Гальванопластический способ изготовления плоских перфорированных деталей Советский патент 1980 года по МПК C25D1/08 

Описание патента на изобретение SU789637A1

(54) ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКИЙ СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛОСКИХ ПЕРФОРИРОВАННЫХ ДЕТАЛЕЙ 11зобретение относится к гальванопластическому изготовлению плоских перфорированных изделий, в частности интегральных схем, имеющих функциональны участки из драгоценных металлов, например золота, предназначенные для диффузионной микросварки, посадки кристаллов на эвтектику и т.д. Известен способ изготовления выводных рамок интегральных схем, заключаю щийся в том, что на металлическую пластину наносят пленку фоторезиста, которую экспонируют через фотошаблон с рисунком, соответствующим геометрии рвмкя, а затем проявляют. После этого, на полученную таким образом матрицу в гальванической ванне осаждают железо. После осаждения рамки отделяют от матрицы, подвергают терми ческой обработке и наносят в кассетах покрытие из металла, обладающего повы щенной смачиваемостью расплавленными припоями, в частности золота fl3 Наиболее близким к предлагаемому является галъванопластический способ изготовлений интегральных схем, в соответствии с которым формируют матрицу, состоящую из проводящих и непроводящих участков, на которую затем электролитически осаждают никель, после чего матрицу удаляют. Для создания функциональных участков на никель локально наносят другие металлы, в частности золото 1. Недостатком известных способов является недостаточно высокая адгезия золота к основному металлу, что ухудшает качество функциональных участков и может привести к их нарущению, например отслаиванию золота, в процессе эксплуатации, в частности при разварке тоководов и в других случаях, что в итоге ухудщает качество схемы. Цель изобретения - экономия золота и повышение качества функциональных участков. Поставленная цепь досэтггается тем, что на матрицу, состоящую из проводящих и непроводящих участков, в соответствии с конфигурацией схемы дополнительно наносят слой фоторезиста с открытыми участками, соответствующими функщюнальным участкам, на которые электролитически осаждают золото, после чего слой фоторезиста удаляют. Затем на матрицу осанадают никель, причем вследствие отсутствия у золота способности к быстрой пассивации и окислению, адгезия с ним никелевого покрытия очень высока (до 109О кг/с) и намного превышает адгезию золотого покрытия к никелевой основе в соотввт ствии с известным способом. При этом отсутствует непроизводительный расход золота за счет осаждения на участке по верхности, не являющемся в соответстви со схемой функциональным. Способ осуществляется следующим образом. Сначала готовят постоянную матрицу из проводящих и непроводящих у частков, для чего в металлической пластине делают углубления в соответствиз-i с геометрией схемы и заполняют их диэлектриком, после чего на матрицу наносят слой фоторезиста, например ФП-383, ФН-11, ФПК. ФП-27О, на котором приемами фотолитографии создают конфигурацию функциональных участзшв схемы. На открытые токопроводящие учаспш матрицы электролитически осаждают слой золота или другого драгоценного металла необходимой толщины. Затем фоторезист удаляют и гальванопластически наращивают деталь из никеля. По ле этого деталь вместе с золотым локальным покрытием отделяют от матр1щ при этом покрытие находится заподлицо с поверхностью детали и основная масс золота находится в{гутри детали, причем в результате бокового разрастания образуется замок, который увеличиваетпрочность сцепления покрытия с дета лью. Пример. На постоянную м РИДУ для наращ1шания 8 штук сорока в ми выводных рамок ИС с изолирующим участками из клея ВС-10Т, заполненно го в углублении токопроводящего основания матрицы из нержавеющей стали 12X18X1 ОТ и заполимеризованного по давлением 2О кгс/см, при температур SOtS C в течение 2 ч наносят слой фоторезиста ФП -38а толщиной 2,5-3 мкм. После сушки при комнатной емпературе в течение 2О мин фоторезист экспонируют через фотощаблон, рисунок которого по размерам и конфигурации соответствует площади локального золочения (концы, выводов на длину 1,2 мм и плоадка для посадки кристалла), проявляют, одвергают термическому дублению ри в течение 10 мин. После охлаждения матрицу с защитной фоторезистивной маской обезжиривают венской известью, промывают в проточной воде завешивают в качестве катода в анну золочения следующего состава, г/л: Дицианоа фат калия 13 (по металлу) Калий лимоннокислый трехзамещенный90 Лаурилсульфат натрияОД При рН 4,5-4,8, температуре 55 ,5-2,5 А/дкг , осаждают слой золота толщиной 6 мкм, промывают Б ваннах улавливания электролита, Лосле чего удаляют фоторезист в 10% оастворе щелочи. После промывки в горячей и холодной воде матрицу с нан.есенным локальным золотым покрытием завешивают катодом в ванну наращивания никеля с электролитом следующего состава, г/л: Никель сульфаминовокислый550Борная кислота35 Хлористый натрий 8 Лаурилсульфат натрия0,2 При рН 3,5-4,2 температуре 55-6О°С и Ду - 5 А/дм наращ1шают шшель до толщины 200 мкм. После промывки и сушки нараиде1гаые выводные рамки механически отделяют от матрицы. Ввиду того что адгезиошсая прочность золотого покрытия к то7 опроводящему рисунку из нержавеющей стали в бО раз меньше, чем някеля к золоту, золотое покрытие отделяется вместе с деталью. Таким образом, используя предлагаемый способ обратного золоче1шя и гальванопластический метод изготовления плос1шх деталей сложной топологии (перфорированных деталей) полу11аются детали с локальным золотым покрытием, обладающим повышенным (более чем. в 1,5 раза) сцеплением с деталью по сравненша с гальваническим покрытием золота по никелю.

