| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| АКТИВНОЕ ПОЛЕВОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЭЛЕКТРОННОЕ ИЛИ ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО С ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТЬЮ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТАКОГО УСТРОЙСТВА | 2009 |
|
RU2498461C2 |
| СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ПРИБОР ДЖОЗЕФСОНА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2012 |
|
RU2504049C2 |
| ЯЧЕЙКА МАТРИЦЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ | 2005 |
|
RU2302058C2 |
| КОММУТИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1978 |
|
SU719466A1 |
| ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ СО СТРУКТУРОЙ ПРОВОДЯЩИЙ СЛОЙ-ДИЭЛЕКТРИК-ПРОВОДЯЩИЙ СЛОЙ | 2007 |
|
RU2376677C2 |
| СПОСОБ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЦЕЛЛЮЛОЗНОГО НАТУРАЛЬНОГО, СИНТЕТИЧЕСКОГО ИЛИ СМЕШАННОГО МАТЕРИАЛА В КАЧЕСТВЕ ОДНОВРЕМЕННО НЕСУЩЕГО И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОСНОВАНИЯ В САМОСТОЯТЕЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВАХ С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ | 2009 |
|
RU2495516C2 |
| ЯЧЕЙКА МАТРИЦЫ ПАМЯТИ | 2004 |
|
RU2263373C1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПОЛЕВОЙ РЕГУЛЯТОР ТОКА | 2014 |
|
RU2574314C1 |
| ЯЧЕЙКА ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЙ ПАМЯТИ | 2010 |
|
RU2436190C1 |
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА | 1981 |
|
SU1012704A1 |
Нейристор, содержащий два проводящих электрода, между которыми размещен полупроводниковый слой с S-образной характеристикой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, между одним проводящим электродом и полупроводниковым слоем с S-образной характеристикой размещены дискретные участки полупроводника с электронным типом проводимости, а между другим проводящим электродом и полупроводниковым слоем - дискретные участки полупроводника с дырочным типом проводимости, которые совмещены с промежутками между дискретными участками полупроводника с электронным типом проводимости.
