1
Изобретение относится к измерениям, а именно к технике изготовления тензорезисторов.
Известен способ изготовления тензорезисторов на металлической основе, заключающийся в подготовке поверхности основы, нанесении на нее подслоя жаростойкого материала, механическом закреплении материала решетки тензорезистора,на подслое, нанесеНий на наружную поверхность решетки жаростойкого цемента l 1.
Недостатком известного способа является то, чтсэ практически невозможно получить подслой жаростойкого материала с равномерной контролируемой толщиной. Это снижает метрологические характеристики тензорезисторов из-за разброса свойств партии датчиков.
Кроме того, способ трудоемок и требует применения специального оборудования.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ изготовления тензорезисторов на металлической основе, заключающийся в том, что на тензорезистивную фольгу наносят фотоэмульсию, репродуцируют и травят ее 2.
Недостатком известного способа является его трудоемкость и метрологическая нестабильность свойств жаростойкого слоя при высоких температурах.
Цель изобретения - повьаиение метрологических характеристик тензорезисторов при высоких температурах и упрощение технологии изготовления.
Указанная цель достигается тем, что на металлическую основу наносят 5 калиброванный по толщине слой стекла, укладывают на него тензорезистивную фольгу, соединяют их путем обработки под давлением при температуре плавления стекла и, после репродуцирования и травления, покрывают наружную поверхность тензорезисторов слоем стекла.
Сущность способа заключается в тоц, что на одну из сторон металлической основы, например из сплава Х18Н9Т толщиной 50-156 мкм наносят электрофоретическим или другим способом слой стекла толщиной 10-15 мкм и размером зерна 0,5-1,0 мкм, укладывают на слой стекла тензорезистивную
фольгу из сплава типа Х20Н75Ю толщиной 5-10 мкм и соединяют цх между собой путем обработки под давлением при температуре плавления стекла.
Далее на наружную поверхность тензорезистивной фольги наносят фотоэмульсию, репродуцируют и травят поверхность, фольги. После удаления фоторезиста, наружная поверхность чувствительных элементов тензорезисторов покрывается калиброванным слоем стекла толщиной 10-15 мкм, температура плавления которого на 30-5О°С ниже температуры плавления стекла, нанесенного на металлическую основу
Предлагаемый способ может найти применение при изготовлении фольговых тензорезисторов на металлической основе сб стабильными метрологическими характеристиками. Использование различных химических составов стекол наноси№1х. на -металлическую основу и наружн§ ю ;поверэ{:ность тензорезисторов позволит «использовать их в нужном температурном диапазоне и требуемых физико-химических условиях.
Формула изобретения
Способ изготовления фольговых тен зорезисторов на металлической основе
заключаюдийся в том, что на тензорезистивную Фольгу наносят фотоэмульси репродуцируют и травят ее, о т л и чающийся тем, что, с целью повышения метрологических характеристик тензорезисторов при высоких температурах и упрощения технологии изготовления, на металлическую основу наносят калиброванный по толщине слой стекла, укладывают на него тензорезистивную фольгу, соединяют их путем обработки под давлением при температуре плавления стекла и, посл репродуцирования и тра:вления, покрывают наружную поверхность тензорезисторов слоем стекла.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1.Ильинская л. С. и др. Высокотемпературные тензорезисторы на основе жаростойких окислов. М., Энергия, -1973.
2.Авторское свидетельство СССР
№ 200859, кл. G 01 В 7/18, 1966 (прототип) .
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления фольговых тензорезисторов | 1981 |
|
SU993009A1 |
Способ изготовления проволочного тензометра | 1990 |
|
SU1768944A1 |
Способ изготовления фольгового тензорезистора | 1976 |
|
SU586319A1 |
Способ изготовления фольговых тензорезисторов | 1980 |
|
SU947635A1 |
Полупроводниковый резистор | 2016 |
|
RU2655698C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЕФОРМАЦИИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1998 |
|
RU2200300C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДЕФОРМАЦИЙ ПОВЕРХНОСТИ | 2008 |
|
RU2389973C2 |
Полупроводниковый резистор | 2016 |
|
RU2646545C1 |
Способ изготовления тензорезисторных датчиков силы | 1983 |
|
SU1118876A1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ДОРОЖЕК | 2012 |
|
RU2494492C1 |
Авторы
Даты
1981-03-23—Публикация
1979-03-16—Подача