Аналоговое запоминающее устройство Советский патент 1981 года по МПК G11C27/00 

1

Изобретение относится к технике запоминающих устройств и может быть использовано в качестве схемы выборки - хранения в устройствах различного назначения.

Известен аналоговый ключ, который содержит коммутирующий полевой транзистор и схему управления, представляющую собой транзисторный ключ с общим эмиттером и цепь связи выхода ключа и затвора полевого транзистора, содержащую отключающий диод и шунтирующую емкость fij.

Недостатком данного устройства является наличие зависимости погрешности коммутации (величины наводки запирающего импульса на выход схемы) от величины входного сигнала.

Известна также базовая схема гибридных ключей типа DG 151 и DG 1б1 которая содержит коммутирующий полевой транзистор и схему управления, представляющую собой транзисторный ключ с общим эмиттером и цепь зарядовой связи выхода ключа и затвора полевого транзистора, содержащую диод, резистор, конденсатор и два транзистора р-п-р и п-р-п типов f2.

Недостатком этого устройства также является наличие зависимости по1решности коммутации от величины стробируемого входного сигнала.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является аналоговое запоминающее устройство, содержащее коммутирующий полевой транзистор с управляющим р-п переходом и каналом п-типа. Исток этого транзистора является входом, а сток - выходом устройства. Аналоговое запоминающее устройство содержит также два противофазно управляемых ключа, выполненных на комплементарных МОП транзисторах, и источник отрицательной ЭДС. Исток МОП транзистора с каналом р-.типа присоединен ко входу схемы, исток МОП транзистора с каналом п-типа соединен с источником отрицательной ЭДС, положительный полюс ЭДС соединен с общим проводом. Стоки МОП транзисторов объединены и являются входом управления схемы выборки - .хранения. Ключи на МОП транзисторах поочередно подключают затвор коммутирующего полевого транзистора ко входу схемы (выборка) или к источнику отрицательного ЭДС (хранение)Гз Устройство имеет высокое быстрот действие, однако его недостатком является наличие зависимости погрешности коммутации от величины стробируемого входного сигнала. Цель изобретения повышение точности устройства. Поставленная цель достигается тем, что в аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопительный элемеит,, например конденсатор, первая обкпадка которого соединена с выходом первого ключа, сигнальный вход первого ключа соединен со входом устройства и с выходом второго ключа, вход которого соединен с управляющим входом первого ключа и с выходом третьего ключа, вход третьего ключа соединен с шиной управления, введены повторитель напряжения, первый и второй пассивные элементы, четвертый ключ и генератор тока, выход которого соединен через первый пассивный элемент с выходом устройства и с выходом повторителя напряжения, вход повторителя напряжения подключен к цервой обкладке конденсатораJ другая йбкладка которого соединена с выходом четвертого ключа, с первым выводом второго пассивного элемента и с выходом генератора тока, вход четвертого клю ма и второй вывод второго пассивного элемента соединены с шиной нулевого потенциала. На чертеже изображена функц иональ ная схема предложенного устройства. Оно содержит ключи 1-, накопительный элемент, например конденсатор 5. повторитель 6 напряжения, пас сивные элементы 7 и 8, шину 9 управления, генератор 10 тока и шину 11 нулевого потенциала. Устройство работает следующим образом. При замыкании ключей 2 и k затвор транзистора ключа 1 соединяется с ис током, при этом транзистор ключа 1 открывается. Конденсатор 5 через откоытый ключ 1 заряжается до входного O4 потенциала. После размыкания ключей 2 и замыкается ключ 3. Затвор транзистора ключа 1 подключается к шине 9 управления, при этом он закрывается. В результате просачивания через емкость затвор-сток транзистора ключа 1 управляющего импульса, сформированного ключами 2 и 3, заряд конденсатора 5 изменяется. Это изменение заряда конденсатора 5 определяет погрешность коммутации и пропррциаль-. но изменению напряжения на затворе транзистора ключа 1 при его закрывании. Изменение напряжения на затворе транзистора ключа 1 равно разности потенциалов между управляющим напряжением и входным напряжением в момент запирания транзистора ключа 1. Компенсация погрешности коммутации ключа 1 осуществляется следующим образом. Падение напряжения на элементе 8 за смет протекания по нему тока от генератора 10 тока после размыкания ключа 4 компенсирует изменение разности потенциалов обкладок конденсатора 5, обусловленное импул1 сом управление при нулевом входном напряжении (неизменную составляиздую погрешности коммутации). Посредством делителя из пассивных элементов 7 и 8 осуществляется компенсация переменной составляющей погрешности коммутации, т.е. изменения разности потенциалов обкладок конденсатора, обусловленного изменением величины импульса управления за счет входного сигнала. Предложенное устройство имеет высокое быстродействие и не вносит погрешности коммутации в тракт обработки сигнала. Формула изобретения Аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопительный элемент, например конденсатор, первая обкладка, которого соединена с выходом первого ключа, сигнальный вход первого ключа соединен со входом устройства и с выходом второго , вход которого соединен с управляющим первого ключа и с выходом третьего ключа,вход третьего ключа соединен с шиной управления,о тли чающееся тем,что,с целью повышения точности устройства, в , него введены повторитель напряжения,первыи и второй пассивные элементы, чет вертый ключ и генератор тока, выход которого соединен через первый пассивный элемент с выходом устройства и с выходом повторителя напряжения, вход повторителя напряжения подключе к перрой обкладке конд;енсатора, другая обкладка которого соединена с выходом четвертого ключа, с первым выводом второго пассивного элемента и с выходом генератора тока, вход четвертого ключа и второй вывод второго пассивного элемента соединены с шиной нулевого потенциала, 0 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Обзор по электронной технике. Сер. 3 Микроэлектроника, вып.З, ЦНИИ Электроника, М,, 1978, рис.21. 2.Зарубежная радиоэлектроника, . 1976, If3, рис.20. 3 Микроэлектронные цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи информации. Под ред. В.Б.Смолова. Л., Энергия, 1976, рис. 32 (прототип) .

«/ ;f/

-о