(54) СЕГНЕТОЭЛЁКТШЧЕСгаЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕИСАП
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Сегнетоэлектрический керамический материал | 1980 |
|
SU977437A1 |
СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ НЕБЛАГОРОДНЫХ МЕТАЛЛОВ | 1992 |
|
RU2047233C1 |
Сегнетокерамический материал | 1975 |
|
SU662532A1 |
Керамический водородоустойчивый материал | 1977 |
|
SU621657A1 |
Сегнетоэлектрический керамический материал | 1982 |
|
SU1085964A1 |
Шихта для сегнетоэлектрического керамического материала | 1981 |
|
SU948973A1 |
СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРОВ | 1989 |
|
RU1632254C |
Сегнетоэлектический керамический материал | 1977 |
|
SU697462A1 |
Шихта для изготовления сегнетокерамического материала | 1982 |
|
SU1028644A1 |
Сегнетоэлектрический керамический материал | 1981 |
|
SU975680A1 |
Изобретение относится к радиоэле тронной технике и может быть исполь зовано преимущественно для изготовления монолитных керамических конденсаторов, которые являются одной из наиболее перспективных разновидностей кера даческих кондансаторов. В качестве материала для электродов в них используют, как правило, благородные металлы - платину и палладий. В конденсаторостроении все больш значение приобретает проблема эконо мии благородных металлов, при замене которых на неблагородные необход мо Проводить вжигание электродов в восстановительной газовой среде. Известны конденсаторные материалы на основе титанатов, цирконатов кальция, а в качестве материала для электродов используют молибден марганцевую пасту 1. Однако эти материалы имеют или высокую температуру спекания, или нееурлыиую величину диэлектрической проницаемости. Наиболее близким к предлагаемому является сегнетоэлектрический кера.мический материал, в которой входят -п дующие исходные компоненты, мас. МдО0,7-1,5 СаЗЮз 5,0-6,3 ВаТЮ Остальное Данный водородоустойчивый матерИсШ имеет величину диэлектрической проницаемости Е 4080+4600, темпера.туру спекания в водороде Т 1300+ +20 С, электроды на основе молибдена Г2 . Этот материал обладает недостаточной диэлектрической проницаемостью и имеет высокую температуру спекания. Цель изобретения - снижение температуры спекания в водороде и повышение диэлектрической проницаемости. Указанная цель достигается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления монолитных керамических конденсаторов с электродами из неблагородных металлов, включающий BaTiOj , CcUrOj, дополнительно содержит Мп при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiOj90,30-91,26 СаЛпОз8,14-8,97 МпО0,60-0.,67 Реальность предлагаемого соотношения ингрийиентов подтверждается привелением следующих примеровпо минимальному, максимальному и среднему значениям, вес.% Пример. По минимуму, %: BaTlOj 91,(ОгОз 8,14; МпО 0,60 . Загружснот в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количеств 90,92%, затем, добавляют к нему цир нат кальция 8,11 %,и углекислый мар ганец 0,97%. Характеристики материала следующие:Диэлектрическая проницаемость,Е4800-5200 Тангенс угла диэлектрических потерь, tgg 0,022+0,02 Удельное объемное сопротивлен е, ру, Ом.м Температура спекания в Н, , С1250+30 Пример 2. По максимуму,%: BaTlOj 90,36, СаЗгО, 8,97; МпО 0,67. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве 89,98%, затем добавляют к нему цирконат кальция 8,93% и углекислый ма ганец 1,09%. Характеристики материала следующие:5000+5500 0,022+0,025 10®+10 J5y, ОМ.М 1250+30 3. По среднему, знаП р и м .е р чению, %: BaTiO 90,81; СоЛсО 8,56; МпО 0,63. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве 90,45 %, затем добавляют к нему цир нах кальция 8,52 % и углекислый мар ганец 1,03 %. Характеристики материала следующие:5000+5800 0,007+0,015 10 +10 ру,Ом-м Т°, С1250 + 30 Сегнетокерамический водородоустойчивый материал получают следующим образом. Указанные в примерах 1-3 компоненты перемешивают в вибромельнице в течение 2-3 ч и в результате получают тонкоизмельченный порошок, к которому добавляют поливиниловый спирт, а затем формуют образцы прессованием дисков, на которые наносят электроды из молибдено-марганцевой пасты. Образцы обжигают в-увлажненном водороде при . Т 1250+30с и получают дисковые заготовки конденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического материала. Как видно из приведенных данных, температура спекания в водороде у предлагаемого материала на 75° ниже, а диэлектрическая проницаемость на 1200 выше, чем у известного. Формула изобретения Сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления монолитных керамических конденсаторов с. электродами из неблагородных металлов, включающий BaTiOg, Са.ЭгОу отличающийся тем, что, с целью снижения температуры спекания в водороде и повышения диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит МпО при следующем соотношении компонентов, мас.%: ВаТЮ}90,36-91,26 СаЗЮз 8,14-8,97 МпО0,60-0,67 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР 621657, кл. С 04 в 35/46, 1975. 2.Авторское.свидетельство СССР 662532, кл. С 04 в 35/46, 1975.
Авторы
Даты
1982-06-15—Публикация
1979-11-13—Подача