Сфалерита. Двойной линией обозначены грани монокристалла, т.е. выходы наклонных гшоскостей ill на естественную боковую поверхность слитка.
Пример. Для осуществления способа берут монокристаллические слитки кремния длиной 100 мм, диаметром 60 мм, имеющие ориентацию торцовых поверхностей 001 и 111. Всего 39 слитков.
С помсядью стандартной рентгеноструктурной методики определяют i положение в кристаллах плоскостей наилегчайшего скола, образукицих с торцовыми поверхностями (которщге совпадают с плоскостями реза) угол, наиболее близкий к 90. Для слитков с торцовыми поверхностями 001 - это плоскости типа 111, образукяцие следы на торцах (плоскостях реза) в направлениях типа 110 и составляющие угол с плоскостью реза 90(11). Для слитков с торцовыми поверхностями 111-дто плоскости типа ill, образующие следы на торцах (плоскостях реза) .в направлениях типа 110 и соетавляюпше угол с плоскостью ре-а 11° (И°).
На торце, противоположном торцу, которым слитком наклеивают на оправку к станку,наносят риску карандашом, указывающую направление т-ипа 110. Затем приклеивают кристаллы шеллаком к оправке таким образом, чтобы риска была перпендикулярна направлению горизонтальной продольной подачи, и проводят резку с помощью станков типа Алмаз-4. в качестве режущего инструмента используют отрезные диски с внутренней режущей алмазной кромкой типа ОСТ 2И-71-5-73, 2726-3001, АСН60, Скорость вращения 5 диска составляла 5000 об/мин, а скорость продольной горизонтальной подачи 5 мм/мин.
При проведении испытаний определяют удельный расход дисков, т.е. . количество дисков, израсходованных на 1 пластину и выход готовой продукции. Результаты испытаний приведены 3 таблице.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ резки монокристаллических слитков полупроводников на пластины | 1988 |
|
SU1622141A1 |
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛИТКОВ НА ПЛАСТИНЫ | 1992 |
|
RU2032248C1 |
Способ ориентированной механической обработки кремниевых изделий | 1980 |
|
SU1023452A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАТРАВОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ | 1990 |
|
RU1786762C |
СПОСОБ РЕЗКИ КРЕМНИЕВОГО СЛИТКА НА ПЛАСТИНЫ | 2010 |
|
RU2431564C1 |
Держатель монокристаллов дляРЕНТгЕНОВСКОгО дифРАКТОМЕТРА | 1979 |
|
SU840717A1 |
СПОСОБ РЕЗКИ СЛИТКОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КУБИЧЕСКОЙ СИНГОНИИ НА ПЛАСТИНЫ | 1988 |
|
SU1600189A1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ВЫРАЩЕННЫХ СЛИТКОВ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ | 2000 |
|
RU2186887C2 |
Способ резки монокристаллических слитков | 1985 |
|
SU1314400A1 |
ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ СПОСОБ РЕЗКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | 2005 |
|
RU2288522C1 |
Для сравнения, известным способо (без учета ориентировки боковой поверхности , кристалла относительно направления продольной горизонтальной подачи), провели резку 40 слитков. Режимы резания и приклейки образцов на оправки в известном способе такие же, как и в предлагаемом способе . Удельный расход дисков и процент выхода готовой продукции при резке известным способом приведен в таблице.
Результаты проведенного эксперимента показывают, что удельный расход дисков при использовании предлагаемого способа резки слитков на пластины в два раза ниже, а выход годных пластин на 4% выше по сравнению с известным способом.
Формула изобретения
Способ резки монокрирталлических полупроводниковых слитков, вклю5 чающий ориентацию слитка относительно плоскости режущего инструмента, / вращение режущего инструмента и его перемещение относительно слитка, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента использования слитка и уменьшения износа режущего инструмента, ориентацию слитка осуществляют установкой кристаллографической плоскости наилегчайшего скола под углом 70-9О к плоскости режущего инструмента, а относительное перемещение режущего инструмента и слитка осуществляют перпендикулярно следу кристаллографической плоскости наилегчайшего скола на плоскости режущего инструмента.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
001
по
no
no
1ZI
rz
Авторы
Даты
1981-04-23—Публикация
1978-04-12—Подача