Терморезистор Советский патент 1981 года по МПК G01K7/22 

(54) ТЕРМОРЕЗИСТОР

t

Изобретение относится к технике, температурных измерений, в частноети к полупроводниковым терморезисторам, и может найти примене ше при измерениях криогенных температур.

Известны полупроводниковые терморезисторы, выполненные из монокристалла полупроводника Dl,t2.

Такие терморезисторы не обеспечивают достаточной точности измерений в пшрокой области криогенных температур.

Известен также терморезистор, содержащий подложку с нанесенным на нее термочувствительным полупроводниковым слоем и контакты fS.

В этом терморезисторе термочувствительный полупроводниковый спой состоит из 80% кремния и 20% германия.

Недостатком терморезистора является значительное изменение чувствительности при изменении температуры в небольошх пределах. В результате такими терморезисторами можно измерять температуру с высокой точностью лишь в небольшом интервале температур.

Целью изобретения является расширение диапазона измеряемых температур при сохранении высокой чувствительности терморезистора во всем диапазоне.

Поставленная цель достигается тем, что в терморезисторе, содержащем подложку с нанесенньы на нее термочувст10вительным полупроводниковым слоем и контакты, полупроводниковый слой выполнен в виде пластически деформированной пленки германия, а подложка изготовлена из монокристаллического

IS полупроводника. Предпочтительно параметр кристаллической решетки полупроводника выбирать близким к параметру кристаллической решетки германия

Терморезистор работает с хедующим

20 образом.

Изменение температуры приводит к изменению .сопротивления пластически деформи1Л ванной пленки германия. Воз-

никающие при пластической деформации линейные и точечные дефекты в объеме пленки обеспечивают появление проводимости по примесям в области низких температур. Эти же дефекты при более высоких температурах обеспечивают проводимость по валентной зоне (пленка германия р-типа, Сильная температурная зависимость проводимости по примесям к валентной зоие обеспечивает высокую термочувствительность предлагаемого терморезистора в диапазоне 4,2-зоок.

Для согласования сопротивления . терморезистора с входным сопротивлением регистрирующего прибора толщину пленки следует выбирать в диапазоне 1-50 мкм. В качестве материала подложки могут быть выбраны арсеиид галлия и кремний. Контакты могут быть вьшол- , иены из ивдия ,

npeдлйгaё шй терморезистор может найти применение в юирокодиапазонных устройствах для измерения температуры, например в системах контроля тех-нологических параметров.

Формула изобретения Терморезистор, содержащий подложку с нанесенным на нее термочувствительным полупроводниковым слоем и контакты, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона из- меряемых температур при сохранении высокой чувствительности терморезистора, полупроводниковый слой выполнен в виде пластически деформированной пленки германия, а подложка изготовлена из монокристаллического полупроводника.

Источники информации, принятые во внимание при зкспертизе

t. Авторское свидетельство СССР № 247554, кл. G 01 К 7/16, 1969. 2. Авторское свидетельство СССР № 301571, кл. G 01 К 7/22, 1971.

3. Авторское свидетельство СССР № 478202, кл. G 01 К 7/16, 1974 (прототип).