Способ изготовления фольговых тензорезисторов Советский патент 1983 года по МПК G01B7/16 

Цель изобретения - расширение те пературного диапазона тензореэисторов. Указанная цель достигается тем, что согласно способу изготовления фольговых тензорезисторов, заключаю щемуся в нанесении на меташлическую основу слоя диэлектрика, размещение на нем тензорезистивной фольги, сое динении их под давлением при температуре плавления диэлектрика, фотогравирование тензорезисторов, герме тизации их вторым слоем диэлектрика и изготовлении выводов, в качестве .диэлектрика используют ситаллоцемен тензорезистивную фольгу перед соеди нением защищают от окисления ситаллоцементом того же химического сос тава, что и для .изоляции тензорезис торов от основы, соединяют тензоре зистивную фольгу с основой при температуре кристаллизации ситаллоцемента, удаляют защитное покрытие и герметизируют открытые поверхности тензорезисторов слоем ситаллоцемента того же химического состава. На чертеже показана последовательность основных технологических операций предлагаемого способа. Способ осуществляют -следующим образом. На одну из сторон металлической основы 1, например из сплава НМ23ХЮ толщиной 100 мкм, наносят электрофоретическим способом слой 2 ситаллоцемента толщиной 20 мкм, укладывают на этот слой тензорезистивную фольгу из сплава НМ23ХЮ толщиной 5 мкм, которая предварительно защищается от окисления защитным покрытием 4 ситаллоцемента того же химического состава, что и для изоляции тйнзорезйстивной фольги 3 от основы соединяют тензорезистивну фольгу 3 с основой 1 через слой 2 ситаллоцемента под давлением при температуре кристаллизации ситаллоцемента, после чего путем травления удаляют с фольги 3 згидитное покрытие из ситаллоцемента 4. Далее проводят фотогравировку рисунка тен :зорезис-Горов 5 и открытие поверхности тензорезисторов герметизируют слоем б ситаллоцемента толщиной 15 мкм того же химического состава. После этого в герметизирующем слое 6 ситаллоцемента вскрывают окн 7 и 8 для разрезки на отдельные тензорезисторы и под электрические контакты, приваривают электрические выводы 9 и разрезают основу 1 для образования отдельных тензорезисторов 10. Предлагаемый способ может НЕЙТИ применение при изготовлении групповыми методами высркотемпературных фольговых тензорезисторов и резисторов на металлической основе со стабильными метрологическими характеристиками для рабочих температур бООс и Btane. Использование способа позволит упростить технологию изготовления высокотемпературных тензорезисторов за счет использования одной марки ситаллоцемента для изоляции тензорезисторов от основы, защиты тензорезистивной фольги от окисления и герметизации тензорезисторов. Формула изобретения Способ изготовления фольговых тензорезисторов, заключающийся в том, что на металлическую основу наносят слой диэлектрика, затем на нем раэмещают тензорезистивную фольгу, соединяют их под давлени€ м при температуре плавления диэлектрика, фотогравируют тензорезисторы, герметизируют их вторым слоем диэлектрика и изготавливают выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона (Тензорезисторов, в ка гестве диэлектрика используют ситаллоцемент, тензорезистивную фольгу перед соединением защищают от окисления cитaллoцeмeнтo. того же химического состава, что и для изоляции тенйорезисторов от основы, соединяют тензорезиятивную фольгу с основой при температуре кристаллизации ситаллодемента, удаляют защитное покрытие и герметизируют ,открытые поверхности тензорезисторов слоем ситаллоцемента того же химического составе. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Ильинская Л.С. и др. Высокотемпературные тензорезисторы на основе жаростойких окислоН. М., Энергия, 1973, с. 19-21, 2.Авторское свидетельство СССР 815479, кл. G 01 В 7/18, .1981 (прототип ).

TTt « ufe

//////////////////////

i

3

7

m gi wwp