Устройство для измерения электри-чЕСКиХ пАРАМЕТРОВ МАТРичНыХ элЕКТРОН-НыХ элЕМЕНТОВ Советский патент 1981 года по МПК G01R31/26 G01R31/27 

Изобретение относится к технологии электрических испытаний полупроводниковых диодов и диодных матриц и может быть использовано, в частности, при измерении электрических параметров матричных электронных элементов. Известны устройства 1 для измерения электрических параметров электронных элементов, состоящие из блока задания режима и измерительного прибора. Эти устройства не рассчитаны на измерение электрических параметров диодных матриц. Ближайшим известным техническим решением является устройство для измерения электрических параметров диодных матриц, содержащее коммутаторы строк и столбцов, блок задания режима, измерительный прибор и блок управления. Однако оно не обеспечивает высокой точности измерений, так как при измерении параметров матричных электронных элементов большой степени интеграции - диодных матриц - ток от блока задания режима разветвляется через измеряемый диод и через суммарное обратное сопротивление всех диодов невыбранных столбцов и невыбранных строк, в результате чего изменяется режим измерения и увеличивается погрешность измерения. Целью настоящ,его изобретения является увеличение точности измерения. Поставленная цель достигается тем, что в устройство введен источник опорного напряжения, подключенный к невыбранным строкам матрицы через коммутатор. На фиг. 1 представлена схема устройства; на фиг. 2 поясняется процесс измерения. На схеме изображены объект контроля 1, коммутатор 2, блок задания режима 3, измерительный прибор 4, блок управления 5 и источник опорного напряжения 6. Устройство работает следующим образом. Блок управления 5 поочередно подключает через коммутатор 2 выбранный столбец и выбранную строку матрицы 1 к блоку задания режима 3 и измерительному прибору 4. Невыбранные строки подсоединяются к источнику опорного напряжения 6, полярность которого противоположна полярности напряжения на измеряемом диоде. Величина опорного напряжения равна ожидаемому падению напряжения-: на измеряемом диоде. Блок задания режима 3 при измерении прямого падения напряжения на диоде матрицы 1 задает ток через измеряемый диод, а измерительный прибор 4 показывает значение прямого падения напряжения на диоде. Подключение к невыбранным строкам матрицы 1 источника опорного напряжения 6 и выполнение условия

{/„„ . - UD,

где t/on -опорное напряжение; Uo - напряжение на диске, практически позволяет получить равенство токов / ID, т. е. сохранить заданный режим измерения и получить меньшую погрешность измерения.

Формула изобретения

Устройство для измерения электрических параметров матричных электронных элементов-, содержащее коммутаторы строк и столбцов, блок задания режима, измерительный прибор и блок управления, отличающееся тем, что, с целью увеличения точности измерения, в устройство введен источник опорного напряжения, подключенный к невыбранным строкам матрицы через коммутатор.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.ГОСТ 18986-73. Полупроводниковые диоды. Методы и измерения электрических параметров.

2.Андреева Э. Методы и установка контроля статических параметров диодных матриц, в сб. «Автоматизация измерений параметров полупроводниковых приборов, Рига, 1969, с. 25 (прототип).