Способ просветления оптических элементов из селенида цинка Советский патент 1982 года по МПК G02B1/11 

Описание патента на изобретение SU970292A1

(54) СПОСОБ ПРОСВЕТЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ

1

Изобретение относится к просветлению оптических элементов из селенида цинка, работающих в ИК-диапазонв.

Известен способ просветления оптических элементов из селенида цинка путем образования просветляющей пленки.

Просветляющие покрытия для селенида цинка, состоящие из Т1гр4 ZnSe; ТЬР4 + ZnS; BaF, + ZnS-и ThF, применяются для просветления оптики на длине волны 10,6 мкм, рабочей длине волны COj - лазера. Нанесение покры- тий производится в вакуумной камере с безмасляной откачкой при вакууме не хуже Г0 торр, путем испарения материала покрытия из источника разогретого до определенной температуры: и обеспечивающего заданную скорость испарения, и осаждения его на оптический элемент, имеющий температуру /г . Скорости осаждения составляют 500-2000°А в минуту 1 .

Недостатком известного способа является то, что нанесение покрытий путем вакуумного напыления трудоемок, требует сложного вакуумного и термического оборудования, использование ThF4 приводит к соблюдению, жестких требований по технике безопасности ИЗ СЕЛЕНИДА ЦИНКА,

-радиоактивности Th. Кроме того ввиду высокой стоимости оборудования и cciMoro ThF покрытие довольно дорого.

Цель изобретения - упроб1ение и удешевление технологического процесса образования просветляющего покрытия за счет исключения операции напыления инородного материала на опти10ческий элемент.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу просветления оптических элементов из селенида цинка путем образования просветляющей

15 пленки, оптический элемент выдерживают при температуре 490-510°С в воздушной атмосфере в течение 1-6 ч после чего охлаждают до комнатной температур.

20

Способ осуществляется следующим образом.

При помещении оптического элемента в воздушную атмосферу печи, разогретой до 490-5Ю С, поверхность

25 элемента окисляется с образованием слоя окиси цинка равной толщины. Показатель преломления ZnO ниже, чем у ZnSe и меняется от 1,89 до 1,61 в интервале длин волн 2,5-11 мкм.

30 Просветление является результатом

интерференции на пленке определенной (для каждой длины волны) толщины. Покрытие термостойко до . Температурный интервал 490-510 С выбра; в связи с тем, что при более низких температурах кислородные соединения

селена, образуюв1иеся при окислении, частично остаются на поверхности элёч мента и ухудшают его оптич:еские характеристики, при температурах выше указанного интервала скорость окис.ления настолько высока, что затруднен контроль процесса. Время выдержки образца при 490-510°С в воздушной атмосфере зависит от длины волны, на которой необходимо получить про светление.и изменяется от 1 ч для

длины волны 2,5 мкм до б ч для 11 мкм. .

Получаемое таким способом просветление оптических элементов из селенида кроме упрощения и удешевления процесса позволяет снизить потери на отражение в диапазоне 2,5-11 мкм с 30% до 3-9%.

Пример. Оптические злементы из селенида цинка диаметром 40 мм и толщиной 4 мм помещают .в печь, разогретую до 500°С,и выдерживают в ней определенное время (см. таблицу) , после чего охлаждают на воздухе до комнатной температуры. Параметры процесса и оптические характеристики элементов приведены в таблице.

Похожие патенты SU970292A1

название год авторы номер документа
ПРОСВЕТЛЯЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ 1995
  • Глебов В.Н.
  • Малютин А.М.
RU2097801C1
Способ просветления оптических элементов из селенида цинка 1986
  • Загоруйко Ю.А.
  • Комарь В.К.
  • Росторгуева В.Ю.
  • Кривошеин В.Н.
SU1349543A1
Способ изготовления элемента силовых оптических систем 1990
  • Бобченок Юрий Леонидович
  • Гаврищук Евгений Михайлович
  • Крупкин Павел Ливерьевич
  • Перескоков Анатолий Агеевич
  • Потяк Калина Ивановна
  • Тралле Игорь Евгеньевич
SU1800428A1
УЗКОПОЛОСНЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ИНТЕРФЕРОМЕТР ФАБРИ-ПЕРО 1994
  • Гончарова Ольга Викторовна[By]
  • Демин Андрей Васильевич[Ru]
RU2078358C1
Способ обработки кристаллических элементов на основе селенида цинка 1989
  • Бороденко Ю.А.
  • Кухтина Н.Н.
  • Лисецкая Е.К.
  • Рыжиков В.Д.
  • Силин В.И.
SU1630334A1
КОМПОЗИЦИОННЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ 2011
  • Гарибин Евгений Андреевич
  • Гусев Павел Евгеньевич
  • Демиденко Алексей Александрович
  • Дунаев Анатолий Алексеевич
  • Миронов Игорь Алексеевич
  • Чурбанов Михаил Федорович
  • Гаврищук Евгений Михайлович
  • Мазавин Сергей Михайлович
  • Перескоков Анатолий Агеевич
RU2485220C1
СВЕТОДЕЛИТЕЛЬНОЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЕ ПОКРЫТИЕ 1994
  • Глебов В.Н.
  • Малютин А.М.
RU2097800C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПРОСВЕТЛЯЮЩИХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ МЕЗОПОРИСТОГО ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ В ПРИСУТСТВИИ ОЛИГОМЕРОВ ОКИСИ ЭТИЛЕНА, ОЛИГОМЕРОВ ОКИСИ ПРОПИЛЕНА 2007
  • Троицкий Борис Борисович
  • Лопатина Татьяна Ивановна
  • Денисова Валентина Николаевна
  • Новикова Мария Александровна
  • Хохлова Людмила Васильевна
RU2368576C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА 2012
  • Смирнова Елена Ивановна
  • Товмасян Владимир Михайлович
  • Смирнов Денис Викторович
  • Винницкая Мария Юлиановна
RU2516557C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ИЗ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА И КАДМИЯ 2002
  • Гарибин Е.А.
  • Демиденко А.А.
  • Дунаев А.А.
  • Егорова И.Л.
  • Миронов И.А.
RU2240386C2

Реферат патента 1982 года Способ просветления оптических элементов из селенида цинка

Формула изобретения SU 970 292 A1

Использование предлагаемого способа просветления оптических элементов из селенида цинка обеспечивает по сра нению с. существующими способами простоту получения и дешевизну покрытия, за счет отсутствия как операции напыления, так и подготовительных к напылению операций, получение покрытия не требует вакуумного и на пылительного оборудования, имеющего высокую стоимость, а так1--же для окрытия не требуется никаких дополнительных материалов.

Формула изобретения

Способ просветления оптических элементов из с еленида цинка путем

образования просветляющей пленки, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления технологического процесса оптический элемент выдержи вают при температуре 490-510 0 в воздушной атмосфере в течение 1-6 ч, после чего закаливают, до комнатной температуры.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. J.E.Rudisill,M. В. Braunstein, Л. J. Braunstein. Optical Coating for Energy ZnSe, Laser Windwus , Appl. Uptics, V. 13, 2075(1974)(прототип) ,

SU 970 292 A1

Авторы

Фадеев Александр Васильевич

Кулаков Михаил Петрович

Даты

1982-10-30Публикация

1981-02-19Подача