Сегнетоэлектрический керамический материал Советский патент 1982 года по МПК C04B35/468 

Описание патента на изобретение SU935498A1

(54) СЕГНЕТОЭЛЁКТШЧЕСгаЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕИСАП

Похожие патенты SU935498A1

название год авторы номер документа
Сегнетоэлектрический керамический материал 1980
  • Заремба Надежда Евгеньевна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Пахомова Наталия Ивановна
  • Симо Галина Петровна
  • Бойкова Дина Алексеевна
SU977437A1
СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ НЕБЛАГОРОДНЫХ МЕТАЛЛОВ 1992
  • Пахомова Н.И.
  • Ротенберг Б.А.
RU2047233C1
Сегнетокерамический материал 1975
  • Заремба Надежда Евгеньевна
  • Додонова Татьяна Абрамовна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
SU662532A1
Керамический водородоустойчивый материал 1977
  • Стрельцына Ревекка Нафтальевна
  • Санчурская Елена Германовна
SU621657A1
Сегнетоэлектрический керамический материал 1982
  • Андреева Нина Александровна
  • Балакишиева Татьяна Адильевна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Макарова Галина Николаевна
  • Ротенберг Борис Абович
  • Андреев Дмитрий Алексеевич
  • Константинов Олег Владиславович
  • Голубцова Лидия Александровна
  • Костомаров Владимир Степанович
  • Соловьева Лидия Алексеевна
SU1085964A1
Шихта для сегнетоэлектрического керамического материала 1981
  • Андреева Нина Александровна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Макарова Галина Николаевна
  • Ротенберг Борис Абович
  • Андреев Дмитрий Алексеевич
  • Константинов Олег Владиславович
SU948973A1
СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРОВ 1989
  • Пахомова Н.И.
  • Заремба Н.Е.
  • Ротенберг Б.А.
  • Рубальский Г.Д.
RU1632254C
Сегнетоэлектический керамический материал 1977
  • Андреева Нина Александровна
  • Барашкова Евдокия Ивановна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Исупова Евгения Николаевна
  • Макарова Галина Николаевна
  • Панова Татьяна Ивановна
  • Савченко Евгения Петровна
SU697462A1
Шихта для изготовления сегнетокерамического материала 1982
  • Андреева Нина Александровна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Макарова Галина Николаевна
  • Ротенберг Борис Абович
  • Андреев Дмитрий Алексеевич
  • Константинов Олег Владиславович
  • Аборинская Нина Сергеевна
  • Голубцова Лидия Александровна
  • Бертош Иван Григорьевич
  • Соловьева Лидия Алексеевна
SU1028644A1
Сегнетоэлектрический керамический материал 1981
  • Андреева Нина Александровна
  • Жуковский Вячеслав Илиодорович
  • Макарова Галина Николаевна
  • Ротенберг Борис Абович
  • Андреев Дмитрий Алексеевич
  • Константинов Олег Владиславович
SU975680A1

Реферат патента 1982 года Сегнетоэлектрический керамический материал

Формула изобретения SU 935 498 A1

Изобретение относится к радиоэле тронной технике и может быть исполь зовано преимущественно для изготовления монолитных керамических конденсаторов, которые являются одной из наиболее перспективных разновидностей кера даческих кондансаторов. В качестве материала для электродов в них используют, как правило, благородные металлы - платину и палладий. В конденсаторостроении все больш значение приобретает проблема эконо мии благородных металлов, при замене которых на неблагородные необход мо Проводить вжигание электродов в восстановительной газовой среде. Известны конденсаторные материалы на основе титанатов, цирконатов кальция, а в качестве материала для электродов используют молибден марганцевую пасту 1. Однако эти материалы имеют или высокую температуру спекания, или нееурлыиую величину диэлектрической проницаемости. Наиболее близким к предлагаемому является сегнетоэлектрический кера.мический материал, в которой входят -п дующие исходные компоненты, мас. МдО0,7-1,5 СаЗЮз 5,0-6,3 ВаТЮ Остальное Данный водородоустойчивый матерИсШ имеет величину диэлектрической проницаемости Е 4080+4600, темпера.туру спекания в водороде Т 1300+ +20 С, электроды на основе молибдена Г2 . Этот материал обладает недостаточной диэлектрической проницаемостью и имеет высокую температуру спекания. Цель изобретения - снижение температуры спекания в водороде и повышение диэлектрической проницаемости. Указанная цель достигается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления монолитных керамических конденсаторов с электродами из неблагородных металлов, включающий BaTiOj , CcUrOj, дополнительно содержит Мп при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiOj90,30-91,26 СаЛпОз8,14-8,97 МпО0,60-0.,67 Реальность предлагаемого соотношения ингрийиентов подтверждается привелением следующих примеровпо минимальному, максимальному и среднему значениям, вес.% Пример. По минимуму, %: BaTlOj 91,(ОгОз 8,14; МпО 0,60 . Загружснот в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количеств 90,92%, затем, добавляют к нему цир нат кальция 8,11 %,и углекислый мар ганец 0,97%. Характеристики материала следующие:Диэлектрическая проницаемость,Е4800-5200 Тангенс угла диэлектрических потерь, tgg 0,022+0,02 Удельное объемное сопротивлен е, ру, Ом.м Температура спекания в Н, , С1250+30 Пример 2. По максимуму,%: BaTlOj 90,36, СаЗгО, 8,97; МпО 0,67. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве 89,98%, затем добавляют к нему цирконат кальция 8,93% и углекислый ма ганец 1,09%. Характеристики материала следующие:5000+5500 0,022+0,025 10®+10 J5y, ОМ.М 1250+30 3. По среднему, знаП р и м .е р чению, %: BaTiO 90,81; СоЛсО 8,56; МпО 0,63. Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария в количестве 90,45 %, затем добавляют к нему цир нах кальция 8,52 % и углекислый мар ганец 1,03 %. Характеристики материала следующие:5000+5800 0,007+0,015 10 +10 ру,Ом-м Т°, С1250 + 30 Сегнетокерамический водородоустойчивый материал получают следующим образом. Указанные в примерах 1-3 компоненты перемешивают в вибромельнице в течение 2-3 ч и в результате получают тонкоизмельченный порошок, к которому добавляют поливиниловый спирт, а затем формуют образцы прессованием дисков, на которые наносят электроды из молибдено-марганцевой пасты. Образцы обжигают в-увлажненном водороде при . Т 1250+30с и получают дисковые заготовки конденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического материала. Как видно из приведенных данных, температура спекания в водороде у предлагаемого материала на 75° ниже, а диэлектрическая проницаемость на 1200 выше, чем у известного. Формула изобретения Сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления монолитных керамических конденсаторов с. электродами из неблагородных металлов, включающий BaTiOg, Са.ЭгОу отличающийся тем, что, с целью снижения температуры спекания в водороде и повышения диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит МпО при следующем соотношении компонентов, мас.%: ВаТЮ}90,36-91,26 СаЗЮз 8,14-8,97 МпО0,60-0,67 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР 621657, кл. С 04 в 35/46, 1975. 2.Авторское.свидетельство СССР 662532, кл. С 04 в 35/46, 1975.

SU 935 498 A1

Авторы

Заремба Надежда Евгеньевна

Жуковский Вячеслав Илиодорович

Пахомова Наталия Ивановна

Симо Галина Петровна

Чернышева Галина Владимировна

Даты

1982-06-15Публикация

1979-11-13Подача