Способ нанесения фоторезиста на подложку печатной схемы с отверстиями Советский патент 1981 года по МПК H05K3/00 G03C1/74 

ного раствора в виде свободно падающего потока на движущуюся подложку при скорости падения потока 60160 м/мин 2. Однако при используемых режимах не возможно получить покрытие высокого качества и одновременно избежать закупорки отверстий жидким фоторезистом при его поливе на подложку. Цель изобретения - повышение качества покрытия и уменьшение закупорки фоторезистом отверстий. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу нанесения фоторезиста на подложку печатной схемы с отверстиями, основанном на поливе раствора фоторезиста в виде свободно падающего потока на движущуюся подлож ку при скорости падения потока на под ложку 60-1бО м/мин, при поливе исполь зуют раствор фоторезиста с вязкостью 500-1200 мПа-с. Температура раствора фоторезиста по меньшей мере на 20°С выше температуры подложки печатной схемы. Раствор фоторезиста в виде свободно падающего потока накладывают на транспортируемую через этот поток под ложку, причем, во-первых, вязкость жидкого вещества регулируют так,то она при падении на подложку печатной схемы составляет 500-1200 мПа-с, предпочтительно 600-900 мПа-с, во-ато рых, высоту потока устанавливают такой, что скорость его при падении на подложку составляет около 60-160 м/ми предпочтительно 70-120 м/мин, и третьих, скорость транспортирования подложки выбирают равной или. несколько меньше, но предпочтительно больше конечной скорости потока. На чертеже схематически показана литьевая машина для осуществления способа. Литьевая машина содержит литьевую головку 1 со щелью 2, транспортирующе устройство с двумя ленточными конвейерами 3 и , запасную емкость 5. питающую линию 6, насос 7, отводящий трубопровод 8 расстояние Н между головкой 1 и конвейерами 3 и предпочтительно регулируется перемещением головки по высоте, подобным же образом в широких Диапазонах регулируются ширина щели 2, производительность на соса и скорость конвейеров или соответственно скорость вращения приводящего их в движение двигателя (не изображен) , подложки 9 печатной схе мы, поток 1U раствора фоторезиста, покрытие 11 из фоторезиста. Покрываемые подложки 9 печатных схем транспортируются на ленточных конвейерах 3 и под головкой 1 . При этом выходящий из щели 2 раствор фоторезиста свободно падает потоком 10 на подложки и образует на них тонкое покрытие 11 из фоторезиста. Так как подложки очень тонки по сравнению с высотой потока, расстояние между головкой и подложками практически равно расстоянию Н между головкой и ленточными конвейерами. Высоту потока и скорость транспортировки можно подобрать такими, чтобы покрытие из фоторезиста проявилось в качественную защитную маску. Для изготовления защитной маски применяется литьевая мамашина изображенного на чертеже типа 1мрмы Бюркле и Ко. , Машиненфабрик, Фройденштадт, ОРГ, модели LZKL АОО. Пример 1. Защитная маска с использованием данного способа нанесеf iH фоторезиста изготавливается следующим образом. При температуре окружающей среды приблизительно 25°С в литьевую машину (емкость 5) загружают следующий 39%-ный раствор по лимера, имеющий при комнатной температуре вязкость около 750 мПа-с. В состав раствора входит 1500 г светочувствительной эпоксидной смолы с молекулярным весом 2000 и содержанием эпоксида 0,8-1,0 А еди/кг, г 2,6 ксилилбигуанида, 1000 г 1-ацетокси-2-этоксиэтана, 1300 г этиленгликольмонометилэфира, 3 г красителя. При высоте литьевой головки 100 мм и ширине литьевой щели 0,6 мм скорость падения потока составляет на его нижнем конце около 70-90 м/мин. Скорость движения конвейеров составляет 130 м/мин. Покрываемая подложка печатной схемы имеет размер 210x300 мм и отверстия с диаметром 0,8 мм. После нанесения покрытия данная плата имеет покрытие из фоторезиста весом 6,10 г. После последующей сушки в течение 60 мин при 80°С в проветриваемом сушильном шкафу толщина покрытия на печатных проводниках шириной 2 мм составляет 20-22 м. Отверстия покрыты тонким покрытием из фоторезиста только у их верхнего края. Покрытые таким образом печатные схемы подвергают