Способ маркирования участка поверхности полупроводникового кристалла,соответствующего объемному микродефекту Советский патент 1980 года по МПК H01L21/263 

щим единичный объемный микродефект, вследствие возможного его вытравливания можно гйэлностью потерять исследуемую область на стадии ее выявления. Недостатком этого устройства является также ограниченность его применения. Это обусловлено тем, что описываемый травитель дает эффект только на Si на плоскости (III) для определенных дефектов кластерного типа, а для других полупроводниковых материалов селективный травитель, обеспеЧивающий формирование холмиков травления над дефектами, должен подбираться в каждом конкретном случае с учетом природы исследуемого материала, типа дефектов и кристаллографической ориентации поверхности кристалла. Необходимо также бтметить, что поверхностные загрязнения в процессе химического травления Moryt вызывать аналогичный по профилю рельеф, что затрудняет визуализацию исследуемых дефектов. Известен способ маркирования (определения) участка поверхности полупроводникового кристалла, соответствующего объемному дефекту, включающий обнаружение объемных дефектов в растровом электронном микроскопе, регистрацию этих дефектов (например, фотографирование В РЭМ), химическое травление объекта и установление соответствия выявленного на поверхности кристалла рельефа расположению объемных дефектов 2. В данном способе в РЭМ в режиме катодолюминесЦенции наблюдают,контраст «темных, пятен в объеме эпитаксиального слоя фосфида галлия; фотографирук)т э РЭМ картину их распределения в исследуемом участке объекта, затем химически травят объект в кипящем водном растворе КОН (120 г/л) и КзРе(СЫ) s (80 г/л) до появления ямок травления, возникающих в местах пересечения дислокаций с поверхностью кристалла, и визуально устанавливают соответствие между «темными пятнами (объемными дефектами) и рельефом фигур травления по соответствующим картинам распределения «темных пятен и фигур травления на исследуемом участке объекта. Таким образом можно выделить на поверхности кристалла локальный участок, соответствующий расположенному в объеме дефекту, который в дальнейщем будет йсслёДоватЬся. Однако этот способ имеет следующие недостатки. Рельеф на поверхности кристалла, соответствующий объемному дефекту, возникает только при воздействии на него травителя. Это пригодно только для маркирования дислокаций, пересекающих поверхность кристалла. В. случае дислокаций, параллельных поверхности кристалла, или локальных объемных областей с химической неоднородностью получение соответствующего им рельефа на поверхности исключается. В другом случае, если рельеф на дефектах выявляется, эти дефекты разрущаются травителем или полностью вытравливаются, что исключает возможность дальнейщего их исследования. Применение способа ограничено необходимостью подбора химического травителя, пригодного в каждом конкретном случае для данного материала и типа содержащихся в нем дефектов, что является очень сложной самостоятельной задачей. Способ отличается трудностью визуального установления соответствия между сложными картинами распределения «темных пятен и выявленных на дефектах ямок травления, а также невозможностью выделения специфическим .рельефом одного локального участка из всех отмаркированных участков того же типа. Цель изобретения - обеспечение универсальности способа и защиты микродефекта от воздействия на него при маркировке. Цель достигается тем, что по предлагаемому способу экспонируют электронным пучком участок поверхности кристалла над обнаруженным микродефектом, а затем проводят травление. Экспонирование электронным пучком участка поверхности кристалла проводят при токе электронного пучка 10 А, вакууме 5 -10 торр и продолжительности 1 -1000 с. Травление кристаллов после экспонирования проводят в известном для каждого материала полиРующем травителе., При экспонировании электронным пучком поверхности кристалла в точке пересечения ее с электронным пучком осаждаетря углеводородная пленка, которая при достижении ТОЛ1ДЙНЫ несколько сотен ангстрем проявляет пассивирующее действие. Повыщение тока электронного пучка выще 10 А недопустимо, так как приводит к локальному чрезмерному разогреву и плавлению образца. Применение токов менее 10 А в указанных условиях вакуума нецелесообразно, так как приводит к значительному увеличению продолжительности экспозиции и снизит производительность способа. В вакууме выще 5 углеводородная пленка под действием электронного пучка на поверхности образца не образуется, а при вакууме хуже 5 -10 торр нарущается нормальная работа электронного микроскопа. Продолжительность экспозиции зависит от тока электронного пучка и применяемого вакуума и выбирается из условия, что за это время углеводородная пленка достигает толщины, достаточной для пассивации поверхности кристалла от действия полирующего травителя. Минимальное время экспозиции соответствует заданному времени одной кадровой развертки электронного пучка в РЭМ. Увеличение продолжительности экспозиции свыще 1000 с нецелесообразно, так как не приводит к качественному улучщению ко-,