Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины Советский патент 1980 года по МПК B04B5/00 B05B5/08 

Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий с помощью центро. бежной силы и может быть использовано, в частности для наиесения -светочувствятельного слоя (фоторезиста) на полупроводниковые пластины при химической фотогравировке.

Известна центрифуга для нанесення пленки фоторезиста на полупроводниковые пластины, содержащая сборник фоторезиста, установленную внутри него вращающуюся онравку для вакуумнопо закрепления пластины с каналом для подвода вакуума и электропривод 1. Эта центрифуга наиболее близка к изобретению по технической сущности Н достигаемому результату.

Ее недостатком является низкое качество наносимой пленки фоторезиста, обуслов. леиное нопаданием на обрабатываемую нластнну канель фоторезиста, отраженных от стенок сборника фоторезиста. Сбрасываемые с новерхности обрабатываемой пластины под действием центробежных сил излишки фоторезиста в виде мелких частиц с большой скоростью ударяются о стенки сборника фоторезиста и, отражаясь от них, поиа.чают скова на обрабатываемую пластииу. При этом более крупиые частицы фоторезиста оседают на обрабатываемой пластмпе в виде капель и паругаают однородность наносимого покрытия, а более мелкие частицы, разбцваясь о стенки сборника фоторезиста, образуют «туман в зоне обработки и за счет подсоса воздуха между пластиной и оправкой при вакуумном за, креплении иластины на оправке оседают как на обратной стороне пластины, та.к и iia оправке и приводят к загрязнению обратной стороны пластины.

10

Цель изобретения - устранение указанного недостатка, а именно улучшение качества покрытия за счет исключения попадания на пластину отраженных от стенок сборника фоторезиста капель.

15

Поставленная цель достигается тем. что в сборнике фоторезиста ко1Нце}1Т рич;1о олравке уетановлен экран, выполненный в ви де гофрированной сетки.

На фиг. 1 ехематично изображена пред

20 лагаемая центрифуга для на11ссен ия искр;Т1 я на пластины, разрез; на фиг. 2 - тг; же, вид сверху.

Центрифуга для нанесения фоторезист; isa пластины содержит сборник 1 фоторс 25 зиста со щтуцером 2 для отвода излишко ; фоторезиста, вращающуюся оправку 3 дл; вакуумного закрепления обрабатываемое пластины -/ с капа лом 5 для иодпода вг.хуул а ;; злектроприпод 6. В сборнике / фото

30 рсзиста концситрпчно оправке 3 устаповлеч

/сольцевой экран 7, выполненный в виде гоф ;)йроБанной сетки, закрепленной при помочи Кольца 8. Вращающаяся оправка 3 установлена в подщипкиках 9, укрепленных в корпусе (на чертежах не показан).

Центрифуга работаетСледующим образом.

Пластину 4 у1к; адывают на поднятую в гфайнее верхнее положение оправку 3 н :одключают канал 5 к вакуумной сети. Платпна 4 фиксируется на оправке 3, после ;его опргвка 3 опускается в крайнее инж.:ее гэложение. Затем на пластину 4 нано. ят у озу (}оторез; 1ста в виде капли и вклю:aiOT злек.ролризод 6. Под действие:.; цеи робожных сил, возникающих при враще мни справки 3 с больщой скоростью, фоторезист растекается на новерхпости плаетить. Сбрасываемые с поверхности обрабатываемой пластины под действием центробеж. :пт1х сил излишки фотопез1иста поглощаются -краном 7. Так как экран 7 ввшолнен из Офоиропйниой сстжи, то частицы фотор;шста при прохождении через отве15стия :етки теряют скорость и оседгпот на стеи ах сборника / фоторезиста, откуда отводятся через штуцер 2 в специальную см. :ость (на чертежах не показано). Если отлерстия сетки в месте попадания частицы :|)оторезпста окажутся засоренными, то отраженные частицы поглощаются соседним офриров-апным участком сетки, так как траKTopnii полета сбрасываемых с иластииы астиц фоторезиста рлсполагакггся по касаельиой к Ц11липдрической поверхности сборника / фоторезиста. По истечении ои;;еделенного времени электропривод 6 от.слючается, оправка 3 отключаетея от ва.

куумной сети и пластина 4 передается на следующую операцию. Цикл повторяется. По мере засорения отверстий в сетке кольи.евого экрана 7 фоторезистом, он вместе с 1.:о.ьцсм 8 извлекается из еборника / фот;);;ез;;ста и промывается.

предлагаемая конструкция центрифуги лля иаиесепия фоторезиста на пластины полиостью исключает попадание на обраба.

т1Л 5асм ю пластпну отраженных от стенок сб(-;тиика фоторезиста капель, в то время как ;|ри нанесении фоторезиета па центрифуге, принятой за прототип, до 10% пластин уходят в брак вс;1здствие попадания на

пх iioiicpxHOCTb отраженных капель фоторезиста. За счет исключения брака но этой при- ипе при годовой программе 3 000 000 Г1ластин экономия от использоваиия одной преллагаемой составят около

КОС )ур. в год.

Фо р м у л а изобретения

Центрифуга для нанесения фоторезиета :;;; гластины, содержащая сборник фото 1сзиста, установленную внутри иего вра1иаюи1уюся оправку для закреплепия пластины с каналом для подвода вакуума и привод, отличающаяся тем, что, с целью у;1учшеиия качества покрытия, в сборнике фоторезиста концентричпо оправке установлен .г.кран, выполненный в виде гофрированной сетки.

Псточннк информации, принятый во внимание при экспертизе:

СССР

1. Авторское свйдетльство NO 358019, кл. В 04 В 5/00, 1970.