Сегнетоэлектрический керамический материал Советский патент 1982 года по МПК C04B35/468 C04B35/49 

(54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано, преимуще венно, для изготовления дисковых керамическ конденсаторов./ Известны дисковые конденсаторы, в которых используют в качестве материала электродов серебро 1. Однако использование серебра удорожает конденсаторы. Известны конденсаторы, в которых благоро тт металл заменен на неблагородный. Эти конденсаторы требуют наличия керамики, допу кающей обжиг в восстановительной среде, так как для того, тгобы не допустить окислеНИН неблагородного металла при вжиганин, необходимо обжигать заготовки в защитной среде 21 и 3. При этом большинство видов конденсаторной керамики либо приобретает полутфоводниковые свойства, либо имеет недостаточно высокие значения диэлектрической проницаемости . Наиболее близким к предла hieMOMy являет ся материал, содержащий ВаТЮз и МпО в следующем соотнощении компонентов, мас.%: ВаТЮз37,82-86,79 МпО13,21-62,18 Данный материал имеет величину 3400, но допускает вжигание во влажном водороде электродов на основе Fe, Ni или NiO 4. Однако этот материал имеет диэлектрическую проницаемость недостаточную для изготовления конденсаторов с.высокой удельной емкостью. Цель изобретения - повьпиение диэлектрической проницаемости. Указанная цель достигается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий ВаТЮз и МпО, дополнительно содержит ВаЕЮэ при следующем соотяощешш компонентов, мас.%: ВаТЮз 84,83-85,93 ВаггОз13,87-15,07 МпО0,10-0,20 Пример 1 (по минимуму мас.%). Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария (ВаТЮз) количестве 84,83, затем добавлшот в нему цирконах бария (ВаЕгОз) 15,07 и закись марганца (МпО) 0,1. Перемешивают компрненты в течение 2-3 ч, к тонкоизмельченному порошку добавляют поливиниловый стфт, формуют образцы и обжигают их в воздушной феде при 1400- 1450° С. На спеченные заготовки наносят Мо-Мп пасту и вжигают ее в увлажненном водороде (точка росы 10-18° С) при 1200° С. Получают следующие характеристики материала: диэлектрическая проницаемость 10000-12400; таЛгенс угла диэлектрических потерь tg сГ 0,008-0,017; удельное объемное сопротивление р (0,95-1,81)« 10 Ом.м Пример 2 (по максимуму). Загружаю в вибромельницу в виде порошков титанат бария (ВаТЮз) в количестве 85,93, затем добавляют к нему цирконат бария (BaZrOs) 13,87 и закись марганца (МпО) 0,2. Получают следуюшйе характеристики матери ала: диэлектрическая проницаемость , 11600- 14000; тангенс угла диэлектрических потерь tg60,011-0,015; удельное объемное сопротивление 9v (1,08-3,44) 10 Ом.м. Пример 3 (по среднему значению). Загружают в вибромельницу в виде порошков татанат бария (BaTiOa) в количестве 85,38, затем добавляют к нему цирконат бария (BaZrOa) 14,47 и закись марганца (МпО) 0,15 Характеристики материала в этом случае следующие: диэлектрическая проницаемость 97 4 g - 10800-15000; тангенс угла диэлектрических потерь tg сГ 0,008-0,020; удельное объемное сопротивление Ру (1,67-7,6) 10 Ом.м. Составы без МпО имеют 4000-6000, при содержании МпО, равном 0,05%, 40005000, а при содержании МпО равном 0,3% 6 - 8000-9000, Формула изобретения Сегнетозлектричёский керамический материал, содержащий ВаТЮз и МпО, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит BaZrOs при ледуюшем соотношении компонентов, мас.%: ВаТ Оз84,83-85,93 BaZrOs13,87-15,07 МпО0,10 -0,20 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. Энергия, 1976, с. 210-213. 2.Патент Франции № 2331533, кл. С 04 В 75/00, 1977. 3.Авторское свидетельство СССР № 662582, кл. С 04 В 35/46, 1979. 4.Патент Великобритании № 1064325, кл/С 1 F, 1963.