Электротехническое стекло Советский патент 1982 года по МПК C03C3/04 

Изобретение относится к электронно и радиоэлектронной технике, приборостр нию и црупол областям техники, где и пользуются электрстгехнические стекла качестве диэлектрика с низкими значениями диэлектрических потерь и диэлек .трической щэоницаемости. Известно стекло 1 следующего со става, вес. %: 52-54 8-11,2 5-6,5 26-27 0,1-0,4 0,3UD,8 Fe«0j +FeO 0,1-0,9 CrrjOj 2,0-2,8 1,0-1,8 Рдвако указанный состав стекла не обеспечивает получение низких значени диэлектрических потерь и диэлектричес кой проницаег юсти. Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достагаемому .результату является стекло С23 следующего состава, вес. %: 45-68, 12-21 McgO18-32 ВскО0,02-3 СаО0,1-3 МпО0,О2-3, и кроме того, Сг( 0,02-1 TiOQ 0,02-0,5 . Недостатком данного стекла является высокий фактор диэлектрических потерь (38,4-58) 10- и низкий КТР (38-46)х xlO l/C, не позволяющий получить согласованные спаи с молибденом и коваром. Целью изобретения является снижение фактора диэлектрических потерь и повышение коэффгашента термического расширения. Поставленная цель достигается тем, что электротехническое стекло, включающее Si Q , МсуО , /ИпО /GriOj, 3 ТЧОг2 дополнительно содержит 7.п О при следующем соотношении компонентов, вес. %: 51-62 7-14 25-32 р,01-2,О 0,01-О,8 0,01-0,2 0,01-2,0. Введение добавки в предложенный состав стекла стимулирует получение наиболее высоких диэлектрических свойств. В таблице представлены составы предлагаемых стеноп и зах некоторые физико-химические свойства. Состав стекла обеспечивает возможность варки, пайки и эксплуаташш изде лий в условиях восстановительной среды Коэффшшент термического расширения. сгёкла согласован с металлами - кова- ром и молибденом. Приготовленную ших ту обжигают на воздухе (на спек) до 14д с вьздержкой при этой температуре 1 ч. Затем шихту загружают в молибденовые лодочки. Варку стекла осущерувляют в водородной среде при температуре 1550-1580 в течение 1-2 ч. После варки стекло резко охлаждают, измельчают до удельной поверхности (4-6)-10 и формуют изделия по методам, известным в порошковой технолотщ. Готовые изделия обжигают до 1200т;. .Изделия могут изготовляться и по стекольной технологии. В области сверхвысоких частот за5шляемое стекло имеет со в 25 раз более низкие значения диэлектрических потерь и диэлектрическую проницаемость в пределах 5,1-5,7, Фактор диэлeктixнчecкиx потерь ( t с л Ю) у предлагаемого стекла более низкий, а КТР - более-высокий, чем у известного, что позволяет получать спаи с молибденом и коваром. Изоляторы, изготовленные нз заявляемого стекла могут быть использованы дая уменьшения паразитных емкостей н&которых изделий.

57,5562,058,4 11,69,4711,5 29,Ь26,428,0 1,32,00,1 л 0,40,070,2 0,10,051,7 0,050,010,1 Тангенс утла Диэлектрических потерь, tcjo/.lO при f « 1,03,02,0 Диэлектрическая проницаемость, 6 5,675,625,76 KTPct-lO 616265 Температура варкза ,°С 155О15701550 Фактор диэлектрических потерь, tcjcAe-lO - при f 5,67 17 11,5 55,1.51,451,061,962,0 12,713,014,О7,011,0 30,О31,632,Ь28,625,0 0,61,22,01,010,01 0,50,60,80,010,5 i;O2,00,01;2,01,29 0,10,20,190,080,20 4,64,03,04,05,0 5,15,55,85,05,4 5057525654 1550 1550 1580 15601580 23,5 . 22 17,4

Формула изобретени

Электротехническое стекло, включающее s-iO,. о , Мпо , ,

TiOrj .отличающееся тем,

что, с целью снижения фактора диэлектрических потерь и повьпиения коэффнвиента термическотю расширения, оно дополнительно содержит 2пО лри следующ соотношении компонентов, вес. %:

5-10 151-62

Ле Оз7-3,4

25-32 МпО 0,01-2,6

СглОт. 0,01-О,8

О,О1-О,2 0,01-2.0

ZnO

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

кл. С 03 С 3/04, 1979 (прототип).