(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА НА ПЛАСТИНЫ
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Центрифуга для нанесения фоторезис-TA HA плАСТиНы | 1979 |
|
SU850220A1 |
| Центрифуга для нанесения фоторезиста на подложку | 1981 |
|
SU973171A1 |
| Устройство для нанесения фоторезиста на пластины | 1975 |
|
SU555917A1 |
| Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины | 1982 |
|
SU1025456A1 |
| Устройство для нанесения фоторезиста на пластины | 1977 |
|
SU665951A1 |
| Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины | 1982 |
|
SU1127636A1 |
| Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины | 1978 |
|
SU751439A1 |
| Устройство для нанесения покрытия на подложки | 1978 |
|
SU790376A1 |
| Способ формирования защитного покрытия и устройство для его осуществления | 1980 |
|
SU917366A1 |
| Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины | 1983 |
|
SU1113180A1 |
Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий посредством центробежной силы и может быть использовано, в частности, для нанесения светочувствительного слоя на полупроводниковые пластины и фотошаблоны при химической фотогравировке.
Известна центрифуга для нанесения светочувствительного слоя на пластины, содержащая вертикально установленный барабан с держателем для закрепления пластины 1.
Недостзгком этого устройства является низкое качество покрытия.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является устройство для нанесения фоторезиста на пластины, содержащее корпус и сборник фоторезиста с установленной внутри него приводной оправкой с держателями для закрепления пластины 2.
Однако такое устройство не обеспечивает нанесения на пластины равномерной по толщине и без разрывов («проколов) пленки фоторезиста малой толщины (0,2- 0,7 мкм и менее). Это объясняется тем, что в процессе образования пленки на фоторезист наряду с центробежными силами действуют силы сопротивления встречного потока окружающей среды (воздуха или очищенного азота), причем абссшютная величина этих сил сопротивления увеличивается от центра к периферии пластины, так как линейная скорость движения частичек фоторезиста увеличивается от центра к краям пластины. Вследствие этого происходят разрывы пленки фоторезиста, а это ведет к браку на последующих операциях при изготовлении микросхем с субмикронными размерами элементов топологии.
Цель изобретения - повыщение качества, наносимой пленки фоторезиста.
Это достигается тем, что устройство снаб жено вакуумной камерой, при этом сборНИК фоторезиста с приводной оправкой установлен в упомянутой камере.
На чертеже изображено предлагаемое устройство для нанесения фоторезиста на пластины в разрезе.
Устройство содержит корпус 1 и сборник 2 фоторезиста с установленной внутри него приводной оправкой 3. расположенной в подшипниках 4, с держателями 5 для закрепления пластины 6. Привод 7 служит для вращения оправки 3. Устройство снаб
