ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ Российский патент 1994 года по МПК H01L29/06 

Описание патента на изобретение RU2025831C1

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки с повышенной крутизной и рабочей частотой.

Известен полевой транзистор Шоттки (ПТШ), у которого сток, исток и электрод затвора выполнены на структурах с однородным легированием. Однако предельная собственная крутизна короткоканальных ПТШ на таких структурах не превышает 200 мА/В мм, что ограничивает рабочие частоты ПТШ и ИС на их основе.

Известен ПТШ (δ -ПТШ), у которого сток, исток и электрод затвора выполнены на δ -легированной структуре, включающей полуизолирующую подложку арсенида галлия и σ -легированный слой, отделенный от подложки и свободной поверхности буферными слоями нелегированного арсенида галлия. Оценки показывают, что в таких транзисторах значительного увеличения собственной крутизны следует ожидать ≈500 мА/В мм при расстояниях от электрода затвора до канала менее 300 .

Однако в реальных δ -ПТШ собственная крутизна лишь незначительно (30-50%) превышает соответствующие значения ПТШ на однороднолегированных структурах, что примерно в три раза меньше расчетных значений. Причины столь значительного расхождения расчетных и реальных значений крутизны для δ -ПТШ не известны.

Проведенные нами исследования малосигнальных С-Y и G-Y характеристик, а также частотной зависимости крутизны в малосигнальном режиме и I-V характеристик затворов в режиме постоянных обратных смещений показали, что резкое несоответствие величины расчетной и реальных значений собственной крутизны в δ -ПТШ является следствием присутствия в приповерхностном слое структуры глубоких ловушек. Их существование в условиях интенсивной туннельной эмиссии носителей через барьер из-за малых расстояний до электрода затвора и больших концентраций центров (соответственно 50-150 и ≈ 5 ˙1018см-3приводит к сильной частотной дисперсии емкости, проводимости и полной крутизны в малосигнальных режимах и к значительному уменьшению полной крутизны при работе в цифровом режиме (в режиме больших амплитуд). Из ВФХ и I-V характеристик несложно оценить, что обсуждаемые ловушки расположены в приповерхностном слое структуры на глубинах 50-150 .

В профильных исследованиях элементного состава в приповерхностных слоях до глубин ≈ 200 регистрируются нарушения стехиометричности состава (вакансии по мышьяку и избыток кислорода), а исследования зависимости подвижности в структурах при различных расстояниях от электрода до δ-слоя указывают на резкое уменьшение подвижности при приближении δ-слоя к поверхности уже на расстояниях меньше ≈400 . Все это позволяет утверждать, что причина резкого ограничения крутизны в реальных δ -ПТШ (S≈ 120-140 мА/В˙ мм; Sm≈ 250 мА/В ˙мм, при расчетных значениях Sm ≈ 450 мА/В ˙мм) связана с присутствием ловушечных центров в приповерхностных слоях структуры. Они же являются причиной частотных дисперсий емкости, проводимости и крутизны в малосигнальных режимах и причиной ограничения крутизны на столь низком уровне значений в цифровом режиме, т.е. соответствующая конструкция δ-ПТШ не может реализовать потенциальные возможности в повышении крутизны в δ-ПТШ.

Целью изобретения является повышение крутизны δ-ПТШ.

Цель достигается тем, что в ПТШ, у которого исток, сток и затвор выполнены на структуре, включающей полуизолирующую подложку и δ-легированный слой, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсенида галлия, между электродом затвора и δ-легированным слоем располагают слой арсенида галлия р-типа проводимости, легированный до вырождения и имеющий общую границу с электродом затвора. При этом уровень легирования, Рр р-слоя выбирают таким, чтобы Pp, а толщина dр р-слоя превышала значение dp, где ε - диэлектрическая проницаемость полупроводника;
m* - эффективная масса электрона;
ϕк - контактная разность потенциалов;
h - постоянная Планка;
q - элементарный заряд.

Положительный эффект достигается тем, что область с нестехиометрией (область локализации ловушек) располагают в сильно вырожденном полупроводнике р-типа, так что при приложении внешнего поля к электроду затвора область сканирования ОПЗ со стороны металла в р-слое не превышает толщины туннельной прозрачности для электронов металла, в силу чего ловушки приповерхностной области заполнены.

Действительно, туннельно прозрачную толщину приповерхностного слоя можно определить из выражения для коэффициента прозрачности D треугольного барьера ≅ 10-2, ΔE = D = Do·exp- ,где Е - энергия электрона;
Еm - максимальное значение энергии барьера металл-полупроводник;
bo - толщина барьера на уровне Ферми в металле;
F - энергия Ферми. Барьер туннельно прозрачен, если ≅ 1. Так как ϕк ≈ 0,8 эВ, то в предположении, что туннеллируют электроны с уровня Ферми (большие отрицательные смещения), имеем: boh·(ϕk·q·2m*)-1/2. В этом случае необходимая концентрация легирующей примеси определяется как Дебаевская длина экранирования и равна Pp.

С учетом того, что обеднение р-слоя со стороны n-слоя не будет превышать определенного выше значения bo, толщина (приемлемая) р-слоя dp равна: dp ≥ 2·bok·q·2*m

)-1/2.. В частности, для ϕк ≈ 0,8 эВ, ε =11 (барьер на GaAs) имеем: bo ≈ 50 ; dp ≈ 100 ; Рр ≈ 1019см-3. Толщина буферного слоя, расположенного между δ-слоем и р-слоем, выбирается традиционно из расчета требуемых значений пороговых напряжений при заданном заряде в δ -легированном слое канала ПТШ (заданном токе насыщения ПТШ).