Сравнительные данные по адгезии золотого покрытия и коэффициент вариаШ1И прочности сварных соединений приведены в таблице.

Похожие патенты SU789637A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ 1992
  • Коломицкий Николай Григорьевич
  • Астапов Борис Александрович
RU2012094C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ 1994
  • Курцев В.З.(Ru)
  • Кузнецов Б.С.(Ru)
  • Телех Д.В.(Ru)
RU2114522C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБКИХ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ 2006
  • Гофман Яков Аронович
  • Гаврилов Евгений Андреевич
  • Гаврилов Александр Андреевич
RU2323554C1
ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКИЙ СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОДЕЛЕЙ СО СЛОЖНЫМ СТРОЕНИЕМ 2000
  • Борисов Д.С.
RU2184799C1
СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО ОСАЖДЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 1990
  • Кипарисов С.Я.
SU1780458A1
Способ изготовления матрицы для гальванопластического получения перфорированных изделий 1988
  • Посвольский Александр Михайлович
  • Исаев Николай Николаевич
  • Пужливый Виктор Семенович
SU1666582A1
ГАЛЬВАНОПЛАСТИЧЕСКИЙ СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО МАТРИЦ ПРЕСС-ФОРМ 1989
  • Уханов Станислав Иванович[Md]
  • Шпаков Геннадий Ильич[Md]
  • Попова Александра Александровна[Md]
RU2050423C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 1992
  • Кипарисов С.Я.
RU2068211C1
Способ изготовления матрицы вырубного штампа 1984
  • Семенов Анатолий Петрович
  • Петряев Сергей Васильевич
  • Лангин Олег Николаевич
  • Мордасов Алексей Сергеевич
SU1237280A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ТОНКОСТЕННЫХ ИЗДЕЛИЙ С ОТВЕРСТИЯМИ 2009
  • Нестерова Елена Васильевна
  • Звонова Марина Михайловна
  • Герасименко Марина Александровна
  • Столярова Светлана Павловна
RU2406789C1

Реферат патента 1980 года Гальванопластический способ изготовления плоских перфорированных деталей

Формула изобретения SU 789 637 A1

SU 789 637 A1

Авторы

Савин Анатолий Иванович

Колмаков Олег Андреевич

Тимин Николай Васильевич

Шульпин Геннадий Петрович

Флеров Валерий Николаевич

Тукманова Галина Сергеевна

Сацкая Елена Ивановна

Матиссен Татьяна Алексеевна

Даты

1980-12-23Публикация

1978-08-07Подача