Резистивный материал Советский патент 1978 года по МПК H01C7/00 

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении композиционных резисторов. Известен резистивный материал, содержащий токопроводящий компонент, органическое связующее и органический растворитель 1. Недостатком этого материала является невозможность получения высокоомных значений сопротивления резисторов и необходимость термообработки при высоких температурах. Известен резистивный материал, представляющий собой композицию из токопроводящего углеродистого компонента, органического связующего, отвердителя и органического растворителя 2. Недостатком материала является узкий диапазон значений сопротивлений резисторов и низкая их влагостойкость. Цель изобретения - увеличение сопротивления и повышение влагостойкости материала. Это достигается тем, что резистивный материал, содержащий токопроводящий комнент, органическое связующее, отвердиль и органический растворитель, содерит в качестве органического связующего игомер фениленоксида при следующем кочественном соотношении исходных компонтов, вес. %: Токопроводящий компонент9-15Отвердитель 1,7-1,9 Олигомер фениленоксида . 17-19 Органический растворительОстальноеПример 1. Олигомер фениленоксида 17 Отвердитель (изометилтетрагидрофталевыйангидрид)1,7 Токопроводящий компонент, в который входит сажа канальная активная марки ДГ-100 15 Органический растворитель 66,3

В этом случае величина сопротивления R Ю.о.м/п, влагоустойчивостьЛ R/R (%) в условиях тропической влажности за 56 суток составляет ± 5.

Пример 2.

Олигомер фениленоксида19

Отвердитель (изометилтетрагидрофталевый

ангидрид)1,9

ТоКОПрОВОДЯЩИЙ КОМПО-.

. нент, в который входит сажа канальная активная марки ДГ-1009 Органический растворитель 70,1. В этом случае величина сопротивления R 10 ом/а, влагоустойчивость - А R/R (%), в условиях тропической влажности за 56 суток составляет ± 10. Пример 3. Олигомер фениленоксида 18 Отвердитель (изометилтетрагидрофталевыйангидрид) 1,8 Токопроводящий компонент; в который входит сажа канальная активная марки ДГ-ЮО 12 Органический растворитель 68,2 В этом случае величина сопротивления R 10 ом/п, влагоустойчивость - А R/R (%) в условиях тропической влажности за 56 суток составляет ± 7,5.

Резистивную композицию, приведенную в примерах 1, 2 и 3j получают следующим образом.

В шаровую мельницу загружают токопроводящий порошок и растворитель, размалывают в течение 48 час. Затем добавляют к ним Олигомер фениленоксида, предварительно растворенный в циклогексаноне. После этого композицию домалывают 48-50 час, отстаивают в течение 20- 24 час, наносят на основания резисторов и подвергают термообработке в течение 1 - 1,5 час при те.мпературе 240-250°С.

Короткие молекулярные цепи такого материала способствуют более частым и плотным сшивкам между отдельными цепями, что уменьшает водопоглощение и набухание пленок, улучшает стабильность.

Сравнительно низкая температура отверждения и малая усадка при отверждении способствуют получению высокоомной ко.мпозиции при относительно большом объе.ме проводника, что улучшает ее однородность и, как следствие, уменьшает зависимость сопротивления от напряжения и повышает воспроизводимость величин сопротивления. При использовании малоконденсированного ол-игомера с малой вязкостью могут быть получены и очень низкоомные композиции.

При оптимальном сочетании состава композиции, режима ее-отверждения и обработки проводяших компонентов могут быть достигнуты одновременно и малые значения температурного коэффициента сопротивления.

Формула изобретения

Резистивный материал, содержаший токопроводящий компонент, органическое связуюшее, отвердитель и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью увеличения сопротивления и повышения влагостойкости материала, он содержит в качестве органического связующего олигомер фениленоксида при следуюшем количественном соотношении исходных компонентов, вес, о/о:

Токопроводяший ком9-15понент Отвердитель 1,7-1,9 Олигомер фенилен17-19оксида

Органический раствоОстальноеритель

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.ТИ УБО 0.28.715 МЭИ, 1972.

2.Гальперин Б. С. Непроволочные резисторы. М., «Энергия, 1968, с. 150-154.