Блок магнитных головок Советский патент 1980 года по МПК G11B5/28 

Полублок 1 имеет нижнее 6 и верхнее 7 основания, а полублок 2 - нижнее 8 и верхчее 9 основання. БМГ выполнен с направляющими элементами 10, 11, между котоь рыми движется магнитная лента.

Расстояние от каждого из оснований до ближайшего в этом же полублоке сердечника равны между собой, т. е. расстояние от основания 6.,до сердечника 3 в полублоке 1 р-азно .расстоянию от основания 7 до сердечника 4 этого же нолублока, расстоянию от основания 8 до сердечника 4 полублока 2 и расстоянию от основания 9 до сердечника 3 этого же полублока 2. В полублоке 1 сердечник 3 осуществляет запись информаЗДИ- на первую дорожку, сердечн-ик 4 - на третью дорожку, в полублоке 2 сердечник 4 осуществляет запись на вторую дорожку, а сердечник 3 - на четвертую дорожку. Такое расположение полублоков и сердечников позволяет повысить точность записи и воспроизведения информации на каждой дороЖке магннтной ленты.

Повышение точности записи позволяет уменьшить количество прогонов магнитной ленты, что уменьшает как износ рабочей поверхности БМГ, так и самой ленты.

Формула изобретения

Блок магнитных головок, содержащий два автономных полублока, каждый из которых выполнен с верхним и нижним основаНшямй И: с двумя сердечниргами, расположенными в первом полублоке на уровне вер вой и третьей: дорожек , а во втором - вга уронн-е второй и четвертой дорожек записи сигналотракйсы вга Магннтной ленте, отличающийся .тем, что-, с целью повышения ТОЧНОСТИ расяоложеЕия дорожек записи на магнитной, ленте Е уменьшения вероятности возникнев ния: ее поперечных колебаний, расстояния; между основанием и ближайшим к нему сердечником в обоих полублоках между собой , нижнее основание одного из полублоков и

верхнее основание другого полублока расположены на уровне соотнететвенно нижнего края сердечника первой дорож.ки и верхнего края сердечникачетвертой дорожки, а сам блок магнитных головок снабжен двумя направляющими движение магнитной ленты элементами, каждый из которых- установлен в углу, образованном основанием одного полублока и вертикальной стенкой другого иолублока.

Источники информа-ции,

принятые во внимание при экспертизе

1.Патент США № 3564520, кл. 340-174.1, 16.02.71.

2.Патент ПНР № 72226, кл. G 11В 5/14, 01.06.73 (прототип).

9г.

.

t-UZ-i

11

Фиг.2.