Сегнетоэлектрический керамический материал Советский патент 1982 года по МПК C04B35/468 

Изобретение относится к -радиоэлектронной технике и может быть использовано для изготовления керамических конденсаторов. В настоящее время как в отечественном, так и в зарубежном конденсаторостроении для изготовления сегнетокерамических конденсаторов используют, преимущественно, материалы на основе титаната бария 1. Однако эти материалы не обладают достаточной температурной стабильностью в интервале -60 - +125С. Известен конденсаторный сегнетокерамический материал на основе твер дого раствора BaTiO ., с добавкой JbiOi,t2. Однако данный материал не обеспечивает получение конденсаторов с удельным объемньш сопротивлением f I-IO --. 8-10 Ом-см при 125С, диэлектрической проницаемостью не менее 2500 и изменением емкости +20% в интервале температур -60 -.+125С. Наиболее близким к пре.цлагаемому по технической сущности является сег нетокерамический материал 3 , в состав которого входят следующие ком поненты, мас.%: BaTiO, . 91-98,5 Bi 05n,45-4,5 ,0-3,5 Се Oo- , 0,05-1,0 Указанныйматериал иМеет величину диэлектрической проницаемости ( 23002600 и изменение емкости +20% в инт.ервале температур .-60 - 125С. Удельное объемное сопротивление при равно 3 10°-10 Ом. см. Таким образом, данный материал не обеспечивает получение удельного объемного сопротивления при 125С более Ом.см, а также величины диэлектрической проницаемости более 2500.Цель изобретения - увеличение удельудельного объемного сопротивления при и диэлектрической проницаемости. Указанная цель достигаешься тем, что сегнетоэлектрический материал, включающий BaTiC NbjiO H CeCL дополнительно содержит Dy,,. .ТЬ, MnCOj при следующем соотношении компонентов, мас.%: ВаТЮл93,5-97,5 Nb2.05-1,0-3,5 CeOi0,05-1,0 0/2.0-.,0,3-2,0 ,05-0,6 - MnCOj. 0,1-0,4 Пример 1 по минимуму ). Загружают в вибромельницу в виде порош ков ВаТЮэ в количестве 93,5 мас.%, затем добавляют к нему, %: Nb, 0 3,5 СсОг1,0; Dy.O 1,0. , 0,6; MnCO/j 0,4, Характеристики материала в этом случае: удельное объемное сопротивление р 1,2 - 10 Ом-см при 125 С, диэлектрическая проницаемость 2530 при . Пример 2 (по максимуму). За гружают в вибромельницу.в виде порошков BaTiO-j, в количестве 97,5 мас затем добавляют к нему, %: 2,0 СеОо. 0,05; Dy-0,,-0,3; ,0,C)5; MnCO 0,1. Характеристики материала: удельное объемное сопротивление pv 8 г5 х X lO OM-см при 125°С, диэлектрическая проницаемость . 2820 при 20 Пример 3 (по среднему значению) . Загружают в вибромельницу в виде порошков BaTiO в количестве 95,5 мас.%, затем добавляют к нему, %: 2,25; CeOz 0,525.; Dy 0. 1,15; , 0,325; МпСОз 0,25. Характеристики материала.: удельное объемное сопротивление pv 5 х X 10 Ом.см при 125С, диэлектрическая проницаемость f, 2760 при Для получения материала компоне ты перемешивают в вибромельнице 2-3 в результате чего получают тонкоизмельченный 110РОШОК, к которому добавляют поливиниловый спирт либо ра створ каучука, а затем получают образцы либо прессованием дисков,либо отливкой через фильеру пленку, на которую наносят палладиевые электроды. Образцы обжигаютпри 13201420С в течение 2-4 ч и получают д ковые или монолитные заготовки конденсаторов из предлагаемого материал Предлагаемый материал имеет удельно сопротивление fy 1 10 Ом-см п 125°С, диэлектрическая пронидаемост 2500-2800 при 20°С. Конденсаторы, изготовленные из этого материала, имеют высокую стабильность емкости % 1-20% в интервале температур -60 - ,.125 С. Более высокие электричес.кие характеристики предлагаемого материала позволяют получать качественные конденсаторы с высоким сопротивлением изоляции при повышенных температурах и с более высокой удельной емкостью. Кроме того, отсутствие в составе предлагаемого материала дефицитной окиси висмута позволяет получать монолитные конденсаторы с более дешевыми палладиевыми электродами, а не с дефицитными платиновыми, что приводит к существенной экономии драгметаллов. Формула изобретения Сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления монолитных конденсаторов, содержащий BaTiOj , СеО, отличающийся тем, что, с целью увеличения его удельного объемного сопротивления при 125°С и диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит , МпСОз при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiO, 93,5-97,5 . 1,0-3,5 CeOa 0,05-1,0 0,3-2,0 0,05-0,6 0,1-0,4 Источники информации, во внимание при экспертизе 1.Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. Энергия, 1976, с. 203-205. 2.Авторское свидетельство СССР № 697462, кл. С 04 В 35/46, 1978, 3.Авторское свидетельство СССР № 404815, кл. С 04 В 35/46, 1972 Гпрототип)..