Изобретение относится к конструктивному выполнению вторично-электронных пленочных эмиттеров, в частности, к конструктивному выполнению эмиттеров, работающих на прострел.
Известны диноды прострельного типа, обладающие вторичной электронной эмиссией, не зависящей от электрического поля, которые содержат тонкие плотные слои диэлектриков, например КС1, MgO, расположенные на тонкой поддерживающей пленке, причем, пленка может быть укреплена на мелкострукторной сетке.
Недостаток известных динодов прострельного типа состоит в том, что они обладают относительно низкими значениями коэффициента вторичио-электронной эмиссии при достаточно высоких энергиях первичных электронов (р 4-бкэе).
Отличие предлагаемого динода состоит в том, что слой, эмиттирующий электроны, выполнен из соединения сурьмы с щелочными элементами, количество которых не менее двух.
На чертеже изображен динод прострельного типа предложенной конструкции.
Динод содержит мелкоструктурную сетку 1, расположенную на сетке алюминиевую пленку 2, фоточувствительный слой 3.
В одном из вариантов эмиттер изготавливается следующим образом.
Слой сурьмы напыляют на тонкую алюминиевую пленку 2, поддерживаемую мелкоструктурной сеткой }. Прозрачность алюминиевых подложек составляет примерно 80-85%. Слой сурьмы напыляют до потери прозрачности на 30-35%. Обработку слоя в парах
щелочных металлов проводят в режимах, обычных для изготовления фотокатодов KzCsSb, до получения максимального фототока. Возможны другие варианты выполнения подложки и разная толщина напыленных
слоев.
Проведенные исследования сурьмяно-калиево-цезистых слоев показывают, что такой эмиттер обладает наиболее высокими из известных до сих пор в литературе значениями
а при небольших Ер (при 1,5 кэв и выще).
ния, также диноды, содержащие слои других сложных соединений сурьмы с двумя или более щелочными металлами.
Предмет изобретения
Динод прострельного типа, содержащий подложку и слой, эмиттирующий электроны.
отличающийся тем, что, с целью повыщения коэффициента вторичной электронной эмиссии и снижения зависимости его от величины приложенного электрического поля, слой, эмиттирующий электроны, выполнен из соединения сурьмы с щелочными элементами, количество которых не менее двух.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Вторично-электронный эмиттер | 1980 |
|
SU900341A1 |
Вторичноэлектронный эмиттер, работающийНА пРОСТРЕл | 1977 |
|
SU743469A1 |
ЭМИТТЕР ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ | 1999 |
|
RU2143766C1 |
Катод со взрывной эмиссией | 1981 |
|
SU976804A1 |
Способ изготовления фотоэлектронного прибора | 1977 |
|
SU669426A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭМИТТЕРА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ | 1973 |
|
SU368669A1 |
КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ЭКРАН И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1999 |
|
RU2152662C1 |
ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ С НАНОАЛМАЗНЫМ СЛОЕМ | 2011 |
|
RU2584693C2 |
Детектор заряженных частиц | 1982 |
|
SU1050382A1 |
ПЛОСКОЕ АВТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ | 1999 |
|
RU2178598C2 |
Авторы
Даты
1972-01-01—Публикация