ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДЛЯ ДИНАМИЧЕСКОГО ОПЕРАТИВНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Российский патент 1995 года по МПК G11C11/40 

Описание патента на изобретение RU2029995C1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания интегральных ДОЗУ с произвольной выборкой.

Целью изобретения является повышение степени интеграции ДОЗУ.

На фиг. 1 представлена конструкция элемента ДОЗУ; на фиг. 2 - его электрическая схема.

Элемент содержит полупроводниковую подложку 1, например кремния р-типа проводимости с концентрацией дырок 1015 - 1016 см-3. В подложке 1 сформирована область 2 n-типа проводимости с концентрацией электронов 1019 - 1020 см-3 и область 3 n-типа проводимости глубиной 1-2 мкм с концентрацией электронов 1016 - 1017 см-3. Между ними расположен проводящий электрод 4, например из поликремния, отделенный от подложки слоем диэлектрика 5, например окисла кремния толщиной 20-50 нм. Области 2 и 3 и электрод 4 представляют собой соответственно, сток, исток и затвор МДП транзистора считывания. Внутри области 3 сформирована область 6 р-типа проводимости с концентрацией дырок 1017 - 1018 см-3, а внутри нее - область 7 n-типа проводимости с концентрацией электронов 1019 - 1020 см-3.

В конструкции элемента ДОЗУ (фиг. 1) в подложке 1 внутри области 6 выполнена канавка 10, например с вертикальными стенками, глубина которой больше глубины области 3 так, что часть поверхности области 3 между областью 6 и подложкой 1 выходит на боковую стенку канавки 10. Слой диэлектрика 8 и электрод 9 расположены внутри канавки 10, которая окружает каждую пару элементов и выполняет роль межэлементной изоляции.

Предложенный элемент ДОЗУ работает следующим образом.

Сток 2 и затвор 4 МДП транзистора считывания соединены соответственно с разрядной и адресной шинами накопителя. На подложку 1, эмиттер 7 биполярного транзистора и затвор 9 дополнительного МДП транзистора подается потенциал земли. В режиме хранения на затвор 4 МДП транзистора считывания подается запирающий потенциал, на области 6 находится потенциал земли, а в области 3 хранится потенциал земли, если емкость 11 коллекторного перехода биполярного транзистора разряжена, или питания, если емкость 11 заряжена.

В режиме чтения на сток 2 МДП транзистора считывания подается плавающий потенциал питания, а на его затвор 4 - отпирающий потенциал. Если емкость 11 была заряжена, то никакие токи не потекут, и на разрядной шине останется потенциал питания. Если же емкость 11 была разряжена, то напряжение с разрядной шины через сопротивление канала открытого транзистора считывания попадает на коллектор 3 и перераспределяется между емкостями 11 и 12 коллекторного и эмиттерного переходов. Как только напряжение на эмиттерном переходе достигает 0,6 В, биполярный транзистор открывается. Дополнительный МДП транзистор в это время закрыт, так как на его подложке 3 находится потенциал питания. Биполярный транзистор будет открыт, разряжая коллекторным током емкость разрядной шины 13, до тех пор пока емкость 11 не зарядится базовым током до напряжения на разрядной шине, после чего биполярный транзистор закроется. Отношение величины считанного заряда к величине хранимого близко к коэффициенту усиления биполярного транзистора. В режиме записи на сток 2 МДП транзистора считывания подается потенциал земли или питания, после чего на его затвор 4 подается отпирающий потенциал. При записи 0 дополнительный МДП транзистор открыт, так как на его подложке 3 находится потенциал земли, и на областях 3 и 6 установится потенциал земли. При записи 1 на области 3 установится потенциал питания и емкость 12 будет заряжена.

Таким образом, предложенный элемент ДОЗУ управляется аналогично однотранзисторному элементу, а его использование при коэффициенте усиления биполярного транзистора свыше 100 позволяет на порядок увеличить количество элементов, подключаемых к одной разрядной шине, при одновременном уменьшении на порядок емкости конденсаторов хранения. Это позволит более чем в 10 раз повысить степень интеграции ДОЗУ.

