Резистивный материал Советский патент 1982 года по МПК H01C7/00 

1

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении толстопленочных резисторов.

Известны резистивные материалы, где в качестве/токопроводящей фазы применяется какой-либо из боридов: молибдена,тантала, циркония, хрома, титана t1.

Основными недостатками данных материалов являются трудности, связанные с необходимостью изготовления резисторов в инертной атмосфере, аргоне, гелии, азоте, смеси азота с водородом, из-за низкой жаростойкости и высокое значение термического температурного коэффициента сопротивления (ТКС).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является резистивный материал, содержащий борид редкоземельного или щелочноземельного металла и стеклосвязующее или смесь гексаборидов этих металлов с благородными или другими металлами , или твердые растворы диборидов переходных металлов, например диборид титана или дибромид хрома, с гексаборидом редкоземельного металла, например гексаборидом лантана .

Основными недостатками известного материала является большая величина температурного коэффициента сопротивления, узкая область существова 0ния твеЬдых растворов в системе LaB TiB/j, LaBg-CrB, что создает технологические трудности при их получении, недостаточная жаростойкость, ,5 в связи со склонностью и СгВд, к окислению при температурах вжигания и высокая стоимость резисторов.

20 Цель изобретения - снижение величины температурного коэффициента сопротивления, повышения жаростойкости. Поставленная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий

токопроводящую фазу на основе бора, лантана, бария и стеклосвязующее, содержит в качестве токопроводящей фазы твердый растер гексаборидов латана и бария при следующем количественном соотношении компонентов, весД: .

Гексаборид лантана 33,,2 Гексаборид бария 33,8-66,5 Токопроводящая фаза и стеклосвязующее взяты в следующих соотношениях, весД:

Токопроводящая фаза 60-80 Стеклосвязующёе Гексабориды бария и лантана, обладая, одинаковой кристаллической структурой и близкими значениями периодов кристаллической решетки, образуют широкую область твердых растворов, что дает возможность получить однофазный материал, используемый в качестве токопроводящей фазы резисторов.. ТКС толстопленочных резисторов из этого материала ниже, чем ТКС резисторов на основе индивидуальных La В,.

Для изменения номиналов сопротивления толстопленочных резисторов в определенных пределах обычно изменяют состав резистивного материала (изменяют соотношение токопроводящей фазы и стекла). При этом неизбежно изменяется и ТКС, зависящий от состава материала и ТКС токопроводящей фазы.

При изготовлении резисторов из предлагаемого материала с различным соотношением токопроводящей фазы и стекла имеется возможность сохранят низкий ТКС за счет иQПOльзoвaния в

качестве токопроводящей фазы твердых растворов гексаборидов бария и лантана различных составов. При этом термообработка резистивных паст различных номиналов, изготовленных на основе этих твердых растворов, осуществляется по одному и тому же режиму за один цикл вжигания.

Твердые растворы , различного состава изготавливают ооротермическим восстановлением ВаСОа и i-a-0 в вакууме. Количество исходных компонентов определяется исходя из уравнения реакции восстановления:

2(1-x)JLa O 4xBaCO + ОО-2х)В

.Bg (3-х. -ЦхСО, где X находится в пределах 0,57.,

В качестве стеклосвязующего может быть использовано аморфное или кристаллизующееся бесщелочное cteклo, следующего состава, вес.I:

SiOi 25-30

, 0-13 АЕ2.0з 2-7

Bij.03 15-35

CdO0-1

Изготовление толстопленочных резисторов из предлагаемого материала осуществляется по общепринятой тех нологии, вжигание резисторов проводится на воздухе, для этого могут быть использованы конвейерные печи промышленного типа.

Ниже приведены конкретные примеры приготовления резистивного материала предлагаемого состава с различным содержанием исходных компонентов и их характеристики.

Предлагаемые 1BaBg33,8 2013 LaB66,2 ь ,8 о LaB-66,2 о 2BaBg37,2 LaBg62,8 ,