Электрофотографический материал Советский патент 1982 года по МПК G03G5/06 

Описание патента на изобретение SU966657A1

(54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Похожие патенты SU966657A1

название год авторы номер документа
Электрофотографический материал 1973
  • Блюмбергас Ромуальдас Ионо
  • Гайдялис Валентас Ионо
  • Дуобинис Нарцизас Косто
  • Зданавичюс Ионас Ионо
  • Кавалюнас Римтаутас Ионо
  • Куткявичюс Стасис Иозо
  • Сидаравичюс Ионас-Донатас Броняус
  • Ундзенас Альгимантас Ионович
SU570010A1
Электрофотографический материал 1987
  • Ундзенас Альгимантас Ионо
SU1451637A1
Электрофотографический материал 1978
  • Гражулевичус Юозас-Видас Альфонсович
  • Кавалюнас Римтаутас Ионо
  • Куткявичюс Стасис Иозо
  • Гайдялис Валентас Ионо
  • Гирджюшас Альгирдас Иполито
  • Ундзенас Альгимантас Ионо
SU672602A1
ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 1984
  • Кошелев К.К.
  • Василенко Н.А.
  • Бойко И.И.
  • Кошелева Г.А.
  • Бойко Т.Н.
  • Котов Б.В.
SU1194178A1
Электрофотографический материал 1980
  • Балабанов Евгений Иванович
  • Гайдялис Валентас Ионович
  • Маринина Любовь Егоровна
  • Румянцев Борис Михайлович
  • Рыбалко Галина Ивановна
  • Семенова Лариса Васильевна
  • Сидаравичюс Ионас Брониславович
  • Юдина Галина Ивановна
SU972467A1
ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 1983
  • Маркин В.С.
  • Бойко И.И.
  • Абраменко П.И.
  • Новожилов С.В.
  • Орлова Л.И.
  • Матасова Г.И.
  • Кошелев К.К.
  • Орлов И.Г.
SU1137915A1
ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 1984
  • Кошелев К.К.
  • Маркин В.С.
  • Кошелева Г.А.
  • Бойко И.И.
  • Абраменко П.И.
  • Орлов И.Г.
SU1190780A1
Способ изготовления электрофотографического материала на основе органического фотопроводника 1990
  • Дуобинис Нарцизас Костович
  • Липин Юрий Викторович
  • Ундзенас Альгимантас Ионович
SU1741094A1
Электрофотографический материал 1979
  • Блюмбергас Ромуальдас Ионо
  • Гражулявичюс Юозас-Видас Альфонсович
  • Дуобинис Нарцизас Косто
  • Кавалюнас Римтаутас Ионо
  • Гайдялис Валентас Ионо
  • Ундзенас Альгимантас Ионо
  • Крейвенене Ниеле Броняус
SU785838A1
ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 1983
  • Кошелев К.К.
  • Бойко И.И.
  • Котов Б.В.
  • Кошелева Г.А.
  • Василенко Н.А.
  • Берендяев В.И.
  • Бойко Т.Н.
  • Новожилов С.В.
  • Орлов И.Г.
  • Праведников А.Н.
SU1141898A1

Реферат патента 1982 года Электрофотографический материал

Формула изобретения SU 966 657 A1

, , 1

Изобретение относится к регистрации световой информации и злектрографии.

Известен электрофотографический материал, состоящий из подложки и слоя органического полимерного полупроводника с сенсибилизатором. В этом материале в качестве полупроводника использован поли-М-эпоксипропилкарбазол 1.

Однако этот материал характеризуется недостаточной фоточувствительностью.

Целью изобретения - улучшение эластич.ности, фототермопластических свойств и фото чувствительности.

Поставленная, цель достигается тем, что в качестве полимерного полупроводника использован поли метилен (1-нафтилфениламино)ок- . сизтилен или композиция, содержащая его в качестве одной из компонент.

Полимер имеет гибкую цепь за счет присутствия атома кислорода и обладает лучшей по Ьравнению с известным фоточувствительностью благодаря большим боковым ароматическим привесам.

Полимер имеет структурную формулу

- СНл- ОН -0Пример 1. Готовят 5-10%-ный толуольный или бензольный раствор поли метилен (1 -нафтилфениламино) оксизтилена. Раствор наносят на стеклянную подложку с электропроводящим слоем (например, SnOj) и высушивают в вакуумном шкафу при 50 С. Проведенные исследования показывают, что опти. мальная толщина слоев 5-15 мкм. Слой прозрачен в видимой области спектра (поглощение не превышает 10%). Слой толщиной 78 мкм заряжается до 700-1000 В как в положительной, так к в отрицательной короне.

Te dнoвofi сщд потенциала за 1 мин не превышает 15% от начального потенциала.

Пример 2. Готовят 5%-ный раствор поли метилен (Ьнафтилфеннламино) оксиэтилена в толуоле или бензоле. Раствор наносят на дюралюминиевую или электропроводящую стеклянную подложку, предварительно покрытую тонким слоем (, мкм) аморфного селена, t Слой полимера толщиной 7S мкм в такой системе заряжается отрицател ным зарядом до 500-600 В. Темновой спад потенциала за .1 мин не превышает 20%. Фоточувствительность такого слоя при освещении белым светом ,1 лк С.

Для увеличения фоточувствительности слоя Morjnr быть использованы добавки других полупроводников ZnO, CdS, CdSe и др. в , количестве 5-200 мг на 100 мг п6ли мeтнлeн(l-нaфтилфeшшaминo) оксизтилена.

Фоточувствительность может быть увеличена прн введений органических красителейсенсибилизаторов, например аурамина, родакоша, эозина и др., в количестве 0,1-Г мол.%, а также электроноакцепторных веществ, на- . пример хлораннла, броманила, полинитрофлуоренонов и др., в количестве 0,1-100 мол.%.

Формула изобретения

. Электрофотографический материал, состоящий из подложки н слоя органического полимерного полупроводника с сенсибилизатором, .отличающийся тем, что, с целью улучщения эластичностн, фототермопластйческих свойств и фоточувствительности, в качестве полимерного полупроводника использован поли|метилеи (Ьнафтнлфениламино) оксиэтилен или композицня, содержащая его в качестве одаой из компонент.

Шточники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР N 503200, кл. G 03 G 5/06. 08:02.72.

SU 966 657 A1

Авторы

Гайдялис Валентас Ионо

Дуобинис Нарцизас Косто

Зданавичус Ионас Ионо

Кавалюнас Римтаутас Ионо

Самарскис Евгений Алексеевич

Сидаравичус Ионас-Доматас Броняус

Ундзенас Альгимантаас Ионо

Даты

1982-10-15Публикация

1972-11-27Подача