Многоэлементный источник света Советский патент 1985 года по МПК H01L31/12 

1 Изобретение относится к импульс ной технике и может быть использовано в качестве источника света. Известен м-ногоэлементный источн света, содержащий несколько электролюминесцирующих р -п-переходов на одном полупроводниковом кристал ле, размещенных на плате |1 . Недостаток этого источника заключает ся в наличии значительной оптической засветки между элементами. Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является многоэлементный источник св та, содержащий герметизированный корпус, в котором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующимр -п переходом, расположенные на параллельных металлизированньк полосках керамической платы и соединенные проволочными выводами с проводника ми, расположенными перпендикулярно металлизированным полоскам керамической платы . Однако этот элемент имеет недостаточную оптическую изоляцию и ко трастность излучения. Цель изобретения - повышение оптической изоляции и контрастности его излучения. Для этого в многоэлементном источнике света. Содержащем герметиз рованный корпус, в котором размеще на керамическая подложка, кристаллы широкозонньск полупроводниковых соединений с электролюминесциру ощимр -fi-переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соед ненные проволочными выводами с про водниками, расположенными перпендикулярно металлизированным полоск керамической платы, на керамическои плате между метаплизированными полосками и проводниками установлена изоляционная пластина с сеткой сквозных конических отверстий, центр которых расположен на средней линии металлизированных полосок керамической платы и на поверхность стенок которых нанесено металлизированное отражающее покрытие, а кристаллы ишрокозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующим р -п-переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы, размещены в сквозных конических отверстиях изоляционной пластины. На чертеже приведена схема конструкции источника света. Многоэлементньм источник света содержит кристаллы 1, например, полупроводниковых соединений GaP размером 0,34x0,34 мм с электролюминесцирующим р-п-переходом и выводами 2 и 3, размещенные в горизонтальном направлении на керамической плате 4 через слой токопроводящего клея 5 на металлизированных никелем и золотом полосках 6. Крис таллы 1 расположены в конических отверстиях 7 светорассеивающей пластмассовой пластины 8, соединенной герметизирующим компаундом (клеем) 9 с керамической гтлатой 4, Изнутри конические отверстия 7 пластины 8 имеют отражающее покрытие 10. На верхней наружной поверхности пластины 8 имеются размещенные вертикально металлизированные полоски 11, к которым присоединены золотой проволокой 12 (0 40 мкм) верхние выводы 2 кристаллов 1. Кристаллы 1 на плате 4 герметизированы в монолитном пластмассовом корпусе 13.

МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА, coflepKai'jjift герметизированный корпус, в ко^тором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующим р -п-перехо- дом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соединенные прово- лочньми выводами с проводниками, расположенными перпендикулярно ме-тя.плизированным полоскам керамической платы, о, т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения onTi-t- 4ecKofi изоляции и ко}1трастности его излучения, на керамической плате между металлизированными полосками и проводниками установлена изоляционная плсчстина с сеткой конических отверстий, центр которых расположен на средней линии металлизированных полосок керамической платы и на поверхность стенок которых нанесено металлизированное отражаю1цее покрытие, а кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с злектро- люминесцирую1цим р -р-переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы, размещены в сквозных конических отверстиях изоляционной пластины.(ЛS Wг /J /г п05OiоСП Осо