мощности. Тензорезисторы подбирают с одинаковыми сопротивлениями (с малым разбросом сопротивлений), наклеивают на упругий элемент и включают в мостовую схему. В результате температуры нагрева тензорезисторов оказываются равными, с высокой точностью и изменяются синхронно с удвоенной частотой. При наличии разницы в температурных коэффициентах тензорезисторов на выходе мостовой схемы появляется вторая гармоника питающего синусоидального напряжения. Так как температурный коэффициент сопротивления тензорезисторов является нелинейной величиной, то, кроме второй гармоники, в выходном сигнале будут присутствовать и друг высшие гармоники синусоидального напряжения. Для того, чтобы форма напряжения питания не влияла на точночть оценки нестабильности характеристик тензорезисторов, величину нелинейных искажений напряжения питания вычитают из величины нелинейных искажений на выходе тензорезисторов.
Процесс измерения нестабильности характеристик тензорезисторов по
пр едлагаемому способу занимает несколько минут.
Формула изобретения
Способ оценки нестабильности характеристик тензорезисторов, заключающийся в том, что тензорезисторы устанавливают на упругий элемент, нагружают его, затем тензорезисторы подключают к переменному напряжению питания и по величине напряжения оценивают их нестабильность, отличающийся тем, что, с цепью сокращения времени оценки, величину напряжения питания устанавливают в зависимости от заданной температуры нагрева тензорезисторов, измеряют нелинейные искажения напряжения на выходе и входе тензорезисторов, по разности которых определяют величину нестабильности их характеристик .
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1.Испытательные приборы и стенды. И 3, 1974, с, 23-31,
2.Исследование температурных напряжений. М., Наука, 1972, с. 133-140.
