(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| УСТАНОВКА ДЛЯ ДВУХСТОРОННЕЙ ВЕРТИКАЛЬНОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ КРУГЛЫХ ПЛАСТИН ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ | 2006 |
|
RU2327247C1 |
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ МЕГАЗВУКОВОЙ ОЧИСТКИ ПОДЛОЖЕК | 2002 |
|
RU2243038C2 |
| Устройство для гидравлической очистки плоских изделий | 1977 |
|
SU710671A1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | 2003 |
|
RU2231168C1 |
| Устройство для закрепления полупроводниковых пластин на планшайбе центрифуги | 1983 |
|
SU1129672A1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДВУХСТОРОННЕЙ ИНДИВИДУАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК КВАДРАТНОЙ ИЛИ ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЫ | 2007 |
|
RU2367526C2 |
| Устройство для очистки поверхности полупроводниковых пластин | 1973 |
|
SU459818A1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ МЕГАЗВУКОВОЙ ОЧИСТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН | 1998 |
|
RU2173587C2 |
| УСТРОЙСТВО ОЧИСТКИ И ОБЕЗЗАРАЖИВАНИЯ ВОДЫ | 2005 |
|
RU2298528C2 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДВУХСТОРОННЕЙ ОЧИСТКИ ПЛАСТИН | 2004 |
|
RU2275972C1 |
Изобретение относится к технологическому оборудованию для производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для очистки полупроводниковых пластин и подложек приборов от загрязнений и при снятии слоя фоторезиста.
Известно устройство для очистки поверхности полупроводниковых пластин, в котором использован способ гидродинамической кавитационной очистки. Устройство содержит центрифугу с планшайбой, на которой имеются держатели для очищаемых полупроводниковых пластин, неподвижный диск с пневмоприводом для поджатия его к поверхности планшайбы, резервуар для растворения кислорода в очи1Ч енной воде и нагрева полученной смеси, систему подачи {забочей жид кости в зону обработки и контрольноизмерительную аппаратуру 1.
Очистка полупроводниковых пласти производится жидкостью, истекаю1лей под давлением во время вращения планшайбы от центра ротора по. взаимно перпендикулярным каналам, выполненным на .диске и вызывающим явление кавитации, разрушающей поверхностные загрязнения на полупроводниковых пластинах.
Недостатком этого устройства является его невысокая надежность, так как при работе устройства для образования тонкого слоя истекающей жидкости ее необходимо подавать под давлением, достаточным для получения эффектов Кавитации, что вы0зывает значительные осевые нагрузки на рабочий вал центрифуги. Кроме того, устройство не обладает достаточной производительностью, а отсутствие вращения пластин вокруг своих
5 осей во время обработки приводит к неравномерному снятию загрйзнений на полупроводниковых пластинах. Участки пластин, расположенные,ближе к центру имеют меньшую линейную скорость и
0 низкое качество обработки поверхности.
Цель изобретения - повышение производительности и надежности.
Поставленная цель достигается тем,
5 что.устройство для очистки поверхности полупроводниковых пластин, содержащее расположенные на основании ротор с валом, связанным с приводн ям механизмом, планшайбу с держателями
0 пластин, диск с канавками, выполненDate : 03/05/2001
Number of pages : 4
Previous document : SU 843029
Next document : SU 843031
