лектрика. Высокое напряжение и пробой диэлектрика конденсатора в свою очередь становятся месталш образования коронного разряда. За счет использования в диэлектрической жидкости для пропитки конденсаторов трихлорбензола пустоты в месте образования короны или повышенной температуры заполняются парами пер слорбензола, поскольку он представляет собой вещество, дающее пар BHCOкого давления при низкой точке кипения, и обладает электроотрицательным потенциалом, что приводит к предотвращению или сведению к минимуму корон и искрения. В среде вокруг конденсатора высокие напряжения при высоких температурах приводят к выделению или образованию водорода, который совершенно разрушает конденсатор. Водород обра syeT с другими элементами кислоту/ и воду, которые также повреждают конденсатор. Водород легко ионизируется и проходит коронирование. Во время коррнирования диэлектрик конденсатора разлагается,интенсивно выделякИРСя газы и корона нарастает. Образование газа сдерживается веществом из группы момоолефинов (например, деценом), В то время, как пустота, образованная в начете коронирования,заполняется паром трихлорбензола, водород поглощается деценом. Изобретение обеспечивает создание диэлектрической жидкой композиции с повышенной поглощающей способностью Формула изобретения 1. Диэлектрическая жидкая композиция для пропитки электрических конденсаторов, содержащая сложный эфир, отличающа яся тем, что, с целью повыщения газопоглощения, она содержит дополнительно один из мате- риалов,выбранныйиз группы моноолефинов,а именно децен,дедецен,тетрадецен, гексадецен или октадецен, и галоидированную жидкость, а именно бензол, толуол или нафталин, при . следующих соотношениях ингредиентов, вес. %: Материал из группы моноолефинов5-20 Галоидиррванная жидкость10-40Сложный эфирДо 100 . 2. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве сложного эфира она содержит диоктилфталат. 3. Композиция по пп. 2 и 3, о т ли. чающая с я тем, что в качестве галоидированнЬй жидкости она содержит хлорированный бензол. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Заявка ФРГ № 2248716, . кл. Н 01 G 3/195, опублик. 1974. 2.Патент США 3754173, кл. 317-259, опублик. 1973 (прототип) .
Авторы
Даты
1981-06-23—Публикация
1977-03-21—Подача