(54) СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ | 2000 |
|
RU2195047C2 |
| СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА | 1989 |
|
SU1653442A1 |
| СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА | 1990 |
|
SU1734487A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | 2013 |
|
RU2526066C1 |
| СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ | 1996 |
|
RU2096935C1 |
| Способ электрохимического локального осаждения пленок пермаллоя NiFe для интегральных микросистем | 2015 |
|
RU2623536C2 |
| ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВЕ AB | 2016 |
|
RU2621879C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА | 2010 |
|
RU2427016C1 |
| ПОЛИОРГАНОСИЛАНЫ И ДВУХСЛОЙНАЯ ПОЗИТИВНАЯ МАСКА ДЛЯ ФОТОЛИТОГРАФИИ НА ОСНОВЕ ПОЛИОРГАНОСИЛАНА | 1992 |
|
RU2118964C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОЦВЕТНОГО ОПТИЧЕСКОГО ФИЛЬТРА ДЛЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО УСТРОЙСТВА | 1992 |
|
RU2030775C1 |
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к производству полупроводниковых приборов, и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении пленки фоторезиста с поверхности подложки. Известен состав для удаления .позитивного фоторезиста на основе наф тохинондиазида на основе различных органических растворителей (диоксана, диметилформамида) Ц . Существенным недостатком при использовании этого состава является длительность снятия фоторезиста тем большая, чем выше необходимая темпе ратура задубливания фоторезиста. Кроме того, требуются дополнительные затраты времени на очистку подложки от остатков фоторезиста, поверхностно-активных веществ, остатков кислот, так как подобные загряЗ нения либо вызывают изменение параметров приборов, либо уменьшают адгезию последующих формируемых слО ев. Известен также состав для удаления фоторезиста, содержащий этанол .и воду 2. Использование такого состава также приводит к большой длйтёльнбстй процесса удаления фоторезиста. Цель изобретения - повышение производительности процесса. Поставленная цель достигается тем, что состав для удаления фоторезиста, содержащий этанол и воду, дополнительно содержит хлористый калий при следукядем соотношении исходных компонентов, вес.%; Этанол 33-66 Хлористый калий 0,9-1,1 Вода остальное. Состав используется в качестве электролита при удалении задубленного фоторезиста на основе нафтахинондиазида путем электролитической обработки подложки при подключении к ней отрицательного потенциала . При наложении электрического поля на систему обрабатываемая подложка - раствор ,- вспомогательный электрод создается направленная ориентация ионов растворителя по отношению к электродам и обеспечивается равномерная диффузия к слою фоторгзиста, а также улучшается смачиваемость фоторезистивной пленки.
Этиловый спирт и вода относятся к типу протонных растворителей, содержащих группы, в который атомы водорода связаны с электроотрицательными атомами. Благодаря атомам водорода они являются донорами водорода при образовании водородных связей, поскольку их диэлектрическая проницаемость больше 15, в раствор необходимо добавить хлористый калий в качестве электропроводящей добавки. Ионы взаимодействуют с пленкой фоторезиста, при этом происходят послойное вымывание резистивных СПО ев. .
Разница во времени удаления фоторезиста для граничных пределов указанного в формуле соотношения составляет не более 20%. Преимущественным является соотношение, вес%5 Этанол 49,5: Хлористый
калий1,0
Вода 49,5 Необходимая плотность тока при электролитической обработке,от 0,3 до 1 мА/см-. При плотности, тока Менее О,3 мЛ/см начинается постепенное окислениеповерхности.
П р И м е р 1 . На обезжиренную подложку GaAs с напыленной пленкой AuGe-Au наносят пленку фоторезиста РН-7 толщиной г 1 мкм. Сушат в течение 30 мин при . После сушки экспонируют и проявляют полученный рисунок. Затем пленку с рисунком з дубливают при 140С в течение 45 мин После задубливания фоторезиста проводят травление пленки Аи Ее-Аи. Последняя операция фотолитографий удаление пленки фоторезиста с поверхности образца.
Помещают образец в электролитическую ванну, содержащую электролит состава,вес.%: CiH50H:HiO:KCt-49,5: :4 9,5:1. К подложке подключают отрицательный потенциал. В качестве анода используют стальную пластину. Необходимая плотность тока 0,75 мА/см время удаления составляет 14 мин.
Пример 2. Начало технологического процесса соответствует примеру 1. раствбритель состава, вес.%: CaHgOH : : КС 33 J
: 66,1 :0,9. К подложке подключают отрицательныйпотенциал, плотность тока 0,3 МА/см , время удаления фоторезиста составляет 15 мин 10 с.
Пример 3. Начало технологического процесса соответствует примеру 1. Берут растворитель состава, вес.%: : : КСЕ- 66 : : 32,9 : 1,1. К подложке подключают отрицательный потенциал, плотнбсть тока 1 мА/см время удаления фоторезиста составляет 12 мин -30 с.
Использование данного состава для удаления позитивного фоторезиста позволяет сократить время снятия резиста не менее, чем в 8 раз. После удаления рззиста дополнительной очистки поверхности не требуется.
Фоторезист можно удалять с поверхности полупроводниковой подложки п-ттипа, с поверхности полупроводниковой подложки р-типа с подслоем металла, с поверхности металлического шаблона и т.п. Особенно эффективен способ при использовании его в процессе обратной (взрывной) фотолитографии.
Использование изобретения повышает разрешающую способность, улучшает качество края рисунка за счет направленного удаления и вследствие этого за счет отсутствия волокон недосиятого резиста.
Формула изобретения
Состав для удаления фоторезиста, содержащий этанол и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса, он дополнительно содержит хлорйсзтый калий при следующем соотношении исходных компонентов, вес.%:
Этанол 33-66
Хлористый
калий 0,9-1,1
Вода Остальное. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
(npOTOT lJ.
