Способ дифракционной микрорентгенографии Советский патент 1980 года по МПК G01N23/20 

1

Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу и может быть применено для исследования структурных несовершенств монокристаллов.

Известен способ рентгеновской типографии высокого разрешения, согласно которому рентгеновский пучок сканируют по матрице тонких капилляров, коллимированный пучок проходкт через исследуемый монокристалл, установленный в отражающее положение, а дифрагированный пучок снова поопускается через аналогичную матрицу капилляров {1.

Недостатком этого способа является сложность аппаратурной реализации, а также ограничения на разрешение, определяемое диаметром капилляров.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ рентгеновской типографии, заключаюишйся в пропускании коллимированного монохроматического рентгеновского пучка через установленный в отражаюшее положение тонкий монокристалл и фотографической регистрации дифрагированного излучения 2.

Однако разрешающая способность такого способа недостаточна.

Цель изобретения заключается в том, чтобы повысить разрешание получаемой дифракционной картины.

Эта цель достигается тем, что по предложенному способу дифракционной микрорентгенографин, заключающемся в том, что на исследуемый монокристалл, установленный в отражающее положение, направляют коллимированный пучок монохроматического рентгеновского излучения и регистрируют дифрагированный пучок, последний дополнительно пропускают через установленный в отражаошее положение coBepiueffflb монокристалл, толщина которого выбрана из условия нормального прохождения рентгеновского излучения.

Сущность изобретения поясняют чертежом, на котором показана схема получения рентгеновской топограммы.

Сущность способа заключается в том, что пучок, содержащий рентгенотопографическую картину, полученную от тонкого исследуемого образца, пропускают через толстый идеальный

монокристалл в юложении отражспин. Иг-п этом происходит увеличение топотрпфнческл5й картины, причем толщина монокристалл; ii.;)jn;cиа быть в области нормшгьмою прохождсшя рентгеновского излучения.

Способ реализуют следующим oSjiaioM, Узкий рентгеновский пучок яадаст на ис:;ледуемый монокристалл 1. Лифрагяропаи1;ый riyчок 2, содержагций топографическую картину монокристалла 1, падает на толстый ндеальиын монокристалл 3 в положении отражения, а прошедший задер-живается зкранор 4. Снимок может получен яа фсто ътеньге 5 или 6.

В д.алном случае унеппчашо pamio on-oiHfsnn толщин толстого и то)5кого (исследзсмого) криста;и1ов. Например, прп толиПГ е толстого кристалла 0,7 см, а исследуемого кристалла 0,01 см увеличепю равно 70.

Ф о р М у л а :J ) i р . ;; ; : . Способ ДЛафаКШЮШЮЙ MJiKpOp; г; ::::;} piiipH

заключающийся в том. что на псслецуслтьи; монокристалл, установлегнь.й в отражающее поло ;се:1-П1е, иаггравляют коллимированнын iryюк монохроматического рентгеновского излучения ;-i репгстрируют )рагированньт ггучок о т л м ч а ю 1ц и и с я тем, ,то, с иелью иовьидепия разреаения, дифра ированный пучок дополнительно пропускают че|)ез )в.ме1ГН Й 3 отражающее по.г/ожение соверлиениг.тн монокристалл, толщюш которого из условия нормального iipoxo KjieMMH рентгеновcKOio излучения.

1 сточ1п-гки миЬормаиии, принятые во впимчпие дг-и экспертизе L IhneHTCiiSA N :;4338U). 150-273, онубли ::. 197,

„.4