Высокочастотный источник ионов тугоплавких металлов Советский патент 1983 года по МПК H01J3/04 

Описание патента на изобретение SU723970A1

У////////////М

Похожие патенты SU723970A1

название год авторы номер документа
Высокочастотный источник ионов 1981
  • Дьячков Борис Александрович
  • Казанцев Георгий Васильевич
  • Павлов Владимир Яковлевич
  • Васильева Людмила Семеновна
  • Агафонова Валентина Анатольевна
SU1144160A2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ 2006
  • Чайрев Виктор Иванович
  • Чой Джун Мьен
RU2311492C1
Газоразрядное распылительное устройство на основе планарного магнетрона с ионным источником 2020
  • Семенов Александр Петрович
  • Семенова Ирина Александровна
  • Цыренов Дмитрий Бадма-Доржиевич
  • Николаев Эрдэм Олегович
RU2752334C1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ НА ИЗДЕЛИЯ МЕТОДОМ ИОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1992
  • Волин Э.М.
RU2037559C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 2022
  • Сорокин Иван Александрович
  • Колодко Добрыня Вячеславич
  • Степанова Татьяна Владимировна
RU2797582C1
ИМПУЛЬСНЫЙ УСКОРИТЕЛЬ ИОНОВ МЕТАЛЛОВ 1987
  • Носков Д.А.
  • Орликов Л.Н.
  • Толопа А.М.
  • Шангин А.С.
  • Шейко К.В.
SU1544164A1
МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО 2018
  • Коверзнев Максим Петрович
  • Карпов Дмитрий Николаевич
  • Азаров Иван Алексеевич
RU2747487C2
ПЛАЗМЕННЫЙ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК 1998
  • Сихарулидзе Г.Г.
  • Лежнев А.Е.
RU2147387C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЙ АЛМАЗОПОДОБНОГО УГЛЕРОДА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2013
  • Семенов Александр Петрович
  • Семенова Ирина Александровна
RU2567770C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРОЧНЯЮЩЕЙ ПОВЕРХНОСТНОЙ ОБРАБОТКИ 1992
  • Григорьев С.Н.
RU2037561C1

Реферат патента 1983 года Высокочастотный источник ионов тугоплавких металлов

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ИСТОЧНИК ИОНОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ,' содержащий диэлектрическую копбу, охватывающий ее иидуктор, ионно-оптическуюсистему, образованную анодом и катодом со сквозным каналом, систему напуска ппазмообразующего газа и распыляемый . эпектрод, от пичающийся тем, что, с цепью повышения ресурса источника и плотности тока пучка, в колбе ио- точника со стороны, противоположной ионно-оптической системе, установлены дополнительный катод в охватываюший е'го дополнительный анод, при этом дополН1н- тельный -катод содержит полость, в которой располох<ен распыляемый электрод.

SU 723 970 A1

Авторы

Дьячков Б.А.

Казанцев Г.В.

Даты

1983-10-23Публикация

1978-09-04Подача