Изобретение относится к стекольно npONbmineHHocTH, а именно, к составам полупроводниковых стекол. Оно может быть применено в электронике - в запоминающих устройствах. Известно стекло для переключающего устройства, содержащее, вес.%: V2O5-35-55, V02:-15-20, CaO-iO-16, ,-12-30, SrO-0,1-1,0 1. Оно характеризуется низкой температурой размягчения и оно не переходит в устойчивое состояние память Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является стекло, вк.гпочающее SiO., МпО, Al., КгО RO (MgO, CaO,BaO,CdO, CrO,ZnO,PbO) в следующих количествах, вес.% SlO -1-50, MnO-5-60, А120з-1-25, R,0 - 0,5-45, 2,5-70, RO 0,5-39, - 0,1-10 2. Указанное стекло не обеспечивает необходимой химической устойчивости Целью изобретения является обеспе чение химической стойкости. Это достигается тем, что известное стекло, включающее , СаО, SrO, SiOg, , MnO, дополнительно содержит МПдОд при следующем соотношении компонентов, вес.%: Температура варки стекла 12501400°С, продолжительность варки 1-Зч, после варки стекло следует подвергать обжигупри 300-500 0 в течение 2-8 ч с выдержкой при максимальной температуре 0,15-0,5 ч. Многовалентность состава и введение окислов кремния и алюминия способствуют улучшению кристаллизационных свойств стекла в пределах необходимой стабильности, повышению температуры плавления, улучшению химической стойкости и механической прочности. Окислы марганца в указанном количестве и соотношении обусловливают создание свойств перехода в состояние память , уменьшение времени стеклообразования и вязкости. Стекло хорошо обрабатываетсяпутем нагрева, дает возможность получения бусинок (С0- 400 мкм и менее) пластинок и пленок различных размеров, xopcuio смачивает никелевые, вольфрамовые, константановые электроды и характеризуется хорошей воспроизводимостью соответствующих свойств. Изменение сопротивления составляет 10 ом для бусинкового .элемента. Обратный переход в высоко ное состояние происходит в основном с помощью подачи электрического импульса.,. Пример Стекло, содержat ee вec.%: г 3 о варится при 1350 С в течение температура обжига 460°С в течение 5 На бусинковом элементе с рас стоянием между никелевыми электродами 100 мкм СцЭлектрическим сопротивлением ом при пороговом напряжении 150 В происходит, переход элемента в устойчивое состояние память. Изменение сопротивления при этом составляет 10 ом. При подаче электрического импульса тока с амплитудой 150 мм происходит восста новление первоначсшьного состояния. Пленочный элемент с никелевыми электродами с толщиной стекла 5 мкм переключается за время 10 сек при напряжении 30 В с изменением сопротивления порядка 10 ом. Монолитный образец не кристаллизуется при за. время 10 и более часов, но за 0,2-0,3 ч кристаллизуется при . Химическая стойкость относительно к воде - 1 гидравлический класс. П .р и м е р 2. Стекло, содержащее, вес.%: 1 25 ваЪитсяпри , продолжительност варки 2 ч, температура обжига 320 С с продолжительностью 2,5 ч. На моно литном элементе с никелевыми электро дами ( с расстоянием между ними поря ка 100 мкм) с сопротивлением 10 ом при напряжении 140 В происходит пере ход элемента в низкоомное устойчивое состояние: изменение сопротивления как и в случае пленочного элемента, составляет . Обратный переход высокоомное состояние с изменением напряжения не происходит, для этого .требуется подача электрического имп са тока с амплитудой 100-150 ма. Химическая стойкость - 1 гидрав/ ический класс. Кристгшлизационная активность: при - на поверхности образует кристаллическую пленку; при более высоких температурах кpиcтaллизyeтся объемно. Пример Стекло, содержащее, вес.%: ВгОз30 СаО20 SrO2 Мп,,015 МпО23 AlgOgд4 варится при 1350 С за 2,5 ч, обжиг при 450°С. Переключение .элемента с расстоянием между никелевыми электродами порядка 100 мкм происходит пТри 120 В, Изменения сопротивления порядка 0,5-10 ом. Стекло относится к 1 гидравлическому классу при 360 градусах, за 2 ч не кристалийуется, объемно кристаллизуется при 620°С. Переход из устойчивого низкоомного состояния в высокоомное существляется импульсом тока с амплитудой 150-180 Ма. Пример 4. Стекло, содержащее, вес.%: ВдОз30 СаО17 SrO3 MngOg . 18 MnO : 20 SiO г9 А120з3 варится при 1380 С за время 2,7 ч, обжиг при . Переход в состояние память элемента на основе данного стекла с никелевыми электродами (с расстоянием между ними порядка 10 мкм) происходит при напряжении 160 В. Восстановление высокоомного состояния происходит с помощью электрического импульса тока 100-150 Ма, 1 тидравлический класс. Пленка из данного стекла не разрьтиается при изменениях температуры в пределах 60-120с. Формула изобретения Стекло i включающее ., СаО, SrO, S±O, , МпО, отличающееся тем, что, с целью обеспечения химической стойкости,оно дополнительно содержит MngOj при следующем соотношении компонентов, вес,%: В.Од20-30 СаО15-25 SrO1-3 SiOi5-15 Alf Og1-5 MnO15-25 Мп,0 15-20 . Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свилетельство СССР 529726, кл.:с 03 С 3/14, 1975. 2. ABTOpcf(oe свидетельство СССР 471315, .кл.С 03 С 3/04, 1973 (прототид).
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Стекло | 1979 |
|
SU808398A1 |
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СТЕКЛОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 2009 |
|
RU2410358C1 |
Способ получения жаростойкого стеклокерамического покрытия | 2018 |
|
RU2679774C1 |
Стекло | 1979 |
|
SU808394A1 |
Стекло | 1978 |
|
SU767040A1 |
Стекло для спаивания с металлами | 1982 |
|
SU1152938A1 |
Эмаль | 1979 |
|
SU833613A1 |
Стекло | 1990 |
|
SU1761701A1 |
Способ металлизации неорганического диэлектрика | 1975 |
|
SU617444A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОПОРИСТОГО ЯЧЕИСТОГО СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | 2007 |
|
RU2352544C1 |
Авторы
Даты
1980-04-25—Публикация
1977-03-01—Подача