засвечиванию через фотошаблон 30 с 500О-ваттной металлогалогенной лампой ультрафиолетового излучения и затем проявляют в растворе циклогексанона. Проверка отверстий, а также рису ка защитной маски показывает, что от верстия чисты, а контуры имеют высокую резкость. После отверждения в течение 1 ч при печатную схему, покрытую маской, проводят через обычную волну припоя при . После этой процеду ры защитная маска не разрушается, а отверстия заполнены оловянным припое Пример 2. Подложки печатных плат форматом 400x550 мм и минимальн ми проводящими дорожками шириной 300 мкм, высотой 80 мкм при расстоянии между ними 350 мкм и минимальными диаметрами отверстий 0,8 мм покрываются слоем 37%-ного раствора фо торезиста с вязкостью 520 мПа-с. В состав раствора входит 5000 г содержащего эпоксидную группу фотополимера с молекулярным весом около 2бОО и содержанием эпоксида около 0,8Аеди/к 1бО г о-толуилбигуанида, 5300 г 1-ац токси-2-этоксиэтана, 2500 г мономети лового эфира этиленгликоля, 2500 г циклогексанона. Подложки обезжиривают 1,1,1-трихлорэтаном и высушивают при 80°С. На несение фоторезиста на нагретые подложки осуществляется при следующих условиях: Скорость ленточного конвейера, м/мин120 Высота потока раствора, мм120 Ширина зазора щели, мм0,5 Скорость падения потока на подложку, м/мин Около 10 Вес нанесенного-слоя составляет, г/м После просушки покрытия 10 мин и сушки в инфракрасной печи при 80-120 в течение 2 мин растворитель испаряе ся и после охлаждения в течение 90 с наносится на другую сторону подложки при тех же условиях и высушивается. На подложки с нанесенными покрытиями из фоторезиста накладывают фотомаски и в течение 5 с производится засветка металлогалогенной лампой мощностью 5000 Вт. Неосвещенные участки покрытия удаляют растворением циклогексаноном в распылителе при давлении около 2,5 бар. После отверждения подложки с защитными масками из фоторезиста проводят через волну припоя при 2бО°С. Маска не разрушается, отверстия заполняются оловянным припоем, что свидетельствует о том, что печатные контакты свободны от фоторезиста. П р и ме р 3- Для нанесения фоторезиста на подложки печатных схем с минимальным расстоянием между проводящими дорожками 500 мкм, толщиной дорожки 70 мкм и минимальным диаметром отверстий и 1,5 мм применяется k2% раствор фоторезиста. В состав раствора с вязкостью 1160 мПа-с при 24 С входит 5000 г фотополимера, содержащего эпоксидную группу с молекулярным весом около 2бО и содержанием эпоксида около 0,8 Аеди/кг, 1бО г о-толуилбигуанида, 3300 г 1-ацетокси-2-этоксиэтана, 2500 г монометилового эфира этиленгликоля, 1200 г циклогексанона, 10 г диаэрирующего вещества. Фоторезист наносится при следующих условиях: Скорость ленточного конвейера, м/мин110 Высота падения лака,мм12 Ширина зазора щели, мм0,6 Скорость падения потока при падении на подложку, м/мин100-120 Вес нанесенного слоя составлял, г/м 130 Подложки печатных схем с нанесенным фоторезистом после 10-минутной выдержки высушивают в печи непрерывного действия при 100-120 С 90 с. После охлаждения в течение 90 с фоторезист наносится на другую сторону подложки. Дальнейшая обработка (засветка, проявление, сушка) осуществляется как в примере 2. Так как в отверстия заливается лишь незначительное количество раствора фоторезиста, то после засвечивания можно качественно проявить защитную маску и при этом удалить из отверстий все остатки смолы. Формула изобретения 1. Способ нанесения фоторезиста на подложку печатной схемы с отверстиями, основанный на поливе раствора фоторезиста в виде свободно падающего потокана движущуюся подложку при скорости падения потока на подложку 60-1бО м/мин, отличающийс я тем, что, с целью повышения качества покрытия и уменьшения закупорки фоторезистом отверстий, при поливе используют раствор фоторезиста с вязкостью 500-1200 мПа-с. 2, Способ по п. 1, отличающийся тем, что температура раствора фоторезиста по меньшей мере на выше температуры подложки печатной схемы. 89 8 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент ША № 3883352, кл. 96-35.1, 1975. 2.Акцептованная заявка ФРГ « 1928025, кл. G 03 С 1/7, 197 (прототип) .