ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ Советский патент 1974 года по МПК C03C3/64 

1

Изобретение касается диэлектрического материала в основном для композиционных толстопленочных резисторов и может использоваться в качестве стеклосвязки при изготовлении толстопленочных резисторов.

Известен материал, использующийся в качестве стеклосвязи, содержащий, вес. %: АЬОз3-15

ВгОз5-30

ВаО20-60

ВЮ25-50

СаО, SrOДо 10.

Однако резисторы с применением этого материала в качестве стеклосвязи имеют низкую термостойкость и довольно высокий температурный коэффициент сопротивления (ТКС).

Целью изобретения является повышение термостойкости и влагостойкости резисторов. Это достигается тем, что в диэлектрическом материале на основе стекла исходные компоненты стекла взяты в следующем соотношении, вес. %;

АЬОз28-34

ВгОз30-33

SiOa12-15

СаО19-21

SrO3-5.

При изготовлении резистивных паст диэлектрический материал вводится в количестве 20-80 вес. % и остальные до 100% - проводящая фаза (например, бориды металлов). Кроме того, вводится органическое связующее вещество в количестве 25-30 вес. % от порошковой композиции пасты.

Резисторы, изготовленные с использованием данного диэлектрического материала и боридов металлов, имеют следующие характеристики: ТКС (от +20 до 125°С и от -60 до 20°С) равен (0-3)-10- Р/С; термостойкость 0-1%.

Пример 1. Паста для толстопленочных резисторов изготавливается перемешиванием порошковой резистивной композиции, содержащей диэлектрический и проводящий материалы, с органической связующей на основе ланолина, вазелинового масла и циклогексанола.

На основе пасты, содержащей 50 вес. % диэлектрического материала следующего состава, вес. %:

АЬОз34

ВаОз30

SiOa12

СаО19

SrO5

и остальное до 100%- гексаборид лантана, получены толстопленочиые резисторы с удельным сопротивлением 70 ом/кв и ТКС (20- 125°С) -2,5-10-4 1/°с.

Пример 2. Наста, приготовленная по примеру 1 и содержащая 66 вес. % диэлектрического материала следующего состава, вес. %:

АЬОз33

ВзОз31

Si0212

СаО20

SrO4

и остальное до 100% - борид молибдена, обеспечивает получение толстопленочных резисторов с удельным сопротивлением 300 ом/кв и ТКС - 1,5-10-4 I/OG.

Пример 3. Паста, приготовленная по примеру 1 и содержащая 80 вес. % диэлектрического материала состава, вес. % ЛиОз28

В2Оз33

Si0215

СаО21

SrO3

и остальное до 100% - борид молибдена, обеспечивает получение толстопленочных резисторов с удельным сопротивлением 150000 ом/кв и ТКС -3,0-10-4 1/°С.

Предмет изобретения

Диэлектрический материал преимущественно для изготовления композиционных резисторов на основе стекла, содержащего AljOa, ВдОз, SiO2, СаО и SrO, отличающийся тем, что, с целью повыщения влагостойкости и термостойкости резисторов, исходные компоненты стекла взяты в следующем количественном соотнощении, вес. %:

АЬОз28-34

В2Оз30-33

SiOa12-15

СаО19-21

SrO3-5.