Способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

(54) СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ МАГНИТНОЙ СТРУКТУРЫ В ТОНКОЙ ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕ

1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств переработки и хранения дискретной информации на решетках цилиндрических магнитных доменов (ЦМД).

Известен способ образования магнитной структурь в тонкой доменосодержащей плец; ке, основанный на прило кении к ней магнитного поля, направление которого совпадает с направлением намагниченности ЦМД, которые предварительно были сформированы в данной пленке. Импульсное магнитное поле создается с помощью токопроводящей петли или катушки, лежащей на пленке 1.

Однако применение магнитной структурь сформированной данным способом в различных устройствах на ЦМД, практически невозможно из-за ее крайней нерегулярности.(

Наиболее близким к предлагаемому техническим решением является способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке, основанный, как и предлагаемый на формировании решетки ЦМД и последующем перемагничивании за-, данных участков тонкой доменосодержащей

пленки. В данном способе магнитная структура формируется с помощью системы орт.огональных проводников, нанесенных на пленку. При формировании доменной структуры сначала в пленке образуется решетка ЦМД, затем отдельные участки перемагничиваются при подаче соответствующих токовых импульсов в проводники, ограничивающие эту область.

Недостатком данного способа также является его сложность, невозможность обеспечения максимально допустимой плотности формируемых структур и регулирования их параметров в процессе формирования.

Цель изобретения - упрощение образования магнитной структуры.

Поставленная цель достигается тем, что

15 согласно способу образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке формирование рещетки ЦМД осуществляют из однодоменного состояния, а перемагничивание тонкой доменосодержащей пленки

20 осуществляют многократно импульсным градиентным магнитным полем, амплитуда и направление которого определяются образованием в заданном участке доменосодержащей пленки доменной границы, разделяющей области с -противоположно намагниченными ЦМД. . На иг. 1-3 изображены последовательные стадии создания магнитной структуры; на фиг. 4 показана сформированная магнитная структура. Создание магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом. -К тонкой доменосодержащей пленке 1 (см. фиг. 1), в которой могут существовать ЦМД, прикладывают поле смещения H HS, где HS - поле насыщения пленки. Одновременно в проводник 2, который либо наносится непосредственно на пленку 1, либо на стеклянную пластинку, прикладываемую к пленке, подаются прямоугольные импульсы тока. Если необходимо создать доменную структуру в области 3, находящейся на .расстоянии о/ от проводника 2, то полярность импульсов должна быть такой, чтобы импульсное магнитное поле Нимп . создаваемое проводником 2 в области 3, было антипараллельно полю смещения Н. Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Нимп Но где Н ) - поле зародыщеобразования данной пленки. Затем поле смещения снижается до величины Но Н Н„, гдеН - поле коллапса ЦМД в данной пленке. При этом в области 3 формируется регулярная рещетка ЦМД. После этого поле смещения и амплитуда импульсного магнитного псля снижаются до нуля. Затем в проводник 2 подается последовательность импульсов тока той же полярности, что и при формировании решетки, но амплитуда которых достаточна для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Нимп Н После того как амплитуда импульсного магнитного поля будет снова уменьшена до нуля, область 4 (см. фиг. 2) пленки перемагнитится в решетку с ЦМД, полярность которых противоположна; полярности ЦМД в области 3. Подавая в проводник 2 импульсы тока, полярность которых противоположна полярности подаваемых перед этим импульсов, а амплитуда, достаточная для создания на расстоянии в (см. фиг. 3) от проводника 2 импульсного магнитного поля Н)мп HS, а на расстоянии а Нимп HS, и после уменьщения амплитуды до нуля, в областях 3 и 5 будут ЦМД одной полярности а в области 4 - противоположной (см. фиг. 3). Повторяя этот процесс несколько раз можно во всей области пленки, находящейся на расстоянии а от проводника 2, образовать магнитную структуру в виде,эбласте% с чередующейся намагниченностью ЦМД в них (см. фиг. 4). Ширина областей может быть произвольной, точно установленной с помощью амплитуды импульсов тока. Технико-экономические преимущества предлагаемого способа образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке заключаются в значительном упрощении существующих устройств формирования магнитных структур пленок; в возможности регулирования параметров магнитных структур в процессе их формирования; в значительном снижении энергоемкости устройств, использующих магнитные структуры в виде областей с противоположно намагниченными ЦМД. Формула изобретения Способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке, основанный на формировании решетки цилиндрических магнитных доменов и последуюш;ем перемагничивании заданных участков тонкой доменосодержащей пленки, отличающийся тем, что, с целью упрощения образования магнитной структуры, формирование рещетки цилиндрических магнитных доменов осуществляют из однодоменного состояния, а перемагничивание тонкой доменосодержащей пленки осуществляют многократно импульсным градиентным магнитным полем, амплитуда и направление которого определяются образованием в заданном участке доменосодержащей пленки доменной границы, разделяющей области с противоположно намагниченными цилиндрическими магнитными доменами. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США № 3811119, кл. 340-174, опублик. 1976. 2.Патент США № 3798622, кл. 340-174, опублик. 1975 (прототип).