Фоточувствительный материал Советский патент 1979 года по МПК B01J17/00 H01L31/08 

1 . Изобретение относится к созиданию новых фоточувствительных материалов применяемых в качестве фоторезисторов, которые могут быть применены в схемах автоматического контроля и измерительной техники. Известны различные фоторезисторные материалы PbS, PbSe, PbFe, работающие в инфракрасной области, спё тра. Однако эти материалы могут Работать при комнатной температуре только в видимой области спектра. Для того, чтобы применить эти материалы в приборах, работающих в инфракрасной области спектра,: необходимо глубокое охлаждение (до 77к Известный фоточувствительный материал сернисто-свинцовый фоторезистор (ФС-А) работает в инфра:красной области спектра при длине волны 2,5 мк 11. Недостатком этого материала является то, что для работы в инфракрасной области спектра требуется охлаяодение. Охлаждалощие системы, имеющие значительные габариты и вес, затрудняю т использование фоторезисторов в целом ряде annaparfyры. Известен также фоточувствительный материал на основе сплавов CdS и PbSдля работы в инфракрасной спектра при комнатной температуре 2. Однако составы, работающие в области 1,6-1,8 мкм, не получены. «Цел-ь изобретения - обеспечение работы материала в области 1,6-1,8 мкм. С этой целью предложено использовать материал, который имеет состав .j Зп ,- За, где х-0,04-0,1. Для синтеза указанного сплава в качестве исходных {компонентов ис-, пользуют Zn, Sn и Se в соотвётст вующих пропорциях. Синтез осуществляют в эвакуированных кварцевых ампулах с остаточным давлениемпорядка 10 . ст. в атмосфере аргона при с последующим охлаждени. Из синтезированных поликристаллических образцов по методу Бриджмена выращивают монокристаллы. Выращенные монокр сталлические образцы однородны и; параметры их стабильны. . Измерения проводят после отжига образцов монокристаллических при 350 С в течение 400 ч. Результаты испытания представлены в таблице.

Как видно из таблицы, с увеличением в составе SnSe-сеЯенида индия до 5 мол.% фоточувствительность VSn. Зп у Se увеличивается почти в 14 раз, а дальнейшее увеличение до 10 мол.% приводит к некоторому уменьшениюфоточувствительности, имея при этом по сравнению с исходными все же. достаточно высокую фоточувствительность (почти в 6 раз выше).. Таким

образом концентрацию DnSe в SnSe не обходимовзять в количестве 4-10 мол 3nSe, при этом обладающим .оптималнь1м СВОЙСТВ1ОМ следует считать сплав содержащий 5 мол.% - т.к. при этом достигается наиболее высокое значение фототока 3,0 мка.

О(разиы указанного состава имеют стабильные электрические и оЬтические свойства.

Формула изобретения

Фоточувствительный материал на основе халькогенида элемента четвертой труппы для работы в инфракрасной области спектра при комнатной температуре, о тли чающий с я тем, что, с целью обеспечения работы в области 1,6-1,8 мкм, ма. териал имеет состав ® где х-0,04-0,1.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.

1 . Ступельман В. М. Филаретов Г.А Полупроводниковые приборы :Советское радио , 1973, с. 194.

2, Патент США 3900431, кл. 252-501, (Н 01. L 31/08), 1975..