На чертеже изображена предлагаемая конструкция транзистора.

Транзистор состоит из полуизолирующей подложки 1 и последовательно расположенных на ней слоев: буферного нелегированного слоя 2 арсенида галлия толщиной 0,7 мкм с концентрацией фоновой примеси ≈ 1015см-3; δ-слой 3 с концентрацией доноров 2,5˙ 1012см-2; слой 4 арсенида галлия толщиной 500 с концентрацией доноров 1017см-3; слой 5 р-типа проводимости с концентрацией акцепторов (дырок 1019см-3 толщиной 500 , а также из областей истока 6, стока 7 и электрода 8 затвора. При этом электрод затвора имеет общую границу с р-слоем, а области истока и стока выполнены в виде контактов с омическими характеристиками к части структуры с n-типом проводимости, для чего слой р-типа проводимости удален.

Технические преимущества заявляемой конструкции по сравнению с прототипом заключаются в расширении рабочей полосы частот как за счет повышения крутизны ПТШ fm = , где Sm - собственная крутизна;
Свх - входная емкость, так и за счет улучшения переключательных характеристик ключей на ПТШ и ИС (повышенные токи насыщения канала и крутизна).

Похожие патенты RU2025831C1

название год авторы номер документа
СТРУКТУРА НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ 1991
  • Гергель В.А.
  • Ильичев Э.А.
  • Лукьянченко А.И.
  • Полторацкий Э.А.
  • Родионов А.В.
  • Шамхалов К.С.
  • Федоренко А.В.
RU2025832C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ 2002
  • Голиков А.В.
  • Кагадей В.А.
  • Проскуровский Д.И.
  • Ромась Л.М.
  • Широкова Л.С.
RU2227344C2
ИНВЕРТОР 1988
  • Родионов А.В.
  • Свешников Ю.Н.
  • Емельянов А.В.
  • Кравченко Л.Н.
  • Зыбин С.Н.
  • Ильичев Э.А.
  • Инкин В.Н.
  • Полторацкий Э.А.
  • Шмелев С.С.
SU1649973A1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ДЛЯ СБИС ЗУ НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ 1987
  • Артамонов М.М.
  • Кравченко Л.Н.
  • Полторацкий Э.А.
  • Емельянов А.В.
  • Ильичев Э.А.
  • Инкин Б.Н.
  • Родионов А.В.
  • Зыбин С.Н.
  • Ахинько И.А.
  • Липшиц Т.Л.
  • Гольдберг Е.Я.
  • Шелюхин Е.Ю.
SU1559975A1
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДЛЯ ДИНАМИЧЕСКОГО ОПЕРАТИВНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА 1991
  • Ракитин В.В.
  • Серебренников А.В.
  • Тишин Ю.И.
RU2029995C1
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ 2021
  • Лапин Владимир Григорьевич
  • Рогачев Илья Александрович
  • Лукашин Владимир Михайлович
  • Добров Александр Вадимович
RU2784754C1
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТКИ 2020
  • Богданов Сергей Александрович
  • Богданов Юрий Михайлович
  • Лапин Владимир Григорьевич
  • Лукашин Владимир Михайлович
  • Пашковский Андрей Борисович
  • Журавлев Константин Сергеевич
RU2743225C1
МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СВЧ МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА НА МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ 2014
  • Кантюк Дмитрий Владимирович
  • Толстолуцкая Анна Владимировна
  • Толстолуцкий Сергей Иванович
  • Шевцов Александр Владимирович
RU2560998C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ 1994
  • Ракитин В.В.
RU2100873C1
ДВУХЗАТВОРНАЯ МДП-СТРУКТУРА С ВЕРТИКАЛЬНЫМ КАНАЛОМ 1995
  • Ракитин В.В.
RU2106721C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 025 831 C1

Реферат патента 1994 года ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ

Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки. Сущность: полевой транзистор Шоттки, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на δ-легированной структуре, включающей полуизолированную подложку из арсенида галлия и d-легированный слой n - типа проводимости, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсенида галлия. Между электродом затвора и d-легированным слоем расположен слой арсенида галлия p - типа проводимости, легированный до вырождения и имеющий общую границу с электродом затвора. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 025 831 C1

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на δ-легированной структуре, включающей полуизолирующую подложку из арсенида галлия и δ-легированный слой n-типа проводимости, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсенида геллия, отличающийся тем, что, с целью увеличения крутизны транзистора, между электродом затвора и δ-легированным слоем расположен слой p-типа проводимости, легированный до вырождения, при этом концентрация акцепторов в p-слое определеяется выражением
Pp · ,
а его толщина
dp · (ϕk·q·2*m

)-1/2,
где ε - диэлектрическая проницаемость полупроводника;
m* - эффективная масса электрона;
ϕк - контактная разность потенциалов;
- постоянная Планка;
q - электрический заряд.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1994 года RU2025831C1

E
E.F.Sehubert, A.Fischer, K.Ploog
"The deltudoped field-effect transistor ( $$$ - FET), IEEE Tracsactions on electron deviees, VED-33, n 5, 1986, pp.625-632.

RU 2 025 831 C1

Авторы

Гергель В.А.

Ильичев Э.А.

Онищенко В.А.

Полторацкий Э.А.

Родионов А.В.

Тарнавский С.П.

Федоренко А.В.

Даты

1994-12-30Публикация

1991-05-08Подача