Способ резки монокристаллическихпОлупРОВОдНиКОВыХ СлиТКОВ Советский патент 1981 года по МПК B28D5/00 

Описание патента на изобретение SU823147A1

Сфалерита. Двойной линией обозначены грани монокристалла, т.е. выходы наклонных гшоскостей ill на естественную боковую поверхность слитка.

Пример. Для осуществления способа берут монокристаллические слитки кремния длиной 100 мм, диаметром 60 мм, имеющие ориентацию торцовых поверхностей 001 и 111. Всего 39 слитков.

С помсядью стандартной рентгеноструктурной методики определяют i положение в кристаллах плоскостей наилегчайшего скола, образукицих с торцовыми поверхностями (которщге совпадают с плоскостями реза) угол, наиболее близкий к 90. Для слитков с торцовыми поверхностями 001 - это плоскости типа 111, образукяцие следы на торцах (плоскостях реза) в направлениях типа 110 и составляющие угол с плоскостью реза 90(11). Для слитков с торцовыми поверхностями 111-дто плоскости типа ill, образующие следы на торцах (плоскостях реза) .в направлениях типа 110 и соетавляюпше угол с плоскостью ре-а 11° (И°).

На торце, противоположном торцу, которым слитком наклеивают на оправку к станку,наносят риску карандашом, указывающую направление т-ипа 110. Затем приклеивают кристаллы шеллаком к оправке таким образом, чтобы риска была перпендикулярна направлению горизонтальной продольной подачи, и проводят резку с помощью станков типа Алмаз-4. в качестве режущего инструмента используют отрезные диски с внутренней режущей алмазной кромкой типа ОСТ 2И-71-5-73, 2726-3001, АСН60, Скорость вращения 5 диска составляла 5000 об/мин, а скорость продольной горизонтальной подачи 5 мм/мин.

При проведении испытаний определяют удельный расход дисков, т.е. . количество дисков, израсходованных на 1 пластину и выход готовой продукции. Результаты испытаний приведены 3 таблице.

Похожие патенты SU823147A1

название год авторы номер документа
Способ резки монокристаллических слитков полупроводников на пластины 1988
  • Жуков Николай Александрович
  • Перевощиков Виктор Александрович
  • Скупов Владимир Дмитриевич
SU1622141A1
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛИТКОВ НА ПЛАСТИНЫ 1992
  • Перевощиков В.А.
  • Скупов В.Д.
  • Скупова Т.Н.
RU2032248C1
Способ ориентированной механической обработки кремниевых изделий 1980
  • Шевченко Владислав Николаевич
  • Горелик Семен Самуилович
  • Тузовский Анатолий Михайлович
  • Фомин Владимир Георгиевич
  • Юшков Юрий Васильевич
SU1023452A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАТРАВОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ 1990
  • Беляева А.Л.
  • Беляев А.Н.
  • Кудин А.В.
  • Назаркин В.Н.
RU1786762C
СПОСОБ РЕЗКИ КРЕМНИЕВОГО СЛИТКА НА ПЛАСТИНЫ 2010
  • Белоусов Виктор Сергеевич
  • Харламов Виталий Юрьевич
  • Шагаева Ирина Олеговна
RU2431564C1
Держатель монокристаллов дляРЕНТгЕНОВСКОгО дифРАКТОМЕТРА 1979
  • Гаврилюк Владимир Ксенофонтович
  • Ременюк Петр Иванович
  • Фомин Владимир Георгиевич
SU840717A1
СПОСОБ РЕЗКИ СЛИТКОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КУБИЧЕСКОЙ СИНГОНИИ НА ПЛАСТИНЫ 1988
  • Зеленин В.А.
  • Мельников Г.Г.
  • Тарасевич А.И.
  • Агей Н.В.
  • Ковшик А.Е.
SU1600189A1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ВЫРАЩЕННЫХ СЛИТКОВ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ 2000
  • Берингов Сергей Борисович
  • Ушанкин Юрий Владимирович
  • Шульга Юрий Григорьевич
RU2186887C2
Способ резки монокристаллических слитков 1985
  • Гулидов Дмитрий Николаевич
  • Харламов Виталий Юрьевич
  • Эйдельман Борис Львович
  • Звероловлев Владимир Михайлович
  • Приходько Владимир Леонидович
  • Щуркин Юрий Васильевич
SU1314400A1
ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ СПОСОБ РЕЗКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 2005
  • Манякин Сергей Михайлович
  • Бунин Игорь Александрович
  • Радостев Валерий Клавдиевич
  • Широков Александр Сергеевич
  • Шматок Юрий Иванович
RU2288522C1

Иллюстрации к изобретению SU 823 147 A1

Реферат патента 1981 года Способ резки монокристаллическихпОлупРОВОдНиКОВыХ СлиТКОВ

Формула изобретения SU 823 147 A1

Для сравнения, известным способо (без учета ориентировки боковой поверхности , кристалла относительно направления продольной горизонтальной подачи), провели резку 40 слитков. Режимы резания и приклейки образцов на оправки в известном способе такие же, как и в предлагаемом способе . Удельный расход дисков и процент выхода готовой продукции при резке известным способом приведен в таблице.

Результаты проведенного эксперимента показывают, что удельный расход дисков при использовании предлагаемого способа резки слитков на пластины в два раза ниже, а выход годных пластин на 4% выше по сравнению с известным способом.

Формула изобретения

Способ резки монокрирталлических полупроводниковых слитков, вклю5 чающий ориентацию слитка относительно плоскости режущего инструмента, / вращение режущего инструмента и его перемещение относительно слитка, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента использования слитка и уменьшения износа режущего инструмента, ориентацию слитка осуществляют установкой кристаллографической плоскости наилегчайшего скола под углом 70-9О к плоскости режущего инструмента, а относительное перемещение режущего инструмента и слитка осуществляют перпендикулярно следу кристаллографической плоскости наилегчайшего скола на плоскости режущего инструмента.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР 5 P 352771, кл. В 28 D 5/00, 1972.

001

по

no

no

1ZI

rz

SU 823 147 A1

Авторы

Кузнецов Аркадий Сергеевич

Ременюк Петр Иванович

Фомин Владимир Георгиевич

Юшков Юрий Васильевич

Шитя Павел Павлович

Даты

1981-04-23Публикация

1978-04-12Подача