Широко извесгпо, что некоторые полупроводники, обладающие внутренним фотоэффектом, чувствительны к ир|фракрасным лучам различных диапазонов, иногда до 2-3 .ик, и поэтому могут быть использованы в качестве индикаторов длинноволнового излучения инфракрасных лучей.
Известно также, что в отношении более длинных волн инфракрасного спектра такие полупроводники становятся нечувствительными вследствие маскирующего деГ1ств1 я термического изменения их проводимости.
По этой причине нопытки создать из нолупроводниковых .материалов фотосопротивления, чувствнте.тьные к инфракраеным лучам в щироком интервале изме1;ения температуры окружающей среды (), оказались безуспещными.
Граница чувствительности со стороны длинных волн при фотопроводимости определяется шириной запрещенной зоны (лежит при тем больших длинах волн, чем меньше ширина этой зоны), а по мере уменьшения ширины зоны возрастает но показательному закону темновая проводимость, обусловленная термическим переходом электронов через эту зону, поэтому при достаточно .малой ширине зоны, соответствующей, например, длинноволновой границе около 4 мк, уже при ко.мнатной температуре (около 300°К) темновая проводимость полностью маскирует фотопроводимость, и в этих условиях материал не может быть использован для изготовления фотосопротивлений.
Согласно изобретению предлагается полупроводник подвергать искусственному охлаждению, в результате чего достигается значительное ослабление влия-ния темновой проводимости и нредставляется возможность использовать для изготовления фотосопротивлений такие полупроводниковые -материалы, которые при комнатной температуре обычно вовсе не обнаруживают фотопроводимости.
ль 65683
Предмет нзобретеиия
Индикатор инфракрасных лучей с длиной волны порядка нескольких (двух или более) микронов, выполненный из полупроводника, обладающего внутренним фотоэффектом, отличающийся тем, что полупроводник подвергается искусственному охлаждению, с целью использования полупроводниковых материалов, не обнаруживающих фотопроводимости при комнатной температуре.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ определения ширины запрещенной зоны и положения локальных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника (его варианты) | 1981 |
|
SU1086999A1 |
СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ ВАКУУМНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ФОТОДИОД ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО, ВИДИМОГО И ИНФРАКРАСНОГО ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И СПОСОБ ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2013 |
|
RU2523097C1 |
Управляемый светом генератор электрических колебаний на однородных кристаллах сульфида кадмия | 2017 |
|
RU2655737C1 |
МНОГОКАНАЛЬНЫЙ ИНФРАКРАСНЫЙ ФОТОПРИЕМНЫЙ МОДУЛЬ | 2014 |
|
RU2647977C2 |
Фотосопротивление | 1973 |
|
SU457407A1 |
СПОСОБ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2012 |
|
RU2503090C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА СВИНЦА | 2012 |
|
RU2493632C1 |
СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ ГРАНИЧНОЙ ВОЛНЫ ИК-ДЕТЕКТОРА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ, ИК-ДЕТЕКТОР И ФОТОПРИЕМНАЯ МАТРИЦА, ЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ К ИК-ИЗЛУЧЕНИЮ | 2006 |
|
RU2335823C2 |
ФОТОКАТОД С ВНЕШНИМ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ЭФФЕКТОМ | 1967 |
|
SU200676A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | 1973 |
|
SU405057A1 |
Авторы
Даты
1946-01-01—Публикация
1942-08-08—Подача