Способ изготовления непроволочных резисторов Советский патент 1981 года по МПК H01C7/00 H01B1/06 

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕПРОВОЛОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

1 Изобретение отнсюится к радиоэлектронике и может быть использовано при производстве непровопочных резисторов и резисторных элементов интегральных схем. Наиболее близок к предлагаемому способ изготовления непроволочных резисторов, включающий смешивание токопро- водящего материала с наполнителем, плас- ти(}мкатором, отвердителем и связуюищм, введение полученной резисторной композиции в форму из непроводящего и немагнит ного материала и обработку ее в магнитном поле с изменяющейся величиной Marw нитной индукции с последующим отверждением . Однако известный способ изготовления резисторов не позволяет полностью исполь зовать свойства диэлектрического связующего - высокую термостойкость и влагоустойчивость - из-за предварительного перемещивания проводящего элемента с хорошо смачиваемым диэлектрическим связующим, который снижает термостойкость и влагоустойчивость резисторов и привоакт к нарушению вольт-амперной характеристики. Целью данного изобретения является повышение стабильности электрических параметров резисторов. Поставленная цель достигается ем, что при изготовлении непроволочных резисторов споообом, включающим смещивание токопроводящего материала с наполнителем, связующим, пласти(} катором и от вердителем, введение полученной резио- торной композиции в форму из немагнитного и непроводящего материала и обработку ее в магнитном поле с изменяющееся величиной магнитноА индукции с последующим отверждением в нем, перед омещиванием токопроводящегоматериала с .наполнителем, пластификатором, отверпи- телем и связующим осущест1 ляк)т дополнительное смещивание токопроводящего материала со связующим в магнитном попе с изменяющимся направлением вектора магнитной индукции. 3. П РИМ е р. Токопроводяший элемент смешиваю с диэлектрическим связующим имеющим высокие термостойкость и влагсустойчввость. Диэлектрическое связующее, например смолу эпоксидную, и токопроводящий элемент вводят в емкость, например в виде куба, перемешивают и помешают в мап нитное поле. В магнитном поле зерна токопроводящего элемента ориентируются вдоль силовых магнитных линий, и/перемещаясь, структурируются в проводящие це почки, при этом величину магнитной индукции поля повышают до значения, определяемогр из выражения 150- П. «И где В - величина магнитной индукции поля в Теслях; - вязкость диэлектрического связующего в нормальных условиях по вискозиметру ВЗ-4 в секундах;t - коэффициент магнитной восприимчивости токопроводящего материала, и удерживают ее при этом значении в те чение 30-6О с в зависимости от вязкости диэлектрического связующего и величины коэффициента магнитной восприимчи вости токопроводящего материала. Затем скачкообразно, например, с ща- гом 45, изменяют направление магнитной индукции, путем последовательного вращения ее по часовой стрелке. В каждом положении устанавливают величину магнитной индукции поля,равной В , и вы держивают в течение ЗО-60 с. Перемещение магнитного поля произво дят до тех пор, пока направление магнит ной индукции не окажется в первоначальном положении. После этого вращение магнитного поля повторяют в обратном направлении, т.е. против часовой стрелки Вышеописанные циклы вращения магни ного поля повторяют еще в двух плоскос тях, каждая из которых перпендикулярна плоскости первоначального вращения ве тора магнитного поля. Зерна магнитного материала, вращаясь вокруг своей оси и перемещаясь в диэлектрическом связующем, обволакиваются им. Таким образом обеспечивается полная смачиваемость то копроводящего элемента. Для изготовления резистора номиналом 1О кОм± 1% мощностью 100 Вт в качестве диэлектрического связующего 8 рименяют смолу эпоксидную диановую Д-16 ГОСТ 10587-72 и наполнитель варц молотый пылевидный ГОСТ 9077-59, арки КП-1, в качестве токопроводящего лемента - порощок никелевый посеребенный ТУ 48-О7-104-71, в качестве ласти4 1катора-полиэфир №220ТУ МХП КУ-487-57. В качестве отвердителя алеиновый ангидрид ГОСТ 5854-54. Для изготовления 10ОО г резисторноо материала для резисторов номиналом О КОм количество входящих в него, комонентов составляет (г): Порошок никелевый посеребренный250 Кварц молотый пылевидный250 Смола эпоксидная410 Полиэфир № 22050 Малеиновый ангидрид43 Обезжиренный и просушенный порошок никелевый посеребренный смешивают с эпоксидной смолой в мешалке для приготовления контактолов УБЗЧ 2810-ОО в течение 20-30 мин при скорости вращения мешалки 115-160 об/мин. Полученную смесь вводят в немагнитную емкость в виде куба, которую помещают в два взаимно перпендикулярных постоянных магнитных поля например, в воздушные зазоры магнитопроводов дросселей, таким образом, чтобы геометрические центры емкости и воздушных зазоров совпали, а плоскости кубической емкости оказались параллельными сечениям магнитопроводов дросселей. Приспособлениями из яиамапнитного материала жостко закрепляют емкость в этом положении. Подключают к первому дросселю, сечения воздушного зазора магнитопровода которого параллельны верхней и нижней стенкам кубической емкости, регулируемый источник постоянного тока так, чтобы направление магнитной индукции поля было перпендикулярно верхней и нижней стенкам куба и проходило снизу вверх. Увеличивая напряжение регулируемого источника, устанавливйют магнитную индукцию а 15О-30 „ „ . ,D--5- 0,045 Тесла и выдерживают 40 с. При включении второго дросселя суммарный вектор магнитной индукции полей двух дросселей поворачивается по часовой стрелке на 45 относительно первоначального положения, и зерна магнитного материала, становясь постоянными магнита-

