Полупроводниковый датчик давления Советский патент 1980 года по МПК G01L9/04 

Описание патента на изобретение SU741076A1

1

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения давления.

Из:вестны датчики давления, содержащие в качестве упругого элемента консоль равного сопротивления со сквозным отверстием прямоугольной формы. На консоли закреплены тензорезисторы i.

Известны датчики давления, содер жап(ие упругий элемент в виде консоли из полупроводникового материала с тензорезисторами, расположенными над концентраторами напряжений, выполненными в виде рисок 2.

Недостаток этого датчика - недоста точная чувствительность к измеряемому давлению.

Целью изобретения яаляется повышение чувствительности датчика.

Указанная цель достигается тем, что в полупроводниковом датчике давления, содержащем корпус с размещенны ми в нем мембраной, концентратором и тензочувствительным узлом, расположенными по разные стороны основания консольного упругого элемента, упругий элемент, расположенный в плоскости, параллельной плоскости заделки мембраны, выполнен в виде, по меньшей

мере, двух консолей, каждая из которых содержит концентратор, в виде риски, вершина которой направлена к тензометрическому узлу.

На фиг. 1 показано внутреннее устройство полупроводникового датчика давления, состоящего из корпуса 1, упругой металлической мембраны 2, соединенной с корпусом посредством сварки по периметру, прижимного кольца 3, электрических выводов 4, проведенных через корпус датчика при помощи стеклоизоляторов 5. Датчик герметизирует::я при помощи крышки 6, соединенной г корпусом-посредством сварки по периметру. Электрические выводы 4, посредством сварки соединяются золотой проволокой 7 с тензочувствительными узлами 8.

В корпусе крепится упругий элемент 9 с клиновидными концентраторами 10.

Полупроводниковый датчик давления, снабженный для удобства крепления резьбой 11, показан на фиг. 2. В корпусе 1 клеем 12 крепятся упругий элемент и прижимное кольцо. В корпусе выполнены . отверстия 13, которые в процессе сборки закрываются кольцом 14, соединенным с корпусом сваркой по периметру.

Упругий элемент 9 (фиг. 3) сформирован из кремниевой пластины п - типа селективным травлением с диаметрально расположенными консолями 15 и внутренними вырезами 16, на консолях с одной стороны размещены концентратор 10, а с противоположной (фиг. 4) - тензочувствительные узлы (диоды Шоттки) 8 с токоведущими дорожками 17 и контактными площадками 18.

Полупроводниковый датчик давления работает следующим образом.

Давление с упругой мембраны 2 посредством жесткой вершины передается на свободные конхда консолей 15. При этом в области концентраторов 10 возникают механические напряжения где F - сила, действукщая на свобод

ные концы консолей; Р - длина консолей, h - толщина консолей в месте концентраторов..

Так как длина консолей Е на несколько порядков превышает толщину h консолей в месте концентраторов, то даже очень малые давления на мембрану вызывают значительные механические напряжения в области концентраторов и соответственно в области тензочувствительных узлов (диодов Шоттки), которые преобразуют эти механические напряжения в электрический сигнал, пропорциональный внешнему давлению, действующему на мембрану.

Увеличение глубины концентраторов уменьшает толщину консолей в области тензочувствительных узлов (диодов

/

Шоттки) и тем самым без изменения конструкции упругого элемента и топологии размещения тензочувствительных узлов и прочего позволяет достичь сколько угодно больших механических напряжений, что, в свою очередь, увеличивает чувствительность датчика.

Предложенный датчик может найти широкое применение в области измерения малых давлений жидкостей и газов, а также в качестве измерительного преобразователя расходов.

Формула изобретения

Полупроводниковый датчик давления, 5 содержащий корпус с размещенными в нем мембраной, концентратором напряжений и тензочувствительным узлом, расположенными по разные стороны основания консального упругого элемен0 та, отличающийся тем,

что, с целью повышения чувствительности упругий элемент, расположен в плоскости, параллельной плоскости за. делки мембраны, и выполнен в виде, по меньшей мере, двух консолей, взаимодействующих с центром мембраны, каждая из которых содержит концентратор в виде риски, вершина которой направлена к тензометрическому узлу.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР

W 395737, кл. G 01 L 9/04, 1971. .

2.Патент США № 3327525, кл. 73-88,5, 1964 (прототип). Ж,,-,™,. N ir7y/ /X/X y /

Похожие патенты SU741076A1

название год авторы номер документа
МУЛЬТИПЛИКАТИВНЫЙ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2003
  • Криворотов Н.П.
  • Изаак Т.И.
  • Свинолупов Ю.Г.
  • Ромась Л.М.
  • Иванов Е.В.
  • Бычков В.В.
RU2247342C1
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 2007
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Блинов Александр Вячеславович
  • Козин Сергей Алексеевич
  • Белозубова Нина Евгеньевна
RU2344389C1
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДАВЛЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ 2015
  • Харин Денис Александрович
  • Разинов Дмитрий Вячеславович
RU2606550C1
Интегральный полупроводниковый датчик давления 1991
  • Зеленцов Юрий Аркадьевич
  • Ульянов Владислав Викторович
SU1812455A1
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 1999
  • Семенченко А.И.
  • Байков А.В.
  • Потапов А.Г.
RU2168710C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ 2004
  • Лучко Виктор Егорович
  • Юровский Альберт Яковлевич
  • Сычугов Евгений Михайлович
  • Клитеник Олег Вадимович
RU2316743C2
Мембранный блок датчика давления 1988
  • Михайлов Петр Григорьевич
  • Буланов Владимир Иванович
SU1527525A1
Интегральный тензопреобразователь 1982
  • Сафонов Владимир Александрович
  • Полтавченко Вячеслав Николаевич
SU1052848A1
Способ и устройство тензоэлектрического преобразования 2017
  • Спирин Андрей Евгеньевич
  • Крылов Анатолий Иванович
  • Бурдин Борис Васильевич
  • Сосюрка Юрий Борисович
  • Спирин Евгений Анатольевич
RU2661456C1
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 2001
  • Бонцаенко В.Е.
  • Виговская Т.В.
  • Кокин Е.П.
  • Смирнов А.А.
  • Сурин Ю.В.
RU2186438C1

Иллюстрации к изобретению SU 741 076 A1

Реферат патента 1980 года Полупроводниковый датчик давления

Формула изобретения SU 741 076 A1

SU 741 076 A1

Авторы

Моисеенко Анатолий Прокопьевич

Магден Игорь Никитович

Желудков Александр Владимирович

Даты

1980-06-15Публикация

1978-07-31Подача