Устройство для облучения образцов при низкой температуре Советский патент 1983 года по МПК F17C3/08 F25D3/10 

Через трубку 2 происходит натекан жидкого азота из источника 1 в полость криостата 4. Вследствие этого натекания повышается уровень жидкогс азота. Под действием тепла, образованного при облучении, происходит испарение азота. Повышение уровня жидкого азота происходит до тех пор, пока не выравняется давление жидкого р1 газообразного азота. С повышением давления паров азота над уровнем жидкости в криостате 4 происходит выдавливание жидкого азота,, опускание поплавка 7, который приводит к открыванию поплавкового клапана б, что приводит к стравливанию паров азота, Давление паров азота падает и вновь жидкий азот натекает в полость криостата. Цикл повторяется. Щж облучении примесей кислорода, имеющихся в техническом азоте, образуется жидкий озон, который имеет.большую по сравнению с жидким азотом плотность и поэтому скапливается в нижней части криостата. За счет разности давлений атмосферного и внутри криостата происходит постоянное удаление жидкого озона через отводящую трубку 9 и жиклер 11, диаметр ко торого подбирается таким образом, чтобы расход через него жидкого озоу на был примерно равен или больше скорости образования его в криостате Дсшее происходит испарение жидкого озона в расширителе 8 и удаление его паров через звуковой сигнализатор 10 в атмосферу. При непрер«лвно работе системы сигнализатор издает постоянный звук. Высота и сила тона звука регулируется при регулировочного устройства 12 звукового сигнализатора 10.

Предлагаемое устройство обеспечивает значительное повышение экономичности проведения научно-исследовательских работ по изу. свойст облучаемых образцов при низких температурах в результате того, что в отличие от прототипа оно позволяет использовать более дешевый технический азот в жидком состоянии вместо дорогостоящего сверхчистого азота. Кроме того, повыиается надежность в работе предлагаемого устройства за счет повышения взрывобезопасности, обусловленной отведением образующегося озона при облучении.

Формула изобретения

1.Устройство для облучения образцов при низкой температуре, содержащее источник жидкого азота, криостат для размещения образцов с подводящей и отводящей трубками и источник излучения, отличающе ё с я тем, что/ с целью повышения экономичности и взрывобезопасности, криостат снабжен дополнительной отводящей озон трубкой, нижний- конец которой размещен у дна криостата, а верхний конец снабжен жиклером и расширителем.

2.Устройство по п. 1, о т л и чающееся тем, что дополнительная отводящая озон трубка снабжена звуковым сигнсшизатором.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе , 1. Справочник по физико-техническим основам криогеники. Под ред. М.П.Малкова. М., 1973, с. 355. 2. Там же, с, ЗЬб.