Похожие патенты RU2029995C1

название год авторы номер документа
ДВУХЗАТВОРНАЯ МДП-СТРУКТУРА С ВЕРТИКАЛЬНЫМ КАНАЛОМ 1995
  • Ракитин В.В.
RU2106721C1
АССОЦИАТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1991
  • Аристов А.Е.
  • Зимоглад В.А.
  • Ракитин В.В.
RU2006964C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ 1994
  • Ракитин В.В.
RU2100873C1
РЕГИСТР СДВИГА 1989
  • Полторацкий Эдуард Алексеевич[Ru]
  • Понимасов Владимир Николаевич[Ru]
  • Решетников Сергей Евгеньевич[Lt]
  • Рычков Геннадий Сергеевич[Ru]
RU2066886C1
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С ДВУМЯ ТИПАМИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ 1994
  • Ракитин В.В.
RU2100874C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ 1990
  • Лабудин Г.И.
  • Масловский В.М.
  • Васильев Б.И.
  • Гриценко В.А.
  • Ковтуненко С.А.
RU2006966C1
ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ДАТЧИК НА ОСНОВЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА 1993
  • Березкин В.А.
  • Борзов Е.И.
  • Качуровский Ю.Г.
  • Полубояринов Ю.М.
  • Шкуропат И.Г.
RU2061233C1
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1992
  • Баринов Константин Иванович
  • Горбунов Юрий Иванович
  • Рудовол Тамара Всеволодовна
  • Латышонок Александр Никодимович
RU2018994C1
НАКОПИТЕЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА 1991
  • Алиева Н.В.[By]
  • Сорока С.А.[By]
  • Лозицкий Е.Г.[By]
  • Борисенок А.Н.[By]
RU2028676C1
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства 1977
  • Овчаренко Валерий Иванович
  • Кассихин Александр Алексеевич
SU734807A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 029 995 C1

Реферат патента 1995 года ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДЛЯ ДИНАМИЧЕСКОГО ОПЕРАТИВНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания интегральных динамических оперативных запоминающих устройств (ДОЗУ) с произвольной выборкой. Целью изобретения является повышение степени интеграции ДОЗУ. Сущность изобретения: в элементе ДОЗУ, содержащем полупроводниковую подложку с первой и второй областями 2 и 3 противоположного подложке типа проводимости и отделенный от подложки слоем 5 диэлектрика первый проводящий электрод 4 , причем внутри второй области сформирована третья область 6 совпадающего с подложкой типа проводимости, внутри третьей области сформирована четвертая область 7 противоположного подложке типа проводимости, а часть поверхности второй области между третьей областью и подложкой покрыта слоем 8 диэлектрика, на котором сформирован второй проводящий электрод 9. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 029 995 C1

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДЛЯ ДИНАМИЧЕСКОГО ОПЕРАТИВНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку, в приповерхностной области которой размещены первая и вторая области противоположного подложке типа проводимости, на поверхности подложки между первой и второй областями расположен слой диэлектрика, на поверхности которой размещены первый проводящий электрод, причем внутри второй области размещена третья область, тип проводимости которой совпадает с проводимостью подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции, внутри третьей области размещена четвертая область противоположного подложке типа проводимости, а также выполнена канавка, глубина которой перекрывает глубину второй области, на торцевой поверхности канавки, примыкающей к третьей области, расположен второй слой диэлектрика, на поверхности которого размещен второй проводящий электрод.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года RU2029995C1

Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ 1976
  • Ракитин В.В.
SU611581A1
Походная разборная печь для варки пищи и печения хлеба 1920
  • Богач Б.И.
SU11A1

RU 2 029 995 C1

Авторы

Ракитин В.В.

Серебренников А.В.

Тишин Ю.И.

Даты

1995-02-27Публикация

1991-02-05Подача