2O5 0,6. Состав 3, вес. %: ВаТЮз 83,3; СаЗпОз 10,9; МпСОз 0,1; глина 0,3 и NbsOg 0,4. Формула изобретенияЮ Шихта для изготовления сегнетокерамического материала на основе титаната бария, включающая ВаТ1Оз, СаЗпОз, МпСОз и глину, отличающаяся тем, что, с15 4 целью снижения диэлектрических потерь в керамике, она дополнительно содержит Nb2O5 при следующем соотношении компонентов, вес. %: ВаНОз 87,75-88,95 СаЗпОз 10,15-11,35 МпСОз 0,05-0,15 Глина 0,2-0,4 NbaOs0,4-0,6 Источники информации. принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США № 3359133, кл. 117-227, опублик. 1968. 2. ГОСТ 5458-75.