Способ контроля неоднородностей тонких магнитных пленок с цилиндрическими магнитными доменами Советский патент 1979 года по МПК G11C11/14 

Наиболее близким к изобретению явля егся способ осциллирующего поля или способ сканирования, заключающийся в том, что к исследуемой пленке прикладывается поле смещения, величина которо го превышает значение поля коллапса (ис чезновения) доменов. Над поверхностью пленки устаноелен зонд, который представ ляет собой щуп с постоянным (ч1агнитом, вдоль поля которого приложено переменнов поле. Причем, полярность постоянно го поля щупа противоположна полярности поля смещения. Планка, в которой остался только один домен в районе зонда, перемещается только таким образом, что просматривается под микроскопом вся ее .поверхность. При наличии дефекта проио ходит изменение размера домена, что фиксируется выходным устройством. Таким образом, сосгавляетсз карта дефектов плен ки. Применение способа ограничено мат риалами с небольшим магнитным моментом. Кроме, того, он не чувствителен к дефектам с коэрцитивностью HC , меньшей амплитудь переменног( модулирующего по , ля зонда, которая обычно составляет величину порядка 10э, и не дает количественной информации о величине HC. Поэтому трудно использовать его при работе с малыми размерами ЦМД, KOTOf&te обь1чно имеют место в эп итак сна льных ферритгранатовых системах. Кроме того, наблюд|аюгся экспериментальные трудно сти всле ствие возможности размагеичиванин зонда Цель изобретения - повышение точности контроля магнитных неоднородностей. . Это достигается тем, что непоёредственно используют рабочий ЦМД путем измерения или фиксадии при помощи фотоэлектронного умножителя (ФЭУ) размера ЦМД при многократном (15-20 раз) изменение поля смещения около рабочего диаметра ЦМД. По этим измерениям определяют область изменения диаметра в зоне дефекта и по половинной разности максимальной и минимальной величин поля смещения при заданном рабочем диаметре ЦМД судят о коэрцитивности дефекта. Измерения согласно предлагаемому способу заключаются в следующем. Проводится первый этап, который состоит в ,составлении топографии пленки. Выявляют- ся ЦМД-«аоднородности, т.е. участки плен ки, которые то11Мозят продвижение доме нов и изменение их размеров. Шш этого после получения коллектива доменов вводит- Я переменное магнитное поле и при помощи оляризвдионного микроскопа последовательо просматривается вся пленка. В поле зрения микроскопа видны колеблющиеся и неподвижные, захваченные дефектами ЦМД, координаты которых фиксируются. С ростом переменного магнитного поля, когда величина последнего соответствует коэрцитивной силе дефекта, происходит отрыв ЦМД с меньшей HC. Домены, захваченные дефектами с больщей , остаютя неподвижными. Таким образом, составляется магнитооптическая топография пленки.. Второй этап заключается в измерении 1соэрцитивноёти локальных ЦМД неодн6род. ностей,. которое производится при помощи , захваченных дефектами. Для этого в поле зрения микроскопа оставляется только исследуемый домен и производится многократное изменение смещения ЦМД в области существования рабочего диаметра ЦМД. Измерения производятся фотоэлектро1{ным умножителем (ФЭУ) с записью показаний на -ленте самописца, по координате X,которой записывается поле смещения Н, а по у - диаметр cJ домена. Таким образом, получается зависиMocTbd ((Н)1меющая область разброса размеров доменов из-за наличия ,, которая противодействует измененшо размеров ЦМД. Величина максимальнохчэ противодействия соответствует коэрдитивнооти. Нс где дН - разность между максимальной и минимальной величиной поля сямещения при заданном рабочем диаметре ЦМД.. Преимущества способа заключаются в его простоте и возможности проведения измерения малых неоднородностей прямым методом с высокой точностью и чувсгвНтельностью за счет использования рабочего ЦМД непосредственно в зоне локйлглого дефекта. Точность оценки локальной ко- эрцитивности в ошовном определяется к)ч ностью измерения диаметра ЦМД. Предпагаемый способ применим для не однородности пленок широкого класса материалов. Формула изобретения Способ контроля неоднородностей тонких магнитных пленок с цилиндрическими магнитными доменами, основанный на создании поля смещения и определении коэр56

цитиБности локальных участков пленки,i мальвой величины поля смешения, по когоотличаюшийся тем, чго, с де« рой судят о коэрцвтивносги дефекта, лью повыгиениа точности контроля магнит-Источники информации, принятые во

ных неоднородностей, создают одиночньгйвнимание при экспертизе

цилиндрический домен, многократно воз- ; 1.FB. HogeJo rn , J. . РНус;., 41, действуют на него переменным магнитным р, 1161, 1970.

полем смещения и определяют величину по- 2. PVv. humaie , J. . Phy., 42, ЛОВИННОЙ разности максимальной и мини-р, 1274, 1971,

- 675451