Вторичноэлектронный эмиттер, работающийНА пРОСТРЕл Советский патент 1981 года по МПК H01J1/32 

Изобретение относится к элементам конструкции вакуумных приборов вторично-электронным эмиттерам, а бо лее конкретно к вторично-электронным эмиттерам, работающим на прострел. Известны вторично-электронные эмиттеры, работающие на прострел, которые состоят иЗрОпорного слоя окиси алюминия толщиной 600-1000 А или в виде мелкоконструкторной на который нанесен тонкий (200 А) проводящий слой, изготовленный всегд из металла, обычно алюминия, и слой эффективного эмиттера, например КС1 или K2CsSb l. Известен также эмиттер, в котором опорный слой выполнен в виде мелкоструктурной металлической сетки р На опорный слой нанесен тонкий проводящий слой алюминия. Слоем эффект ного эмиттера является CsCI 2. Такие эмиттеры со слоем CsCi дают JMOWT 13 при ,c 3,5 КЭБ и б 1 при tp 1 кэв. Несмотря на то, что в эмиттерах опорным слоем на мелкоструктурной сетки рабочие напряжения снижены почти в два раза по сравнению с дру гими, такие эмиттеры практически не Нс1шли применения в -рибор.эх. Недостатком этих эмиттеров являются низкие значения (У при малых значениях Ер ( 1 кэв) из-за потери энергии и самих первичных электронов в проводящем слое.Цель изобретения - снижение ускоряющего напряжения Ер, т.е. существенное увеличение (j при малых Ер ( 1 КЭБ) . Для этого в предлагаемом устройстве проводящий слой выполнен из элемента периодической системы с атомным номером,меньшим, чем у алюминия,и не образующего окисла при работе эмиттера, например из тонкого слоя углерода. Такой проводящий слой обладает малым коэффициентом неупругого рассеяния электронов (примерно в два раза меньшим, чём у алюминия), что способствует увеличению коэффициента вторичной эмиссии на прострел. Кроме того, на таком слое не образуется окисел при рабочих температурах эмиттера, в то время как алюминий даже при комнатной температуре образует устойчивую пленку окисла (ди. электрик) , что ухудшает проводящие свойства слоя и ограничивает возможность уменьшения его толщины. Это

,

,.4 - 7 5ш.,:

- i.

обеспечивает большую, чем уалкми-анХ проницаемость и меньшие потери энергии первичными электронамн в проводящем слое. Углеродная пленка изготовляется распылением углерода в вакууме и наносится на мелкоструктурную опорную сетку, методом флотации. Затем на нее наносят слой эффективного эмиттера, например, из щелочногалоидного соединения или и лр.

Экспериментальные образцы предлагаемых эмиттеров, изготовленные на мелкоструктурных сетках проницаемостью 80% с проводящим слоем кз углерода толщиной й- 50 Аи с эмиттирующим слоем из CsCl, дают с хорошей воспроизводимостью ( при 2,5 кэв) весьма высокую эффективность (. 9 при Ер 1 кэв, существенно превьппающую эффективност всех известных эмиттеров при таких низких Ер, что обеспечивается указанными выше свойствами углеродистого

слоя.

Формула изобретения 1. Вторично-электронный эмиттер, работающий на прострел, содержащий

.« . гИ5

4

опбрный слой из мелкоструктурной сетки, проводящий слой и слой эмиттирующего вещества, отличающийся тем, что, с цельЕО снижения ускоряющего напряжения, проводящий слой выпол - еи из элемента периодической cHCTetvttj с атомным номером, MeHbijJHM, чем у а;1юми -:ия, и но образующе О окисла при ря.гтотс эмиттера .

2. Эмиттер по п. 1 , о т л и ч г ю и и с я тем,, что проводяший слой выполнен из углерода.

1.Афонина Л.Ф. и др. Зт электронная эмиссия сурьмян цезиевых слоев, Электронная

техника сер. , 1973, в. 9, с. 126

2.Яснопольский Н.Л. и

СабельниИсследованке втор1;чноЛ кова Л.Э.

основе и1елочкоэмиссии эмиттеров на

Р ci. д и е X и и к а галоидЬЫх соедини НИИ и электроника, 1976, т. XX;, i:f 12, с. 2574 (npoTOT in).