ми, ориентируются по направлению суммарного вектора магнитной индукции. После этого отключают регулируемый источник постоянного тока от первого дросселя. Вектор магнитной индукции поля, создава- s

емо.го вторым дросселем будет - иметь направление слева направо, и оси зёрен магнитного материала, проход5шще через наведенные полюса, поворачиваются на по отношению к первоначальному положению. Затем подключают регулируемый источник постоянного тока к первому дрос 1.сепю, изменив направление тока в нем так, чтобы вектор магнитной индукции поля был направлен сверху вниз, и суммарный вектор магнитной индукции полей . двух дросселей повернулся на 45 по отношению к предыдушему положению. При этом оси зерен магнитного материала, проходяшие через наведенные полюса, будут параллельны суммарному вектору и повернуты на 135 относительно первоначального Положения. Коммутацией дросселей и изменением направлений токов в них производят даль- нейшее шаговое врашение по часовой стрелке суммарного вектора магнитной индукции, с шагом 45, до тех пор, пока он не займет своего первоначального положения. Перемешение и врашение зерен магнитного материала осушествляется таким образом в трех взаимно перпендикулярных плоскостях по часовой стрелке и против часовой стрелки в каждой.. За счет этого происходит полное обволакивание (смачивание) зерен магнитного материала. Полученную смесь перемешивают в мешалке для приготовления контакторов с кварцем молотым пылевидным, полиэфиром № 220 и малеиновым ангидридом. Полученный резисторный материал вводят в приготовленную для этих целей

форму из диамагнитного материала с размешенной в нем выводной арматурой.

Использование данного способа изготовления непроволочных резисторов с об-

тельного смешивания токопроводящего элемента с диэлектрическим связующим позволяет обеспечить полную г;мачиваемость токопроводяшего элемента гаобым работкой в магнитном поле для дополнидиэлектрическим связующим, что (обеспечивает однородность и отсутствие локальных перегрювов в композиции резистора, что позволит повысить стабильность электрических параметров резисторов. Формула изобретения Способ изготовления непроволочных ре- зисторов, включаюший смешивание токопроводяшего материала с наполнителем, связующим, пластификатором и отвердителем, введение полученной резисторной композиции в форму из немагнитного и не- проводяшего материала и обработку ее в магнитном поле с изменяюшейся величи- ной магнитной индукции с последующим отверждением в нем, .о тличаюши йс я тем, что, с целью повышения стабильности электрических параметров резисторов, перед смешиванием токопроводящего материала с.наполнителем, пластификатором, отвердителем и связующим осуществляют дополнительное смешивание то. копроводящего материала со связуюшим в магнитном поле с изменяющимся направлением вектора магнитной индукции. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР по заявке № 26ОО659/1.8-21, кл. Н О1 С 7/ОО, 10.04.78 (прототип).