Резистор Советский патент 1982 года по МПК H01C7/00 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии производства резисторов.

Известен резистор, содержащий диэлектрическое основание, на котором расположена резистивная пленка с изолирующими канавками, и электрические контакты 1.

Недостаток известного резистора состоит в низкой надежности, обусловленной неравномерным распределением плотности тока и локальными перегревами резистивной пленки.

Наиболее близким к изобретению техническим роиением является резистор, содержащий диэлектрическое цилиндрическое основание, на котором расположены резистивная пленка с продольной и поперечными круговыми изолирующими канавками, и колпачковые электрические контакты СЗ.

Недостаток известного резистора заключается в его низкой надежности.

Цель изобретения - повышение надежности.

Поставленная цель достигается тем, что в резисторе, содержащем диэлектрическое цилиндрическое основание, на котором расположены резистивная

пленка с продольной и поперечными круговыми изолирующими канавками, и колпачковые электрические контакты, на поверхность резистивной пленки нанесен прямоугольный слой низкоомного проводящего материала, причем продольная изолирующая канавка выполнена в резистивной пленке сквозь прямоугольный слой низкоомного прово10дящего материала по его центральной оси, а каждая из поперечных круговых изолирукяцик канавок выполнена в езистивной пленке сквозь прямоугольный слой низкоомного проводящего ма15териала поочередно с противоположных сторон продольной изолируюв1ей канавки.

На чертехсе схематично изображен резистор.

20

Резистор состоит из диэлектрического, например из стекла или керамики, цилиндрического основания 1, на котором расположена резистивная пленка 2. На поверхность резистивной

25 пленки 2 нанесен прямоугольный слой 3 низкоомного проводящего материала. В качестве резистивной пленки 2 может батъ использован резистивный материал с высоким электрическим

30 сопротивлением, например сплав fUIT, PC 3710, хром и др., а в качестве низкоомного проводящего материала .прямоугольного слоя 3 - алюминий.серебро, индий и др. В резистивной пленке 2 сквозь прямоугольный слой низкоомного проводящего материала по его центральной оси выполнена продольная изолируюцая канавка 4. сквозь прямоугольный слой 3 низкоомного проводящего материала в резистивной пленке 2 выполнены попереЧные круговые изолирующие канавки 5., каждая из которых расположена поочередно с противоположных сторон продольной изолирующей канавки 4. Резистор снабжен колпачковыми электр ческими контактами б с выводами 7. Резистор характеризуется малой индуктивностью и равномерным распределением плотности тока в резистивной пленке,, что позволяет устранить локальные перегревы при импульсных нагрузках, повысить надежность резистора и расширить область его применения. , Формула изобретения Резистор, содержащий диэлектриче кое цилиндрическое основание, на ко тором расположены резистивная пленка с продольной и поперечными круговыми изолирующими канавками, и колпачкоБые электрические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, на поверхность резистивной пленки нанесен прямоугольный слой низкоомного проводящего материала, причем продольная изолирующая канавка выполнена в резистивной пленке сквозь прямоугольный слой низкоомного проводящего материала по его центральной оси, а каждая из поперечных круговых изолирующих канавок выполнена в резистивной пленке сквозь прямоугольный слой низкоомного проводящего материала поочередно с противоположных сторон продольной изолирующей канавки. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР 382152, кл. Н 01 С 17/00, 1970. 2.Патент Англии № 1539774, кл. Н 01 С 7/00, 1979 (прототип).

(f J 3